電力工程 112 年電子學概要考古題（共 5 題）
資料來源：考選部歷屆試題｜法律人 LawPlayer 整理
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第 1 題
圖1(a)所示為使用複數阻抗（Z1 與Z2）的理想運算放大器電路。
（每小題5 分，共20 分）
㈠利用克希荷夫電流定律（KCL）與理想運算放大器的虛接地（Virtual
GND）性質，計算電壓增益Vout/Vin。
㈡利用圖1(a)所示電路，使用被動元件（電阻R 與電容C）代替複數阻
抗，設計微分器電路。
㈢計算所設計微分器電路的時域（Time Domain）輸出電壓函數Vout(t)。
㈣若輸入電壓Vin(t)波形如圖1(b)所示，而所使用的R 與C 值分別為
2.5 kΩ 與1 nF，繪製輸出電壓Vout(t)波形。
Vin
Vout
Z2
Z1
Vin
t (ms)
+2.5 V
-2.5 V
5
10
15
圖1(a)
圖1(b)

第 2 題
圖2 所示的金氧半場效電晶體（MOSFET）放大器電路，操作在中頻帶
中。忽略通道長度調變（Channel Length Modulation）效應，並且假設兩
顆電容器（C1 與C2）的值很大。（每小題10 分，共20 分）
㈠繪製此放大器電路的中頻帶小訊號等效電路。
㈡計算此放大器電路的中頻帶電壓增益。
Vin
C1
R1
R2
RD
RS
C2
Vout
VDD
圖2

第 3 題
圖3 的達靈頓對（Darlington Pair）電路，是由兩顆不同類型（一顆npn
與一顆pnp）的雙極性接面電晶體（BJT）所組成。
（每小題10 分，共20 分）
㈠若將此電路等效為單顆BJT 電晶體，請繪製其等效電路符號（npn 或
pnp 擇一），並且標明其電流方向（IB、IC 與IE）。
㈡計算此電路的電流放大倍率IE/IB。假設11、21。
Q1
Q2
圖3

第 4 題
圖4 所示為一階濾波器，使用被動元件進行實現。其中R1 = 1 Ω、
R2 = 1 kΩ、C1 = 1 nF，以及C2 = 1 μF。（每小題10 分，共20 分）
㈠計算轉移函數H(s) = Vout/Vin，以及極點（pole）與零點（zero）位置。
㈡使用波德規則（Bode’s rules）繪製轉移函數大小|H()|響應圖，必須標明
數值。並且說明此濾波器類型為高通（High-Pass）或低通（Low-Pass）。
Vin
C1
R1
R2
C2
Vout
圖4

第 5 題
圖5 所示為由三顆完全相同的反相器所組成的振盪器。
（每小題10 分，共20 分）
㈠使用互補式金氧半（Complementary MOS, CMOS）反相器來設計此振
盪器，繪製出完整電路。
㈡若每一顆CMOS 反相器均具有相同的高至低輸出轉態延遲時間（tPHL）
與低至高輸出轉態延遲時間（tPLH），繪製在三個節點的波形，然後計
算最高操作頻率（fmax）。[註：tPLH≠tPHL]
X
Y
Z
圖5

題目為考試當年公告版本，實務標準請以現行規範為準。