電力工程 114 年電子學考古題（共 5 題）
資料來源：考選部歷屆試題｜法律人 LawPlayer 整理
https://lawplayer.com/exam/electrical-engineering/114-electronics

第 1 題
Iv

第 2 題
Iv

第 3 題
Iv
2
B
R
1
B
R
C
R
C
V
E
R
f
R
一、有一個理想運算放大器（OperationalAmplifier）電路如圖一所示，此電路有
3 個輸入電壓訊號，分別為：
1
Iv 、
2
Iv 與
3
Iv 。電路中
80 kΩ
f
R 
，1
40 kΩ
R 
，
2
10 kΩ
R 
，
3
20 kΩ
R 
，

第 4 題
10 kΩ
R 
，

第 5 題
20 kΩ
R 
。請計算O
v ？（20 分）
二、有一個pnp 雙載子接面電晶體（Bipolar Junction Transistor, BJT）電路如
圖二所示，電晶體
1
Q 的
100
。當射極-基極接面（Emitter-Base, EB,
Junction）為順向偏壓時，EB
V
恆等於0.7 V，電路中
5 V
V 
，
1
60 kΩ
B
R
，
2
40 kΩ
B
R
，
1kΩ
C
R 
，
3 kΩ
E
R 
。
㈠請計算
C
V ？（10 分）
㈡當
0 7 V
EB
V
.
（EB 接面順向偏壓）且
0 4 V
CB
V
.
時，電晶體
1
Q 會進入
飽和模式（Saturation Mode），若要讓
1
Q 保持在主動模式（Active Mode），
請問
C
R 的最大值為何？（10 分）
+
_
圖一
圖二
R3
R2
R1
R4
R5
V+
V
Q1
1
D
R
2
D
R
1
C
R
2
C
R
O
v
Sv
三、圖三為一個基本的NMOS 場效電晶體（Field Effect Transistor, FET）差動
放大器（Differential Amplifier）電路，
1
Q 與
2
Q 完全匹配（Perfectly Match），
輸入訊號為差動輸入形式。
1
Q 與
2
Q 的參數如下：
1
2
2 mA/V
m
m
g
g
，
1
2
10 fF
gs
gs
C
C
，
1
2
2 fF
gd
gd
C
C
，
1
2
5 fF
db
db
C
C
，
1
2
15 k
o
o
r
r
。
電路部分，
1
2
30 k
D
D
R
R
，
25 k
sig
R
。請計算此電路的：
㈠上3 dB頻率（
Hf ）。（15 分）
㈡零點（Zero）頻率。（5 分）
+
-
+
-
四、圖四為一個串並（Series-Shunt）回授放大器電路，電路中npn BJT 電晶
體
1
Q 與
2
Q 的參數如下：
1
2
100
，
1
2
10 mA/V
m
m
g
g
，
1
2
10 k
r
r
，
1
2
o
o
r
r
。電路中，
1
20 k
C
R
，
2
20 k
C
R
，
1
2 k
R 
，
2
18 k
R 
。請計算：電壓增益
/
O
S
v
v 、輸入電阻
in
R 與輸出電
阻
out
R
。（20 分）
+
-
圖三
圖四
V
Rsig
Rsig
Vid
Vod
Q1
Q2
I
V
Q1
Q2
R2
R1
Rin
Rout
O
v
DD
V
Bv
A
v
五、有一個NMOS 邏輯電路如圖五所示，其中電晶體
1
Q 、
2
Q 與
3
Q 的臨界電壓
（ThresholdVoltage）分別為
1
2
3
1V
t
t
t
V
V
V
，
2
3
1
(
/
/
4
(
(
/
)
)
)
W L
W L
W L
，
5 V
DD
V
，忽略通道長度調變（Channel Length Modulation）與基底效應
（Body Effect）。請計算：
㈠
0 V
A
B
v
v
時，
O
v ？（10 分）
㈡
5 V
A
v 
，
0 V
B
v 
時，
O
v ？（10 分）
圖五
Q1
Q2
Q3

題目為考試當年公告版本，實務標準請以現行規範為準。