電力工程 97 年電子學大意考古題（共 40 題） 資料來源：考選部歷屆試題｜法律人 LawPlayer 整理 https://lawplayer.com/exam/electrical-engineering/97-%E9%9B%BB%E5%AD%90%E5%AD%B8%E5%A4%A7%E6%84%8F 第 1 題 下列對於雙載子接面電晶體放大電路工作在共集極組態時之描述，何者正確？ (A) 具有低輸入阻抗 (B) 具有高輸出阻抗 (C) 具有與輸入同相的電壓輸出 (D) 具有大的電壓增益 正解：C 第 2 題 對一具有源極旁路電容器之共源極放大器，如將其旁路電容器移走時，則下列何者正確？ (A) 電壓增益降低 (B) 電壓增益增加 (C) 互導降低 (D) 互導增加 正解：A 第 3 題 今有一BJT 放大器電路的小信號電路如圖所示，已知rπ = 2.6 kΩ、β = 100、ro = 80 kΩ。今定義無負載時之輸入電阻（input resistance with no load）∞=≡LRiiiivR，則iR 最接近的值為： (A) 80 kΩ (B) 10 kΩ (C) 2 kΩ (D) 條件不足 正解：C 第 4 題 如圖所示的振盪器電路，則Vo2 的波形為何？ (A) 三角波 (B) 方波 (C) 鋸齒波 (D) 弦波 正解：A 第 5 題 下列何種組態的雙極性接面電晶體，適合作為兼具電壓及電流訊號放大之應用？ (A) 共基極 (B) 共集極 (C) 共射極 (D) 共閘極 正解：C 第 6 題 如圖所示為一波形產生電路，其輸出端電壓Vo 為： (A) 方波 (B) 三角波 (C) 正弦波 (D) 鋸齒波 正解：A 第 7 題 如圖所示為一主動低通電路，R1 = 2 kΩ、R2 = 2 kΩ、R3 = 12 kΩ、C1 = 0.01μF，則高頻截止頻率約為： (A) 2 kHz (B) 4 kHz (C) 8 kHz (D) 16 kHzvsig10kΩRsig iiEBvivπrπgmvπCro4kΩRLvoR1Vo2R2RCV+V-V+V-VoR2R1RVoCviR2R1R3C1vo 正解：C 第 8 題 如圖所示的濾波器為： (A) 低通濾波器 (B) 帶通濾波器 (C) 高通濾波器 (D) 帶拒濾波器 正解：D 第 9 題 在電子電路中，設計正回授之目的為何？ (A) 增加頻寬 (B) 使電路穩定 (C) 供作振盪器使用 (D) 減少雜訊 正解：C 第 10 題 一雙級放大器之轉移函數（transfer function）為T( jω ) = 100/(1+jω/ωp)2，當ω = ωp 時，則下列敘述何者正確？ (A) 電壓增益為50，相位差為45 度 (B) 電壓增益為50，相位差為90 度 (C) 電壓增益為25，相位差為90 度 (D) 電壓增益為25，相位差為180 度 正解：B 第 11 題 圖為共源極放大器高頻響應之等效電路，輸入端之米勒（Miller）電容為何？ (A) Cgs (B) Cgd (C) Cgs (1+gmRL) (D) Cgd (1+gmRL) 正解：D 第 12 題 一CMOS inverter 如圖所示，當輸入電壓VI = 0 時，則輸出電壓VO 約為： (A) VDD (B) VDD-|Vt| (C) VDD/2 (D) 0 正解：A 第 13 題 射極隨耦器有良好的高頻響應，是由何原因所造成？ (A) 電壓增益大 (B) 輸出阻抗大 (C) 有厄利效應（Early Effect） (D) 無米勒效應（Miller Effect） 正解：D 第 14 題 如圖所示的邏輯電路，此電路的功能為： (A) NAND (B) NOR (C) XOR (D) AND 正解：C 第 15 題 關於序向邏輯（Sequential Logic），下列敘述何者正確？ (A) 與輸入函數無關，與先前輸入值無關 (B) 與輸入函數無關，與先前輸入值有關 (C) 與輸入函數有關，與先前輸入值無關 (D) 與輸入函數有關，與先前輸入值有關 正解：D 第 16 題 對於動態隨機存取記憶體（DRAM）與靜態隨機存取記憶體（SRAM）工作方式比較的敘述，下列何者正確？ (A) DRAM 內記憶胞（memory cell）的資料（data）會隨時間變化 (B) DRAM 內記憶胞（memory cell）的陣列結構可隨時調整 (C) SRAM 內記憶胞（memory cell）的資料（data）在無電源供應情形下也能靜態維持準位 (D) SRAM 內記憶胞（memory cell）的陣列結構在無電源供應情形下也能靜態維持不變 正解：A 第 17 題 有一邏輯電路執行ABY =，則下列何者正確？ (A) A = 0，B = 0；Y = 0 (B) A = 0，B = 1；Y = 0 (C) A =1，B = 0；Y = 0 (D) A = 1，B = 1；Y = 0VDDVIVOABCCgdVsCgsvgsgmvgsRsRLVo 正解：D 第 18 題 變容二極體可以應用於下列何種電路？ (A) 比較電路 (B) 轉換電路 (C) 諧振電路 (D) 數位電路 正解：C 第 19 題 需要週期性的更新（periodic refresh）以防止儲存資訊流失的是： (A) 唯讀記憶體（ROM） (B) 靜態隨機存取記憶體（SRAM） (C) 動態隨機存取記憶體（DRAM） (D) 所有記憶體均需要週期性的更新 正解：C 第 20 題 圖所示電路中，BJT 之VCE 值約為： (A) 6.5 V (B) 7.4 V (C) 8.3 V (D) 9.2 V 正解：A 第 21 題 雙極性接面電晶體（BJT）放大器的下列組態中，何者的電壓增益較小？ (A) CE 組態 (B) CB 組態 (C) CC 組態 (D) 疊接（cascode）組態 正解：C 第 22 題 一般功率放大器最高功率轉換效率（power conversion efficiency）的大小次序為何？ (A) A 類≥AB 類≥B 類 (B) A 類≥B 類≥AB 類 (C) AB 類≥B 類≥A 類 (D) B 類≥AB 類≥A 類 正解：D 第 23 題 雙極性接面電晶體若用於數位電路中，則其主要功能是： (A) 整流 (B) 放大 (C) 開關 (D) 濾波 正解：C 第 24 題 當BJT 直流偏壓電路之操作點落於下列何區域，此電路方能應用於交流類比放大電路？ (A) 截止區 (B) 順向作用區（forward active region） (C) 逆向作用區（reverse active region） (D) 飽和區 正解：B 第 25 題 一般發光二極體，最主要的發光機制為何？ (A) 雪崩崩潰所誘發的發光現象 (B) 基板效應所產生的發光現象 (C) 電子、電洞在空乏區復合所產生的發光現象 (D) 電子、電洞藉由半導體中缺陷復合所產生的發光現象 正解：C 第 26 題 下列對於運算放大器的共模拒斥比（Common-Mode Rejection Ratio, CMRR）的描述，何者錯誤？ (A) 共模拒斥比的值較大則功率消耗也較大 (B) 理想運算放大器之共模拒斥比的值接近無窮大 (C) 共模拒斥比係差模電壓信號增益對共模電壓信號增益的比值 (D) 共模拒斥比的值較小者則較容易受共模雜訊干擾 正解：A 第 27 題 如圖所示的運算放大器應用電路，其輸出電壓vo＝？ (A) ⎟⎠⎞⎜⎝⎛−−2211RvRvRF (B) ⎟⎠⎞⎜⎝⎛−2211RvRvRF (C) ⎟⎠⎞⎜⎝⎛+−2211RvRvRF (D) ⎟⎠⎞⎜⎝⎛+2211RvRvRF 正解：C 第 28 題 某一放大器的電流增益為100，則此放大器電流增益為多少分貝（dB）？ (A) 10 (B) 20 (C) 40 (D) 50 正解：C 第 29 題 設計電晶體差動放大器時，射極共同點接一穩定電流源之主要目的為何？ (A) 增加負回授量 (B) 提高CMRR (C) 增加頻寬 (D) 提高增益+10V7kΩR1R2RC =1kΩ3kΩβF =150RE =2kΩRIN(BASE)v1v2R1R2RFabvoV+V- 正解：B 第 30 題 如圖所示為達靈頓電路，若電晶體Q1 與Q2 之特性同為VBE1 = VBE2 = 0.7V，β1 = β2 = 49，又VCC = 10V，R1 =200 kΩ，R2 = 1 kΩ，則圖中第一級基極電流IB1 約為： (A) 1.6μA (B) 3.2μA (C) 5.2μA (D) 6.4μA 正解：B 第 31 題 下列有關理想運算放大器特性之敘述，何者錯誤？ (A) 輸入電流為零 (B) 輸出電流為零 (C) 二輸入端的電壓差為零 (D) 輸出端可視為一理想電壓源 正解：B 第 32 題 如圖所示之反相放大器電路中，其電壓增益Vo/Vi 為多少dB？ (A) 100 (B) 40 (C) -40 (D) -100 正解：B 第 33 題 若TON、TOFF 分別代表二極體導通與關閉所需要的時間，則下列何者為正確？ (A) TON>>TOFF (B) TON ≈ TOFF (C) TON<