電子工程 101 年電子學考古題（共 5 題）
資料來源：考選部歷屆試題｜法律人 LawPlayer 整理
https://lawplayer.com/exam/electronic-engineering/101-electronics

第 1 題
如圖為一共射（CE）放大器，電晶體之β = 100，爾利電壓（Early voltage）VA = 100 V；
VCC = VEE = 10 V，RB = 100 kΩ，R
B
C = 6 kΩ，Rsig = 5 kΩ，RL = 5 kΩ；I = 1.01 mA。
取熱電壓VT = 25 mV。
㈠試加以直流分析，取VBE(on) = 0.7 V，求IE、IB、I
B
C、VB
B、VE、VC之值。（6 分）
㈡試求小訊號參數gm、rπ、re及ro之值。（8 分）
㈢列出電壓增益Av ≡ vo/vi及Gv ≡ vo/vsig的表示式。（6 分）

VCC
＋

－

－

＋

RC CC2
B
vc
L
vo
CC1
vi
vsig

第 2 題
如圖為一共源（Common source）放大器，該NMOS電晶體之臨限電壓（Threshold
voltage）Vt = 1 V，gm = 1 mA/V，不計輸出電阻，即ro →∞，I = 1 mA，VDD = 15 V，
Rsig = 100 kΩ，RG = 1 MΩ，RD = 10 kΩ，RL = 10 kΩ。
㈠求源極電壓VS的直流值。（4 分）
㈡求電壓增益Av ≡ vo/vi及Gv ≡ vo/vsig的值（視各C為短路）。（6 分）
㈢若RD值可調變，求可使電晶體維持操作於飽和區的RD最大值。（5 分）
㈣求CS至少應多大，使此放大器之低-3 dB頻率ωL = 100 rad/sec（不計CC1、CC2之效
應）。（5 分）

R
Rsig
R
CE
I
−VEE
(∞)
(∞)
(∞)
−VSS
VDD
RL
vo
CC2
RD
vd
CC1
Rsig
vsig
－

＋

vi
VS
RG
CS
＋

－

I
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試法務部調查局調查人員考試、101年公務人員特種考試國家安全
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試、101年公務人員特種考試經濟部專利商標審查人員考試試題
考 試 別： 專利商標審查人員
類 科 組： 電子工程

第 3 題
如圖電路，Qn與Qp均為增強型MOS電晶體，其臨界電壓Vtn = |Vtp| = 1 V，其輸出電
阻ro均為∞。當工作於飽和區（Saturation Region）之汲極電流iDn與iDp分別為：
iDn = 0.5 × (VGS − Vtn)2(mA)：此VGS為Qn之VGS。
VDD
VG
＋
－

－

＋

vi
vo
Qp
iD
Qn
iDp = 0.5 × (VSG − |Vtp|)2(mA)：此VSG為Qp之VSG。
VDD = 8 V，VG = 3 V。
㈠求vi之值，使Qn、Qp均工作於飽和區，此時之iD =？vo
=？（8 分）
㈡當vi = 3 V時，求iD =？此時Qn、Qp分別工作於何種
工作區？（6 分）
㈢當vi = 6 V時，求iD =？此時Qn、Qp分別工作於何種
工作區？（6 分）

第 4 題
如圖的差動放大器電路，電晶體之β = 100，輸出電阻ro →∞。取熱電壓VT =25 mV。求：
㈠由BB1、B2
B 看的輸入差動電阻（Input Differential
Resistance）Rid之值。（6 分）
㈡整體差動電壓增益（Overall Differential Voltage Gain）
vod/vsig之值。（8 分）
RC = 5 kΩ
B2
＋

－

－

＋

＋

－

+15 V
－

＋

vod
B1
Q1
Q2
vid
Rid
Rsig/2 = 3 kΩ
vsig/2
vsig/2
Rsig/2 = 3 kΩ
RE =100 Ω
RE =100 Ω
RC = 5 kΩ
REE =100 kΩ
I = 2 mA
㈢若兩集極電阻間有±1%的精確度誤差，則在最壞情況
下（
02
.0
=
Δ
C
C
R
R
），其共模增益（Common-Mode
Gain）|Acm|有多大？（6 分）（為簡化計算，取
1
α－~ ，
）
EE
E
e
R
R
r
2
<<
+

第 5 題
㈠如圖為一CMOS 邏輯閘電路，試列出其輸出Y 的布
林函數式（以正邏輯表示）。（10 分）
VDD
C
D
A
B
A
Y
C
D
B
㈡若
)
(
DE
C
B
A
Y
+
+
=
，試繪其CMOS 邏輯閘電路。
（10 分）

題目為考試當年公告版本，實務標準請以現行規範為準。