電子工程 101 年電子學大意考古題（共 40 題）
資料來源：考選部歷屆試題｜法律人 LawPlayer 整理
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第 1 題
如下圖所示之差動放大器，其輸出電壓Vo
(A) V1
(B) V2
(C) V1＋V2
(D) V1－V2IC2VCCIC1V1V2RR+-Vo
正解：D

第 2 題
1QQ =2如下圖之MOS差動放大器（Differential Amplifier），，其臨界電壓（Threshold Voltage），爾利電壓（Early Voltage）VV5.0Vt =0VV2G1G==∞→。當A時，若電晶體工作於飽和模式（Saturation Mode），其汲極電流I2D與閘源電壓的關係為GSV)VV(2ItGSD−=(mA)。則輸入之共模電壓（Common-mode Voltage）VCM之最大值可為多大，而仍可維持電晶體工作於飽和模式？
(A) 0.5 V+2V-2VVG1VG2RDRDQ1Q2VsI=1mA
(B) 1 V
(C) 1.5 V
(D) 2 V
正解：C

第 3 題
在材料實驗室新領到MOSFET IC 時，常見到此IC 腳擺置在IC 套管內，其主要目的是：
(A) 增加價值感
(B) 證明它是新品
(C) 避免因靜電而遭破壞
(D) 增加美觀
正解：C

第 4 題
在下列各選項中，那一個選項對MOS電晶體的臨界電壓（Threshold Voltage）V 的影響最小：toxε
(A) 通道的寬長比W/L
(B) 氧化層的介電常數
(C) 氧化層的厚度
(D) 半導體的雜質濃度NoxtGSDvi−
正解：A

第 5 題
某FET 工作在飽和區（Saturation Region），其關係如下圖所示，則此FET 為：
(A) 增強型NMOSiD0VtvGS
(B) 增強型PMOS
(C) 空乏型NMOS
(D) 空乏型PMOS
正解：C

第 6 題
如下圖所示之放大器，若電晶體操作於三極管區（Triode Region），下列何種調整方式可使電晶體進入飽和區（Saturation Region）？VDDR1M1R2VoViVb +-～
(A) 增加R1
(B) 增加Vb
(C) 選用寬長比（W/L）較大之MOSFET
(D) 增加R2
正解：D

第 7 題
如下圖電路，設二極體為理想二極體。則此電路的輸出電壓V 為何？o
(A) 5 V+6V+10V10kΩ10kΩ10kΩ10kΩVo
(B) 4 V
(C) 3 V
(D) 2 V
正解：B

第 8 題
利用三用電錶電阻量測功能來測量二極體，無論測試棒如何接法，指針的指示值均為高值，則表示此二極體的狀況最可能是：
(A) 正常
(B) 短路
(C) 斷路
(D) 無法判斷
正解：C

第 9 題
關於P-N 接面二極體之敘述，下列何者錯誤？
(A) P 型區域為加入三價雜質
(B) N 型區中空乏區離子帶負電
(C) 順向偏壓時擴散電容增加
(D) 逆向偏壓時空乏電容減少
正解：B

第 10 題
下列何者是形成pn 接面位能障礙（Barrier）的主要原因？
(A) 空乏區內的磁場
(B) 空乏區內的電場
(C) 空乏區內的電容
(D) 空乏區內的電感
正解：B

第 11 題
雙極性接面電晶體I逆向電流受環境溫度之影響是：CBO
(A) 溫度每下降1℃時，則增加1 倍
(B) 溫度每上升1℃時，則增加1 倍
(C) 溫度每下降10℃時，則增加1 倍
(D) 溫度每上升10℃時，則增加1 倍
正解：D

第 12 題
如下圖所示放大器，若電晶體操作於主動區（Forward Active Region）假設C 為無窮大且忽略爾利效應（Early Effect），Vi 為輸入，Vo 為輸出，下列敘述何者正確？
(A) 該放大器為反相放大器R1VoVCCViVbIbQC+-～
(B) 增加R1 則增益減少
(C) 增加電流Ib 可增加增益
(D) 增加VCC可減少增益
正解：C

第 13 題
如下圖所示電路，何者提供直流偏壓的負回授？
(A) RB1RB2REVCCRB1RC
(B) RB2
(C) RC
(D) REB、I
正解：D

第 14 題
當一BJT電晶體工作在主動模式（Active-Mode）時，IBC、IE間之大小關係為何？
(C) BCEIII>>EBCIII<<BCEIII==
(D) CEBIII<<
正解：A

第 15 題
雙極性接面電晶體（BJT）中，下列那種電路組態其輸出阻抗最小？
(A) 共基極組態
(B) 共射極組態
(C) 共集極組態
(D) 射-基極組態
正解：C

第 16 題
共射極（CE）放大器的高頻響應較差，其主要原因為：
(A) 爾利效應（Early Effect）
(B) 通導長度調變效應（Channel Length Modulation Effect）
(C) 溫度效應（Temperature Effect）
(D) 米勒效應（Miller Effect）40=β
正解：D

第 17 題
如下圖所示之電路，若BJT操作在主動區（Forward Active Region），轉導值(gm)為10 mA/V，，若忽略元件之輸出阻抗，試求)r( o=io V/V？VoVCCQViVb+-1kΩ10kΩ
(A) 10/11
(B) 82/83
(C) 400
(D) 410
正解：B

第 18 題
如下圖的共射（CE）放大器，設電晶體工作於主動模式（Active Mode），其小訊號參數、、及輸出電阻均為已知，各外加電容均極大。若電晶體之mgerπriovvvA ≡or∞→or1≅α為：，，則電壓增益
(A) BmRg
(B) BC RR /+VCCViRBCEVoRCI-VEE
(C) πrRC /
(D) TC VIR /∞=oA
正解：D

第 19 題
如下圖所示之理想運算放大器電路，其中，求輸出電壓為何？
(A) -2V2V6V2RR2R+-AoVout
(B) -6V
(C) -10V
(D) -12V
正解：C

第 20 題
有一放大器電路如下圖所示，放大器為理想的運算放大器，其輸出電壓範圍侷限在+10 V 與-10 V之間，二極體順向電壓。若電阻1U1DV7.0V 0D =kΩ1R1 =V5V1 =，交流電源，試問節點C 的輸出電壓應落在下列何範圍內？CV
(A) CVV0.5≤
(B) V5VV5.4C <≤BAI01I02R1V1U1D1C+-～+-123
(C) V5.4VV0.4C <≤
(D) V0.4VC <
正解：A

第 21 題
下圖中電路的放大器為一理想運算放大器，此電路的輸入電阻為何？
(A) 10 kΩ
(B) 30 kΩViVo50kΩ20kΩ10kΩ+-
(C) 60 kΩ
(D) 80 kΩ
正解：A

第 22 題
下圖中為一轉阻放大器，其電壓輸出為何？oV
(A) -2 V2kΩ5kΩ1mAVo+-
(B) 2 V
(C) -5 V
(D) 5 V2/5.021VmALWCoxn=μ0=γ
正解：A

第 23 題
如下圖所示之電路，其MOS 電晶體參數：，，VVTN4.0=0=λ，；假如，V3.3=φVvI3.3=，求準穩態（quasi steady-state）輸出電壓為何？
(A) 2.4 VCL=1 pFvovIφφφ
(B) 2.9 V
(C) 3.3 V
(D) 3.6 V
正解：B

第 24 題
有一邏輯閘電路如下圖所示，其中數位邏輯閘使用整個電路相同的電源與接地，但並未顯示於此電路圖中，而且輸入電壓大致以為高低準位的判斷界限。設NOR 閘、的延遲時間DDV2/VDD1U2UNORτ遠小於電阻R 電容C 所組成的時間常數RCRC =τ，今於A 點輸入一脈波如下圖所示，其中1 代表高準位，0 代表低準位，此脈波在第Ⅱ區的寬度RCtτ>>。試研判針對輸出Y 的波形何者描述最為可能？tA100ⅠⅡⅢ
(A) Y 在第Ⅰ、Ⅲ區為穩定的低準位輸出
(B) Y 在第Ⅰ、Ⅲ區為穩定的高準位輸出
(C) Y 在第Ⅱ區為穩定的低準位輸出AU1V1RCXVDDBYU2
(D) Y 在第Ⅱ區為穩定的高準位輸出
正解：D

第 25 題
下圖電路為一個使用增強型PMOS 及NMOS 所組成之邏輯閘電路，請問此電路所實現之輸出Y 為何？
(A) D)BCA(Y+=
(B) D)CB(AY++=VDDADBCYD)BCA(Y+=
(C) D)CB(AY++=
正解：C

第 26 題
下圖CMOS 邏輯閘的輸入端為A 和B，輸出Y 以正邏輯表示為何？
(A) ABY =
(B) BAY+=YABBAABY =
(C) BAY+=
正解：D

第 27 題
有一BJT，其β=100，已知在室溫下熱電壓VT=25mV，IC=1mA，則該BJT之小訊號參數rπ值為：
(A) 25Ω
(B) 250Ω
(C) 2.5kΩ
(D) 25kΩ
正解：C

第 28 題
在BiCMOS 的數位電路中，使用BJT 電晶體是基於它的那一個優點？
(A) 低消耗功率
(B) 高輸入阻抗
(C) 寬雜訊邊界
(D) 高電流驅動能力
正解：D

第 29 題
下列那一種記憶體在儲存資料設定後不會再更改？
(A) ROM
(B) DRAM
(C) SRAM
(D) Flash Memory
正解：A

第 30 題
下圖為交換電容積分器電路（Switched-Capacitor Integrator），已知為理想運算放大器，1Φ1U與2Φ 為不重疊的雙相時脈（Nonoverlapping Two-Phase Clock），用來控制電晶體的開關狀態。若欲獲得反相輸出，試問、與C 之時脈如何規劃？41M~MABC2
(A) 2AΦ=；1BΦ=；2CΦ=
(B) 2AΦ=；2BΦ=；1CΦ=
(C) 1AΦ=；2BΦ=；2CΦ=
(D) 1AΦ=；1BΦ=；2CΦ=
正解：B

第 31 題
一維持工作於飽和模式（Saturation Mode）的MOSFET，若其過驅電壓（Overdrive Voltage）VOV增為兩倍，則其汲極電流ID會如何變化？
(A) 增為4 倍
(B) 增為2 倍
(C) 減為一半
(D) 減為四分之一
正解：A

第 32 題
下圖中高通濾波器運算放大器電路，下，其高頻增益為15，低頻響應之角頻率kΩ20R1 =)(ω為5×103 rad/s，試求及值為何？2RC
(A) ，kΩ280R 2 =nF10C =
(B) ，kΩ300R 2 =nF10C =
(C) ，kΩ280R 2 =pF10C =
(D) ，kΩ300R 2 =pF10C =
正解：B

第 33 題
如下圖所示之理想運算放大器振盪電路，mHL1=，C1 = C2 = 30pF，若不考慮對回授網路之負載效應，當電路振盪時其振盪頻率為何？1R
(A) 0.6 MHz
(B) 0.9 MHz
(C) 1.3 MHz
(D) 1.9 MHzR2R1ViVoC-+R2R1VoLC1C2+-Φ1Φ2Φ1CCV1iU-1I02I01M1M4M2M32+3+V1o-～AVB1nF1=C
正解：C

第 34 題
下圖振盪器電路中，若、kΩ1001 =RkΩ2002 =RkΩ1003 =R，則振盪頻率約為多少？、及
(A) 530 Hz-++-R2R3R1VoC--++
(B) 1.5 kHz
(C) 5 kHz
(D) 10 kHz100=βmA.IC8380=
正解：C

第 35 題
如下圖所示之電路，假設BJT 電晶體操作在順向主動區，，，mVVT26=，，，忽略爾利（Early）效應以及其它電容效應，求輸入端之-3 dB 頻率為何？pF3=μCpF24C=π
(A) 123 MHzVinVoRLRCRBCB→∞CC2→∞CC1→∞10kΩ-10V+10V1kΩ
(B) 223 MHz
(C) 323 MHz
(D) 423 MHz
正解：B

第 36 題
如下圖所示之電路，假設BJT 電晶體操作在順向主動區，忽略爾利（Early）效應與元件內之極間電容效應，假使此BJT 之轉導（transconductance）為70 mA/V，100=β，求此電路之轉折（corner）頻率為何？VCCVoRC50kΩ10kΩ1μFVin
(A) 131 Hz
(B) 231 Hz
(C) 331 Hz
(D) 431 Hzfjjsπω2==
正解：A

第 37 題
有一放大器電路的轉移函數（Transfer Function）F(s) 如下所示，其中：⎟⎠⎞⎜⎝⎛×+⎟⎠⎞⎜⎝⎛×+×−=435104110611021)(πππssssF試問此轉移函數可能的頻率響應特性為何？
(A) 高通響應（High-Pass Response）
(B) 低通響應（Low-Pass Response）
(C) 帶通響應（Band-Pass Response）
(D) 帶斥響應（Band-Reject Response）
正解：B

第 38 題
下圖中、kΩ11 =RkΩ12 =R、。則此電路之-3 分貝頻率約為多少？μF11 =C
(A) 40 HzR1C1ViVoR2+-
(B) 80 Hz
(C) 120 Hz
(D) 160 Hz
正解：B

第 39 題
如下圖為一MOSFET 共源極架構放大器，下列何者是其高-3 dB 頻率？VDDR
(A) )))||(1((1LomgsgdsigRrgCCR++
(B) )))||(1((1LomgdgssigRrgCCR++
(C) ))R||r(g1)(CC(R1Lomgdgssig++
(D) ))R||r(g/1)(CC(R1Lomgdgssig++
正解：B

第 40 題
如下圖所示之電路，若MOSFET操作在飽和區（Saturation Region）且轉導值為1 mA / V。若忽略元件之輸出阻抗，為V)g(m)r( ooVo+及Vo-間之壓差，為ViVi+及Vi-間之壓差，試求Vo / Vi =？
(A) 10/3
(B) 20/3
(C) 5
(D) 10-VSSVi-Vo +Vi +Vo-VDD10kΩ10kΩ1kΩ1kΩ2kΩ20kΩVoDCC2CSRGIRsigCC1Vsig +-RL
正解：A

題目與答案為考試當年公告版本，實務標準請以現行規範為準。