電子工程 103 年電子學大意考古題（共 40 題）
資料來源：考選部歷屆試題｜法律人 LawPlayer 整理
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第 1 題
雙極性接面電晶體（BJT）放大器的下列組態中，何者的輸出電阻較小？ (A)CE 組態
(B)CB 組態
(C)CC 組態
(D)疊接（cascode）組態
(B) CB 組態
(C) CC 組態
(D) 疊接（cascode）組態
正解：C

第 2 題
有一BJT 電晶體之集極電流為4.9mA，射極電流為5mA，求此電晶體之β 約為多少？ (A)4.9 (B)49 (C)99 (D)999

第 3 題
下列關於雜訊邊界的描述何者正確？ (A)絕對雜訊邊界定義為高邏輯邊界與低邏輯邊界二者中的最大者 (B)雜訊邊界愈大表示邏輯電路抗拒雜訊能力愈強 (C)雜訊邊界表示輸入訊號的最大值 (D)雜訊邊界會隨輸入電壓而改變

第 4 題
CMOS 反相器的操作電壓為3V，輸出端等效電容為10fF，當操作在500MHz 時，其動態功率消耗為多少？ (A)15 μW (B)45 μW (C)75 μW (D)135 μW

第 5 題
P 通道MOSFET 導通時之傳導電荷載子是： (A)電子
(B)多數載子為電子，少數載子為電洞 (C)電子與電洞數各一半
(D)電洞
(B) 多數載子為電子，少數載子為電洞 (C)電子與電洞數各一半
(D) 電洞
正解：D

第 6 題
欲將矽質BJT 電晶體改為齊納（Zener）二極體使用，通常應將E、B、C 三個引線腳中之那一腳剪掉不用？ (A)E (B)B (C)C (D)任一腳均可

第 7 題
下列何種效應對崩潰二極體所造成的崩潰電壓較大？ (A)爾利效應（Early Effect） (B)雪崩效應（Avalanche Effect） (C)米勒效應（Miller Effect） (D)齊納效應（Zener Effect）20022002sQssaVVsTIo200202sQssaVVsTIo20020sQssaVVsTIo200201sQsaVVsTIo

第 8 題
在室溫下的熱電壓VT 的值約為多大： (A)25 mV (B)0.3 V (C)0.7 V (D)1 V

第 9 題
整塊N 型半導體在熱平衡時之總電荷是呈現： (A)負電性
(B)正電性
(C)電中性
(D)視雜質原子之原子序而定
(B) 正電性
(C) 電中性
(D) 視雜質原子之原子序而定
正解：C

第 10 題
考慮一低通（low-pass）濾波器之截止帶（stopband）的傳輸不大於通帶（passband）傳輸的1%，求其最小所需截止帶傳輸Amin.： (A)3 dB (B)10 dB (C)20 dB (D)40 dB

第 11 題
調諧放大器（Tuned Amplifier）是何種濾波器？ (A)高通 (B)帶通 (C)低通 (D)帶拒

第 12 題
若一BJT 放大器之驅動電晶體，是由一共射（Common-Emitter）電晶體的集極接一共基（Common-Base）電晶體的射極所構成，則此放大器為： (A)達林頓（Darlington）放大器 (B)疊接（Cascode）放大器 (C)差動（Differential）放大器 (D)運算（Operational）放大器

第 13 題
雙極性接面電晶體（BJT）中雜質摻雜濃度最高者一般為： (A)集極 (B)基極 (C)射極 (D)閘極

第 14 題
某兩級串接放大器，各級電壓增益分別為20 dB 和40 dB。若第一級放大器輸入端加入峰值為2 mV的訊號，在不失真情況下，第二級之輸出訊號的峰值為多少？ (A)400 mV (B)800 mV (C)2 V (D)8 V

第 15 題
下列何者為帶通濾波器（Band Pass Filter）電路轉移函數（Transfer Function）的數學表示式？

第 16 題
通常半波整流電路，最少需搭配使用幾個二極體？ (A)1 個 (B)2 個 (C)3 個 (D)4 個

第 17 題
齊納二極體（Zener Diode）主要常應用於何種電路？ (A)整流 (B)穩壓 (C)開關 (D)放大

第 18 題
下列關於非穩態（astable）複振器的描述何者錯誤？ (A)沒有穩態的存在
(B)有兩個非穩態
(C)需要訊號持續進行觸發  (D)可作為方波產生器
(B) 有兩個非穩態
(C) 需要訊號持續進行觸發  (D)可作為方波產生器
正解：C

第 19 題
MOSFET 單級放大器架構中，小訊號特性電壓增益接近於1 是那種？ (A)共源極
(B)共汲極
(C)共閘極
(D)具有源極電阻之共源極
(B) 共汲極
(C) 共閘極
(D) 具有源極電阻之共源極
正解：B

第 20 題
如圖所示反相放大器（Inverting Amplifier），其中電容C 與電阻R3為抑制運算放大器的輸入偏移電壓（Offset Voltage，Vos）與輸入偏置電流（Input Bias Current，IB）造成輸出的偏移電壓影響，則下列何者錯誤？ (A)低頻3 dB 頻率為：1/2π R1C (B)R3=R1R2/（R1+R2） (C)高頻電壓增益（Vo / VIN）為：-R2/R1 (D)高頻輸入阻抗為：R1

第 21 題
如圖所示為電阻R1、R2、R3，以及運算放大器組成的電壓放大器。R3 的作用使運算放大器的輸入偏置電流（Input Bias Current）在輸出所產生偏移電壓（Offset Voltage）有效降低。若R2=60 kΩ 、R3=10 kΩ ，則R1 的電阻值為： (A)8 kΩ  (B)10 kΩ  (C)12 kΩ  (D)15 kΩ

第 22 題
如圖所示，電路U1 為理想運算放大器。假設二極體導通電壓VD0=0.7 V。已知電阻R1=1 kΩ 、R2=2 kΩ 。當vI =5 V 時，輸出電壓vo 約為多少？ (A)4 V (B)3 V (C)2 V (D)0 VR2R1R3VINCVOR2VOR3R1VINR2R1D1D2U1vIvO+－

第 23 題
如圖電路，設二極體為理想二極體。則通過二極體之電流I 為何？ (A)0.1 mA (B)0.5 mA (C)0.75 mA (D)1.25 mA

第 24 題
有關下圖電路的特性敘述，何者錯誤？ (A)這是一個半波整流電路 (B)Vo 可以輸出Vi 兩倍峰值電壓 (C)是一個倍壓電路 (D)若C1 及C2 夠大，漣波電壓就會相當小

第 25 題
如圖所示之電路，其中二極體VD,on =0.7 V，電晶體VBE(on) =0.7 V，則I1 為多少？ (A)0 mA (B)0.26 mA (C)1.05 mA (D)1.25 mA

第 26 題
圖示理想二極體電路，電壓Vo 為若干？ (A)-5 V (B)-3 V (C)0 V (D)3 V+12 V +20 V10 kΩ10 kΩ6 kΩ6 kΩVoIViN1：N2VsD2VoD1C1C2Vo5V4 kΩI110 kΩ0.1 V5 VD2+5 V-5 V4 kΩ1 kΩVoD1

第 27 題
如圖示之放大器，若電晶體須維持操作於飽和區，且忽略其輸出阻抗效應，下列敘述何者錯誤？ (A)增加RG 及同時減低ID (B)增加RS 及同時減低ID (C)減少寬長比（W/L）及同時減低ID (D)增加VDD 及同時增加ID

第 28 題
如圖為MOS 電晶體操作於飽和模式（Saturation-mode）之π 型小訊號等效電路，其中gmro 的乘積與汲極電流ID 的關係約為： (A)gmro 正比於1/ID (B)gmro 正比於1/    (C)gmro 正比於    (D)gmro 與ID 無關

第 29 題
圖示MOS 場效電晶體電路，電晶體之Vt = 1V、μnCox（W/L）= 2mA /V2，欲電晶體在飽和區工作，電阻RD 的最大值約為若干kΩ ？ (A)1 (B)2 (C)3 (D)4

第 30 題
圖示電路，若RG = 10 MΩ 、RD = 10 kΩ ，電晶體的輸出阻抗ro = 10 kΩ ，電壓增益Av = vo/vi = - 4，則Rin 約為若干？ (A)∞ (B)10 MΩ  (C)5 MΩ  (D)2 MΩVDDVORSViCIDRGGDSrogmvgsvgs1 kΩ3 MΩ2 MΩRD5 VVDDRDRGRinvivo∞∞

第 31 題
如圖所示之電路，若電晶體之rπ= 1 kΩ ，CC = 1 μF，R1 = 10 kΩ ，R2 >> rπ，CL= 10pF，gm = 1 mA/V，下列敘述何者正確？ (A)低頻 -3dB 頻寬(ω L)為1k rad/sec (B)高頻 -3dB 頻寬(ω H)為1k rad/sec (C)高頻之單一增益頻寬（Unity-gain bandwidth）為10M rad/sec (D)增加CC 將使放大器平坦增益（flat gain）之頻寬減少

第 32 題
分析如下圖之電路，若MOSFET 操作在飽和區且轉導值gm為1 mA /V。元件之輸出阻抗ro，Rb1，Rb2，C1，C2 皆為無窮大，試求io/VV： (A)0 (B)5 (C)10 (D)20

第 33 題
圖示為衛德勒（Wilder）電流源，此電路的特色為： (A)使用較大的電阻RE 來輸出大電流IO (B)使用較大的電阻RE 來輸出小電流IO (C)使用較小的電阻RE 來輸出大電流IO (D)使用較小的電阻RE 來輸出小電流IO

第 34 題
圖示差動放大器中，對於電阻Re 的主要功用，下列敘述何者錯誤？ (A)降低差模電壓增益 (B)增加負回授的穩定特性 (C)降低輸出阻抗 (D)提高差模輸入電壓的線性放大範圍VCCVoViR2R1CLCCQVDD10 kΩVbRb210 kΩVoVbRb1ViIbC1C2M2M1VCCRREFQ2Q1REIOVCCRCRCvovid ReRe-VEEIQ1Q2

第 35 題
如圖所示之電路，假設電晶體操作在順向主動區，IC = 1 mA，VT = 26 mV，β = 100，Cπ = 100 fF，Cμ= 10 fF，忽略爾利（Early）效應與其他電容效應，採用米勒（Miller）趨近法，假使RL值為40 Ω ，則其輸入電容之值為何？ (A)39.4 fF (B)49.4 fF (C)59.4 fF (D)69.4 fF

第 36 題
如圖所示為操作於主動模式（active mode）的雙極性接面電晶體的π 型小訊號等效電路，若集極電流為IC。爾利電壓（Early voltage）為VA，熱電壓為VT，則下列敘述何者錯誤？ (A)gm = IC/VT (B)ro = VA/IC (C)rπ  = VT/IC (D)gmrπ  = β

第 37 題
下圖是雙極性接面電晶體（BJT）共射極組態的小訊號電路模型，其輸出電阻RO 為何？ (A)RC (B)ro (C)RC // ro (D)RC // ro // RBVCCVinRLVovbeBCrogmvberπEViVoRoRCrorπRBRiβib

第 38 題
如圖所示為一BJT 差動對（Differential-Pair）電路。Q1 = Q2，並設工作於主動模式（Active-mode）。則此差動放大器的差動增益（Differential Gain）idodd/VVA 以熱電壓（Thermal Voltage）VT 表示為： (A)TCVIR21
(B)TCVIR
(C)TCVIR21
(D)TCVIR139 圖(A)為一遲滯比較器（Hysteresis Comparator），圖(B)為其轉移曲線，其臨界電壓VTH 為何？ (A)0.8 V (B)1 V (C)1.25 V (D)2 V40如圖所示的MOS 電晶體放大器電路中，通常以那一個電阻的電阻值會最小： (A)RG1 (B)RG2 (C)RD (D)RSVCCVodRCRCB1B2Vid-VEEIQ1Q2vivoL+L-VTLVTH 圖(B)VDDRG1RG2RDRS1 kΩ4 V-5 Vvivo 圖(A)4 kΩ
(B) TCVIR
(C) TCVIR21
(D) TCVIR139 圖(A)為一遲滯比較器（Hysteresis Comparator），圖(B)為其轉移曲線，其臨界電壓VTH 為何？ (A)0.8 V (B)1 V (C)1.25 V (D)2 V40如圖所示的MOS 電晶體放大器電路中，通常以那一個電阻的電阻值會最小： (A)RG1 (B)RG2 (C)RD (D)RSVCCVodRCRCB1B2Vid-VEEIQ1Q2vivoL+L-VTLVTH 圖(B)VDDRG1RG2RDRS1 kΩ4 V-5 Vvivo 圖(A)4 kΩ
正解：A

第 39 題
如圖為一個疊接（Cascode）放大器（偏壓電路未顯示），此疊接放大器相較一個共源（CS）放大器，具有：
(A) 較小的輸入電阻 (B)較大的輸出電阻 (C)較小的電壓增益 (D)較小的頻寬
正解：B

第 40 題
圖示電流源電路，已知IREF = 40 μA，電晶體Q1 特性與Q2 完全相同：Vt = 0.5 V、μnCox(W/L) = 20 μA/V2，若電路能正常工作，則電壓VO 之最小值應為若干伏特？
(A) 2.5 (B)2.0 (C)1.5 (D)0.5IR = 1 kΩQ1Q2IR+VCC = 5 V10 kΩ10 kΩQ1Q2ROQ1Q2RDVoVG+VDDvIVCCViVoIREFQ1Q2+-VGSVDDVOIO
正解：B

題目與答案為考試當年公告版本，實務標準請以現行規範為準。