電子工程 102 年半導體工程考古題（共 6 題）
資料來源：考選部歷屆試題｜法律人 LawPlayer 整理
https://lawplayer.com/exam/electronic-engineering/102-%E5%8D%8A%E5%B0%8E%E9%AB%94%E5%B7%A5%E7%A8%8B

第 1 題
請繪出正三角形晶格（Lattice）之維格納-塞茨晶胞（Unit cell）。（10 分）

第 2 題
半導體材料中的載子濃度（no）和溫度倒數（1000/T）的關係如圖所示。今有某n
型半導體材料，其摻雜元素能階在導帶下方0.05 eV，若將摻雜元素更換為能階在
導帶下方0.1 eV 的元素，請問㈠高溫本質區（Intrinsic）的濃度是否改變？㈡雜質區
（Extrinsic）轉換為游離區（Ionization）的溫度是否改變？請說明理由。（20 分）

第 3 題
假設影響載子遷移率的散射因素只有三種，各單獨因素造成的載子遷移率分別為
1000, 500, 200 cm2/V-sec，請計算實際的載子遷移率。（10 分）

第 4 題
某半導體之能隙為1 eV，p 型費米能階在價帶上方0.3 eV，n 型費米能階在導帶下
方0.1 eV，請畫出結合成p-n 接面後的能帶圖，並標示接面處的電場方向。又內建
電位差（Build-in potential）是多少？（20 分）

第 5 題
請說明金氧半場效電晶體（MOSFET）的汲極電流-汲極電壓特性的線性區和飽和區
的形成原因。（10 分）
六、光學微影製程的解析度和焦距深度都和數值孔徑（Numerical aperture）有關，請以
圖示說明當數值孔徑增大時，解析度變好但是焦距深度變差的原因。（20 分）
七、電子束蒸鍍（E-beam evaporation）和濺鍍（Sputter deposition）的階梯覆蓋能力，何
者較佳？為甚麼？（10 分）
ni
0
2
4

第 6 題
8
10
12
Extrinsic
Intrinsic
Ionization
1000/T (K)-1
no (cm-3)

題目為考試當年公告版本，實務標準請以現行規範為準。