電力工程 98 年電子學大意考古題（共 40 題）
資料來源：考選部歷屆試題｜法律人 LawPlayer 整理
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第 1 題
今對純矽（Si）晶體材料均勻摻雜磷（P）元素，則此矽半導體應屬於那一類的半導體？
(A) 外質（Extrinsic）半導體
(B) P 型半導體
(C) 本質（Intrinsic）半導體
(D) 二元化合物（Binary compound）半導體
正解：A

第 2 題
電荷耦合元件（Charge Couple Device, CCD）由何種基本結構所組成？
(A) 金屬－氧化物－半導體（Metal-Oxide-Semiconductor）
(B) pn 接面
(C) pnp 結構
(D) pnpn 結構
正解：A

第 3 題
對於雙極性接面電晶體工作在截止時，下列有關其接面偏壓狀況之敘述，何者正確？
(A) 集基極接面順向偏壓而且射基極接面順向偏壓
(B) 集基極接面逆向偏壓而且射基極接面順向偏壓
(C) 集基極接面逆向偏壓而且射基極接面逆向偏壓
(D) 集基極接面順向偏壓而且射基極接面逆向偏壓
正解：C

第 4 題
運算放大器電路之串並負回授（Series-Shunt Negative Feedback）對輸入阻抗Ri及輸出阻抗Ro之影響為何？
(A) Ri減少，Ro減少
(B) Ri減少，Ro增加
(C) Ri增加，Ro減少
(D) Ri增加，Ro增加
正解：C

第 5 題
如圖示之電路，當輸出電流為零時，下列敘述何者正確？（二極體導通時之電壓降為0.7 V）3 VVIVOR－+－+
(A) 當VI < 3.7 V, VO＝VI，當VI ≥ 3.7 V, VO＝3.7 V
(B) 當VI < 3.7 V, VO＝VI，當VI ≥ 3.7 V, VO＝0 V
(C) 當VI < 3.7 V, VO＝3.7 V，當VI ≥ 3.7 V, VO＝VI
(D) 當-3.7 V < VI < 3.7 V, VO＝VI，當| VI | ≥ 3.7 V, VO＝3.7 VVDDAY
正解：A

第 6 題
下列關於下圖反相器電路中，電晶體操作區之敘述何者正確？
(A) A＝0 時，PMOS 在飽和區
(B) A＝1 時，PMOS 在截止區（Cut-off Region）或三極區（Triode Region）
(C) A＝1 時，NMOS 關閉
(D) A＝0 時，NMOS 在線性區

第 7 題
一般的雙極性接面電晶體（Bipolar Junction Transistor），其射極（Emitter），基極（Base），集極（Collector）之雜質摻雜濃度以何者最高？
(A) 射極
(B) 基極
(C) 集極
(D) 都一樣高
正解：A

第 8 題
下圖所示之電路，pnp 雙極性接面電晶體（Bipolar Junction Transistor）係工作於何種區域（Region）？RC＝1 kΩRE＝2 kΩV+＝+10 VV－＝－10 V
(A) 截止區（Cut-off Region）
(B) 順向作用區（Forward Active Region）
(C) 逆向作用區（Reverse Active Region）
(D) 飽和區（Saturation Region）
正解：B

第 9 題
有一放大器的-3 dB 頻率為100 Hz 和18 kHz，若其工作於標準測試頻率2 kHz 且為0 dB 時的輸出功率為60 W，則其工作於100 Hz 和18 kHz 時的輸出功率為：
(A) 30 W
(B) 15 W
(C) 42.42 W
(D) 60 W
正解：A

第 10 題
下圖所示為一個n通道增強型（Enhancement Mode）MOSFET共源極電路，其參數值為：VDD＝5 V，ID＝0.1 mA，R1＝30 kΩ，R2＝20 kΩ，RD＝20 kΩ，VTn（臨限電壓）＝1.5 V，此電晶體被偏壓在下列何種工作區？－+VGSVDSR2VGR1IDRDVDD+－
(A) 截止區
(B) 飽和區
(C) 三極區（Triode Region）
(D) 次臨限區（Sub-threshold Region）
正解：B

第 11 題
關於液晶顯示（LCD）的敘述，下列何者錯誤？
(A) 相同解析度之LCD 電視機所需功率較LED 電視機為低
(B) LCD 係靠液晶配向性來控制顯示
(C) LCD 需要一個外加或內部的光源
(D) LCD 不會因化學作用而退化
正解：A

第 12 題
下列何者非主動濾波器之優點？
(A) 輸入阻抗高
(B) 輸出阻抗低
(C) 不需要消耗電力
(D) 對抗外界干擾能力佳
正解：C

第 13 題
下列何種振盪器，可以產生正弦波的振盪輸出電壓？
(A) 柯匹子振盪器（Colpitts Oscillator）
(B) 電壓控制振盪器（Voltage-Controlled Oscillator）
(C) 不穩複振器（Astable Multivibrator）
(D) 雙穩複振器（Bistable Multivibrator）
正解：A

第 14 題
如圖所示的電路方塊圖若是理想振盪器，則其必須符合的條件為何？（註：| A(s)β(s) |及∠ A(s)β(s)分別為A(s)β(s)的大小及相角）A(s)++β(s)
(A) | A(s)β(s) |＝1，∠ A(s)β(s)＝90 度
(B) | A(s)β(s) | < 1，∠ A(s)β(s)＝0 度
(C) | A(s)β(s) |＝1 及∠ A(s)β(s)＝0 度
(D) | A(s)β(s) |＝1 及∠ A(s)β(s)＝180 度可用下列何閘完成？
正解：C

第 15 題
邏輯函數BA +=F
(A) 及（AND）
(B) 反及（NAND）
(C) 或（OR）
(D) 反或（NOR）
正解：B

第 16 題
變容二極體（Varactor）主要是藉由下列何者來改變其電容的大小？
(A) 電壓
(B) 電流
(C) 溫度
(D) 頻率
正解：A

第 17 題
如圖所示之頻率響應的放大器，則此放大器為何種濾波器？增益頻率
(A) 低通
(B) 高通
(C) 帶通
(D) 帶拒
正解：B

第 18 題
如圖所示電路，若C＝100 µF，R＝10 kΩ，Vi＝5 costV，當電路已達到穩態後，則輸出電壓Vo為：RCVi－OPAVo+
(A) 5 sintV
(B) 5 costV
(C) -5 sintV
(D) -5 costV
正解：A

第 19 題
一放大器低頻響應的轉移函數為)25)(100()10()(+++=sssssF，則此放大器低頻3 dB 頻率近似於多少rad/s？L
(A) 0
(B) 10
(C) 25
(D) 100
正解：D

第 20 題
下圖中A為理想運算放大器，若R1＝1 kΩ，R2＝R4＝10 kΩ，R3＝200 Ω，則Vo/Vi為：－+R3AR1R4R2ViVo
(A) -520
(B) -620
(C) -720
(D) -820
正解：A

第 21 題
下列何種元件可將光能轉變為電能？
(A) 發光二極體（Light Emitting Diode）
(B) 雷射二極體（Laser Diode）
(C) 變容二極體（Varactor）
(D) 太陽能電池（Solar Cell）
正解：D

第 22 題
如圖所示，利用二極體及電阻組成數位正邏輯電路，則此為何種邏輯閘？+5 VVAVBVCVDRVO
(A) NAND 閘
(B) AND 閘
(C) NOR 閘
(D) OR 閘
正解：B

第 23 題
當雙極性接面電晶體（Bipolar Junction Transistor）工作於順向作用區（Forward Active Region）時，集極電流仍會隨著集-射電壓VCE的增加而稍微的增加，其原因為何？
(A) 射-基接面空乏區（Depletion Region）寬度增加，造成基極有效寬度變窄
(B) 射-基接面空乏區（Depletion Region）寬度減少，造成基極有效寬度變窄
(C) 集-基接面空乏區（Depletion Region）寬度增加，造成基極有效寬度變窄
(D) 集-基接面空乏區（Depletion Region）寬度減少，造成基極有效寬度變窄
正解：C

第 24 題
某一型態之正反器的特性函數（Characteristic Function）為Q (t＋1)＝A⊕ Q(t)，其中A 為輸入端信號，則此正反器為下述何種型態？
(A) R-S
(B) D
(C) J-K
(D) T
正解：D

第 25 題
當一個放大器要用來放大一個輸入電壓訊號，則該放大器宜具有下列何種特性？
(A) 大的輸入電阻
(B) 小的輸入電阻
(C) 大的輸出電阻
(D) 小的輸出電阻
正解：A

第 26 題
下列有關雙極性接面電晶體（BJT）的敘述，何者錯誤？
(A) 電晶體作為開關時，是在它的截止（Cut-off）與飽和（Saturation）兩個區工作
(B) 電晶體在飽和區時，B-E 和B-C 兩個接面都是逆偏（Reverse-bias）
(C) 電晶體在作用（Active）區時，B-E 接面順偏（Forward-bias），B-C 接面逆偏
(D) 電晶體作為放大器使用時，是在作用（Active）區
正解：B

第 27 題
如圖所示電路，電晶體Q1與Q2有相同特性，若VCC＝15 V，VEE＝-20 V，電阻R1＝R2＝6 kΩ，R3＝R4＝8 kΩ，R5＝5 kΩ，當電晶體Q1與Q2皆為導通時，則輸出之電壓Vo約為何值？VCCV1R1R5VOQ1Q2Q3R4R2V2R3VEE
(A) 12.42 V
(B) 9.42 V
(C) 6.42 V
(D) 3.42 V
正解：B

第 28 題
下圖所示為一主動濾波器，若Ri＝20 kΩ，Rf＝200 kΩ，R1＝1.5 kΩ，C1＝0.02 µF，則其半功率點的頻率為：－－++R1ViC1RfRiVo
(A) 5.3 kHz
(B) 10 kHz
(C) 15.1 kHz
(D) 20.3 kHz
正解：A

第 29 題
如圖所示電路，假設R1＝5 kΩ，R2＝20 kΩ，Vo＝0.2 V，則其輸入抵補電壓（Input Offset Voltage）為多少mV？－+OPAR2R1Vo
(A) 50
(B) 20
(C) 30
(D) 40
正解：D

第 30 題
理想運算放大電路如下圖所示，其輸出電壓Vo應為：－+1 kΩ1 kΩ4 kΩ1 kΩ+Vo10 V－
(A) -6 V
(B) -8 V
(C) -10 V
(D) -12 V
正解：A

第 31 題
在IB保持固定情況下，∆VBE/∆VCE代表雙極性接面電晶體之：
(A) hie
(B) hfe
(C) hre
(D) hoe
正解：C

第 32 題
當五個反相器（Inverters）接成一個環振盪器（Ring Oscillator），若各反相器具有相同之傳播延遲（Propagation Delay）tp，則該環振盪器之振盪頻率為：
(A) 5 tp
(B) 10 tp
(C) 1/(5 tp)
(D) 1/(10 tp)
正解：D

第 33 題
下列對理想放大器特性之敘述，何者錯誤？
(A) 無限大的輸出阻抗
(B) 無限大的電壓增益
(C) 無限大的頻寬
(D) 無限大的輸入阻抗
正解：A

第 34 題
在不影響正常的電路運作下，輸出所能連接之相似電路的最多值，稱之為：
(A) 最大輸出
(B) 最大扇出
(C) 最小輸出
(D) 最小扇出
正解：B

第 35 題
某一電晶體有200 MHz 的單位增益頻寬（unity gain bandwidth），當此電晶體被設計成電壓增益為100 的放大器時，其頻寬約為多少MHz？
(A) 200
(B) 10
(C) 5
(D) 2
正解：D

第 36 題
下圖關於功率（Power）電晶體電路的最大集極電壓為何？Vo24 V8 ΩVi
(A) 0 伏特（V）
(B) 3 伏特（V）
(C) 8 伏特（V）
(D) 24 伏特（V）
正解：D

第 37 題
齊納二極體（Zener Diode）在整流操作時，最主要是利用何種物理機制？
(A) 厄利效應（Early Effect）
(B) 短通道效應（Short-channel Effect）
(C) 崩潰效應
(D) 光伏打效應

第 38 題
一個MOSFET完整的小信號等效電路模型可以如下之等效電路表示，其中gmb是基體調變效應（BodyEffect）所產生的互導（Transconductance）。－+GSvgsCgsCgdDCdbrogmbvbsgmvgsCsbBSDBG今若將接腳S（Source）與接腳B（Body）二者短路，則最正確的等效電路模型為：
(A) gmvgsgmbvbsroCdbDCgdCgsvgsSG+－
(B) gmvgsroCdbDCgdCgsvgsSG+－
(C) gmvgsgmbvgsroCdbDCgdCgsvgsG+－S
(D) gmvgsroDCgdCgsvgsSG+－
正解：B

第 39 題
某一放大器的電壓增益與電流增益皆為10，則此放大器功率增益為多少分貝（dB）？
(A) 10
(B) 20
(C) 40
(D) 50
正解：B

第 40 題
下圖之反相加法電路中，輸出電壓Vo等於：
(A) 15 V
(B) 20 V
(C) 25 V
(D) 30 V20 kΩ5 kΩ5 kΩ3 V2 V－+Vo
正解：B

題目與答案為考試當年公告版本，實務標準請以現行規範為準。