電子工程 102 年電子學大意考古題（共 40 題）
資料來源：考選部歷屆試題｜法律人 LawPlayer 整理
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第 1 題
若P-N 接面二極體之導通電壓為0.7 V，且導通電阻值為0 Ω。關於以下電路之敘述，何者正確？
(A) 若A, B 點電壓皆為5 V，則電阻電流為0.7 mA
(B) 若A 點電壓為5 V，B 點電壓為4 V，則電阻電流為0.3 μA
(C) 若A, B 點為邏輯準位輸入，其布林函數為Vout = A + B
(D) 若A 點電壓為5 V，B 點電壓為0.3 V，則電阻電流為4 mA
正解：D

第 2 題
分析圖中之電路，若運算放大器為理想，且Vi = 4 V，則輸出電壓Vo 約為何？
(A) 8 V
(B) 6 V
(C) 4 V
(D) -6 V
正解：D

第 3 題
圖中理想運算放大器電路的輸出電壓Vo 為何？
(A) 3V1 + 2V2
(B) 2V1 + 3V2
(C) 6V1 + 4V2
(D) 4V1 + 6V25VABVout1kΩ1kΩ1kΩ6V-6VVoVi+-8kΩ-+2kΩ2kΩ3kΩ2kΩV1V2Vo
正解：B

第 4 題
下圖數位邏輯電路，輸出F 為何？
(A) F =BA+BA
(B) F =BA+ AB
(C) F =BA+BA
(D) F =BA+ AB
正解：A

第 5 題
下圖的符號為何？
(A) 加強型（enhancement）NMOSFET
(B) 空乏型（depletion）NMOSFET
(C) 加強型（enhancement）PMOSFET
(D) 空乏型（depletion）PMOSFET
正解：B

第 6 題
一匹配的CMOS 反相器，kn = 800 μA/V2，輸出總電容為200 fF，當操作電源為5 V 時，高準位至低準位的傳播延遲時間（propagation delay）為何？（f = 10-15）
(A) 20 ps
(B) 40 ps
(C) 80 ps
(D) 100 ps
正解：C

第 7 題
某0.25 μm 製程中，MOSFET 元件通道長度均為L = 0.25 μm，假設電子對電洞的遷移率比μn/μp = 3，要使CMOS 反相器具有對稱的轉移特性，通道的寬度比Wn/Wp 應為多少？
(A) 3
(B) 1/3
(C) 9
(D) 1/9
正解：B

第 8 題
下列有關發光二極體（LED）特性的敘述，何者錯誤？
(A) 發光是操作在順向偏壓
(B) 是少數載子彼此在空乏區內復合發出光線
(C) 一般LED 可由GaAs, GaAsP, AlGaAsP, GaN 材料所製
(D) 也是新一代的照明裝置
正解：B

第 9 題
有關積體電路設計的趨勢，下列敘述何者錯誤？
(A) 使用大電容以消除雜訊
(B) 避免使用大電阻
(C) 降低零件的尺寸大小
(D) 低電壓電源
正解：A

第 10 題
在負（n）型半導體材料中，主要的電流傳導載子是：
(A) 離子
(B) 電子
(C) 電洞
(D) 原子ABF
正解：B

第 11 題
如圖振幅限制器（Limiter）電路，U1 為理想運算放大器，假設二極體導通電壓VD0 = 0.7 V。已知V = 15 V、R1 = 40 kΩ、Rf = 60 kΩ、R2 = 9 kΩ、R3 = 3 kΩ、R4 = 3 kΩ、R5 = 9 kΩ。對於輸出與輸入電壓之間的轉移特性，下列曲線何者較正確？

第 12 題
圖示整流電路，若交流電vS 之有效值電壓為10 Vrms，二極體導通時的壓降VD 為0.7 V，則vO 的電壓平均值約為若干？
(A) 6 V
(B) 8 V
(C) 10 V
(D) 16 VD1D2U1RfR1R2R3R4R5+V-VvAvOvBvI-+vOvIvIvOvOvOvIvIABBAABBAacvSvO+--+
正解：B

第 13 題
如圖所示之電路，設二極體皆為理想，則有關此電路之敘述，下列何者正確？
(A) C2 的耐壓為Vm
(B) C4 的耐壓為2 Vm
(C) D4 的峰值反向電壓為2 Vm
(D) 此電路為半波四倍壓電路
正解：C

第 14 題
如圖的二極體電路，二極體D1、D2 具有相同之特性。輸出電壓VO 的值為：
(A) -10 V
(B) 0 V
(C) 2 V
(D) 10 V
正解：B

第 15 題
如圖電路中，D1 與D2 均為理想二極體。當VI = -5 V 時，VO 的值為：
(A) -5 V
(B) -3 V
(C) +2 V
(D) +10 V
正解：B

第 16 題
有一放大器電路如下圖所示，放大器U1 為理想運算放大器。二極體D1 順向電壓VD0 = 0.7 V。若電阻R1 = 1 kΩ，交流電源V1 = -5 V，試問節點B 的電壓VB 應落在下列何範圍內？
(A) VB≥-4.0 V
(B) -4.0 V > VB ≥-4.5 V
(C) -4.5 V > VB ≥-5 V
(D) -5.0 V > VBD1D2D4D3C1C2C3VO+-+-vs=VmsinωtD1D210V-10VVO10kΩ15kΩ+10V2kΩVOD1D21mAVIV1U1D1R1CBA-++-～C4
正解：C

第 17 題
二極體崩潰時會產生大的逆向電流，其主要原因有：
(A) 霍爾效應（Hall Effect）與通道長度調變效應（Channel Length Modulation Effect）
(B) 本體效應（Body Effect）與爾利效應（Early Effect）
(C) 齊納效應（Zener Effect）與雪崩效應（Avalanche Effect）
(D) 米勒效應（Miller Effect）與溫度效應（Temperature Effect）
正解：C

第 18 題
如圖所示為一共閘（CG）放大器（偏壓電路未繪示），電晶體之ro → ∞，gm = 1 mA/V。若RS = 0.5 kΩ，RD = 3 kΩ，則此放大器之電壓增益VO/VI 為何？
(A) 2 V/V
(B) 3 V/V
(C) 6 V/V
(D) ∞
正解：A

第 19 題
在MOS 電晶體的小訊號模型中，輸出電阻rO與汲極電流ID 的關係為：
(A) rO∝ID
(B) rO∝DI1
(C) rO∝DI1
(D) rO與ID 無關
正解：B

第 20 題
在共射極放大器中，因為那一項等效或實際的電路元件之存在，使得放大器不能被視為理想的單向放大器（Unilateral amplifier）？
(A) 射極電阻
(B) 信號輸入端的耦合電容（Coupling Capacitor）
(C) 集極和射極間的輸出電阻（ro）
(D) 基極和集極間的空乏區電容（CBC）
正解：D

第 21 題
在共射（CE）、共基（CB）、共集（CC）、疊接（Cascade）放大器組態中，具有最大輸出電阻的是：
(A) 共射放大器
(B) 共基放大器
(C) 共集放大器
(D) 疊接放大器
正解：D

第 22 題
有一MOSFET 其臨界電壓為Vt，爾利（Early）電壓為VA，當正好工作於三極體區（Triode Region）與飽和區（Saturation Region）之交界時，下列何者正確：
(A) VGS = Vt
(B) VGD = Vt
(C) VDS = VGS + Vt
(D) VDS = VGS - VA
正解：B

第 23 題
當一MOS 電晶體操作於飽和模式（saturation-mode）時，其汲極電流ID 與電晶體之過驅電壓（overdrivevoltage）Vov 的關係為：
(A) ID 正比於1/Vov
(B) ID 與Vov 無關
(C) ID 正比於Vov
(D) ID 正比於Vov2
正解：D

第 24 題
若MOSFET 電晶體操作於飽和區，下列敘述何者錯誤？
(A) 相同過驅電壓（overdrive voltage）條件下，其轉導值（transconductance）與寬長比（W/L）成正比
(B) 輸出阻抗與導通電流約成反比
(C) 閘極電容與寬長比（W/L）成正比
(D) 相同電流條件下，其轉導值（transconductance）與過驅電壓（overdrive voltage）成反比+VDDGVOVIRS=0.5 kΩRD=3 kΩ
正解：C

第 25 題
圖示電路中場效電晶體FET 之Vt = -1 V、μPCox(W/L) = 0.5 mA/V2，若電壓VD 為3 V，則電阻RD 應為若干kΩ？
(A) 4
(B) 6
(C) 12
(D) 24
正解：C

第 26 題
圖為單端輸出差動放大器（Differential Amplifier）。其中RE = 4.3 kΩ，RC1 = RC2 = RE/2，VCC = -VEE = 5 V，電晶體的β 為100，放大器的輸入共模（Common Mode）電壓為0 V。則差動放大器的共模電壓增益（Common Mode Voltage Gain）約為：
(A) 1.0
(B) 0.5
(C) 0.25
(D) 0.125
正解：C

第 27 題
如圖所示之電路，若MOSFET 操作在飽和區（Saturation Region），下列何種方式無法提升放大器之單一增益頻寬（Unity Gain Bandwidth）？
(A) 降低C 值
(B) 降低R 值
(C) 選用寬長比（W/L）較大之電晶體
(D) 增加VbRDVD+5VRC1RC2VCCVEEVI+VI-VOQ1Q2REVDDRCVoViVbM1+-
正解：B

第 28 題
圖示電路中的電容CE 有何功用？
(A) 提升輸入阻抗
(B) 提升電壓增益
(C) 濾去高頻雜訊
(D) 頻率補償
正解：B

第 29 題
一個工作在主動模式（active mode）之BJT，其爾利電壓（Early Voltage）為25 V，IC = 2.5 mA，則其輸出電阻rO 之值約為：
(A) 0.1 kΩ
(B) 1 kΩ
(C) 10 kΩ
(D) 100 kΩ
正解：C

第 30 題
放大器在-3 dB 頻率時，其功率增益為在中頻段功率增益的多少倍？
(A) 1.414
(B) 0.707
(C) 0.636
(D) 0.5
正解：D

第 31 題
下列那一種振盪器之頻率穩定性最高？
(A) RC 相移振盪器
(B) 韋恩電橋振盪器
(C) 考畢子振盪器
(D) 石英晶體振盪器
正解：D

第 32 題
分析以下之電路，若BJT 操作在順向主動區（forward active region）且轉導值gm為10 mA/V，β = 10，MOSFET 之轉導值gm = 1 mA/V，忽略元件之輸出阻抗ro，試求整體轉導增益Io/Vi？
(A) 100/11 mA/V
(B) 1000/11 mA/V
(C) 11 mA/V
(D) 100 mA/V
正解：A

第 33 題
如圖所示之電路，假設電晶體操作在飽和區，忽略電晶體輸出電阻，ID = 1 mA，CGS = 50 fF，CGD = 10 fF，CDB = 15 fF，且VGS-VTH = 200 mV，採用米勒（Miller）趨近法，求位於Vo 端之極點頻率為何？（f = 10-15）
(A) 2.12 GHz
(B) 4.12 GHz
(C) 6.12 GHz
(D) 8.12 GHz+VCC-VEERLRCCERBvsigRsig+-voVDDIoVi10kΩVDD1kΩ200ΩVoVinG
正解：C

第 34 題
差動放大器中的共模斥拒比CMRR（Common-mode rejection ratio）愈大，則表示：
(A) Ad 愈小，Acm愈大
(B) 該差動放大器愈差
(C) 愈易消除雜訊
(D) 電流源輸出電阻R0 與CMRR 值無關
正解：C

第 35 題
圖中為一共射級架構的放大器電路，考慮其低頻響應，電容CE 所造成的極點頻率為何？
(A) 1/CE/rπ
(B) 1/ CE/(rπ+(RB||Rsig)/(β+1))
(C) 1/ CE/re
(D) 1/ CE．(re+(RB||Rsig)/(β+1))
正解：D

第 36 題
某NMOS 場效電晶體電路，電晶體之Vt = 1 V、μnCox (W/L) = 1 mA/V2、電容Cgs = 8 fF、Cgd = 2 fF，且ID = 0.125 mA，則其單一增益頻率（unity-gain frequency）約為若干rad/s？（f = 10-15）
(A) 1 G
(B) 10 G
(C) 50 G
(D) 100 G
正解：C

第 37 題
如圖所示為達靈頓（Darlington）電路，若電晶體Q1與Q2之特性同為VBE1 = VBE2 = 0.7 V，β1 = β2 = 50，又VCC = 10 V，R1 = 100 kΩ，R2 = 3 kΩ則電流增益值AI =B1E2II為何？
(A) 50
(B) 51
(C) 
(D) 
正解：D

第 38 題
一內部補償的運算放大器其直流開路增益為106，在1 MHz 時交流開路增益為60 dB，其3 dB 頻率為何？
(A) 0.1 kHz
(B) 1 kHz
(C) 10 kHz
(D) 100 kHz
正解：B

第 39 題
一BJT 電晶體β = 100 操作在IC = 2 mA，其電容為Cπ = 8 pF、Cμ = 2 pF，求其3 dB 頻率ω。
(A) 2 × 107 rad/s
(B) 4 × 107 rad/s
(C) 8 × 107 rad/s
(D) 1 × 108 rad/s
正解：C

第 40 題
某三級串接放大器如下圖所示，若其電壓增益分別為AV1 = 50，AV2 = 100，AV3 = 200，試求總電壓增益為多少dB？
(A) 80 dB
(B) 100 dB
(C) 120 dB
(D) 150 dB第一級第三級第二級輸入輸出RCVCC-VEECC2CERLVORBCC1RsigVsig -+IR2VCCR1CiViIB1IE1=IB2Q1Q2IE2IC2CoVoAV1=50AV2=100AV3=200
正解：C

題目與答案為考試當年公告版本，實務標準請以現行規範為準。