電子工程 104 年積體電路技術研究考古題（共 5 題）
資料來源：考選部歷屆試題｜法律人 LawPlayer 整理
https://lawplayer.com/exam/electronic-engineering/104-%E7%A9%8D%E9%AB%94%E9%9B%BB%E8%B7%AF%E6%8A%80%E8%A1%93%E7%A0%94%E7%A9%B6

第 1 題
現今半導體主流技術互補金氧半CMOS 有何優缺點？（20 分）

第 2 題
㈠何謂FinFET？（6 分）
㈡做在Bulk wafer 與SOI wafer 上的FinFET 有何區別？各有何優缺點？（8 分）
㈢FinFET 對當今半導體技術有何重要性？（6 分）

第 3 題
現今半導體技術為何需要金屬閘極、High-k 閘極氧化層和應力技術？請分別詳述
之。（20 分）

第 4 題
現今半導體電路和系統，如何達成節能省碳和Low Power-High Speed？（20 分）

第 5 題
一般太陽能電池主要有PN 和PIN 架構：
㈠PN 和PIN 型太陽能電池，各如何操作和供電？（7 分）
㈡那些因素會影響上述太陽能電池之轉換效率，請詳述之。（7 分）
㈢如何改進PN 和PIN 行太陽能電池之短路電流密度Jsc 和開路電壓Voc，請分述之。
（6 分）

題目為考試當年公告版本，實務標準請以現行規範為準。