電子工程 104 年電子學大意考古題（共 40 題）
資料來源：考選部歷屆試題｜法律人 LawPlayer 整理
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第 1 題
如圖所示之理想運算放大器電路，AO = ∞，輸入訊號為一弦波，頻率為2 MHz，假使輸出之大小為輸入訊號之大小的5 倍，則RC 值約為何？
(A) 0.8 μs
(B) 1.8 μs
(C) 2.8 μs
(D) 3.8 μs
正解：A

第 2 題
如圖所示電路，假設R1 = R2 = Rg = Rf = 10 kΩ，且輸入電壓V1 =3 V，V2 =4 V，則輸出電壓Vo 為：
(A) 1 V
(B) 2 V
(C) 3 V
(D) 7 V
正解：A

第 3 題
如圖所示電路，R1= 1 kΩ，R2= 10 kΩ，Vi = 1 V，則Vo=？
(A) 10 V
(B) -10 V
(C) 11 V
(D) -11 VRVoutCVinAo－+－+RfR1R2V1V2Rg－+OPAVoR1R2ViVo－+
正解：C

第 4 題
如圖所示之電路，其輸出之正邏輯函數為何？
(A) A＋B
(B) BA +
(C) BA⋅
(D) BA⋅
正解：B

第 5 題
假設一CMOS 反相器（inverter）之負載電容CL 為2 pF，偏壓（bias）電壓為5 V，且其切換頻率為100 kHz，此反相器之消耗功率約為何？
(A) 1 μW
(B) 3 μW
(C) 5 μW
(D) 7 μW
正解：C

第 6 題
當一虛擬（pseudo）NMOS 反相器的輸出為低準位電壓時，其中的NMOS 和PMOS 的操作區域分別為何？
(A) 三極體區、三極體區
(B) 三極體區、飽和區
(C) 飽和區、三極體區
(D) 截止區、三極體區
正解：B

第 7 題
半導體pn 接面在接面處會產生一空乏區，在n 型半導體空乏區內帶電之粒子主要是：
(A) 電洞
(B) 電子
(C) 負離子
(D) 正離子
正解：D

第 8 題
圖中)(sIVio為帶通濾波器，下列敘述何者正確？
(A) L 越大則中心頻率越高
(B) C 越大則中心頻率越高
(C) C 越大則頻寬越寬
(D) R 越大則頻寬越窄
正解：D

第 9 題
利用下列何種效應可以測出半導體是屬於P 型或N 型？
(A) 光電效應
(B) 霍爾（Hall）效應
(C) 米勒（Miller）效應
(D) 黑體輻射效應
正解：B

第 10 題
關於圖中含理想運算放大器之振盪器，下列何者錯誤？
(A) 本電路為橋式（Wien Bridge）振盪器
(B) 振盪頻率等於RCπ21
(C) R2/R1=3
(D) Vo 振幅為1.5 倍二極體導通電壓VDDAVoBIiRCL+－VoD1D2R1R2Vo+－RCCR
正解：C

第 11 題
二極體不具下列何種功能？
(A) 截波
(B) 檢波
(C) 整流
(D) 放大
正解：D

第 12 題
如圖的二極體電路，設各二極體為理想二極體，則電流Io 為：
(A) 0 mA
(B) 1 mA
(C) 1.33 mA
(D) 2 mA
正解：B

第 13 題
圖示整流電路，若輸入弦波vI 與電阻R 皆固定，今若電容C 變大，下列敘述何者正確？
(A) 輸出電壓vO 的漣波（ripple）變大
(B) 二極體導通時間變長
(C) 二極體最大導通峰值電流變大
(D) 輸出電壓vO 的頻率變大
正解：C

第 14 題
如圖所示之電路，二極體導通之壓降為0.7 V，RC >> vi 之週期，求電路穩態時之V3 為何？
(A) 5.3 V
(B) 9.3 V
(C) 24.3 V
(D) 34.3 V
正解：C

第 15 題
利用歐姆錶來測量二極體，無論測試棒如何接法，指針的指示值均為低值，表示該二極體的狀況是：
(A) 正常
(B) 斷路
(C) 短路
(D) 無法判斷
正解：C

第 16 題
圖示理想運算放大器電路，vI 為輸入電壓，vO 為輸出電壓，本電路為：
(A) 整流電路
(B) 箝位電路
(C) 濾波電路
(D) 倍壓電路+10 V5 kΩ10 kΩ－10 VIoiDDCRvO+－vi 15 V0 V－15 V5 V+－C+－RvoV1V3V2R2R1vID2D1vO－+vI+－
正解：A

第 17 題
P 通道之MOSFET 其傳導電荷載子是：
(A) 電子
(B) 離子
(C) 質子
(D) 電洞
正解：D

第 18 題
關於以下之放大器，若電晶體操作於三極管區（Triode region），下列何種調整方式可使電晶體進入飽和區？
(A) 增加RG
(B) 增加ID
(C) 減少RS
(D) 增加VDD
正解：B

第 19 題
雙極性接面電晶體（BJT）中，那種電路組態其電壓增益（Av）大於1 且電流增益（Ai）近似於1？
(A) 共基極（common base）組態
(B) 射極隨耦（Emitter Follower）組態
(C) 共射極（common emitter）組態
(D) 共集極（common collector）組態
正解：A

第 20 題
下列組態的串接放大器，何者的輸入電阻最小？
(A) 共基極－共射極
(B) 共射極－共射極
(C) 共集極－共基極
(D) 共射極－共基極
正解：A

第 21 題
一個操作於飽和區的MOS 電晶體，其汲極電流ID 與過激電壓Vov（Overdrive Voltage, VGS－Vt）的關係為：
(A) ovDV1I∝
(B) ovDVI∝
(C) ovDVI∝
(D) 2ovDVI∝
正解：D

第 22 題
空乏型N 通道MOSFET，閘極和源極間電壓VGS 加上一負電壓時，通道導通程度會：
(A) 變大
(B) 變小
(C) 不變
(D) 無窮大
正解：B

第 23 題
如圖為一共汲極（common drain）放大器的簡圖（其偏壓電路未示）。若電晶體的轉導（transconductance）參數為gm，輸出電阻為ro→∞，則此放大器的電壓增益為何？
(A) gmRS
(B) gmRS / (1+gmRS)
(C) - gmRS
(D) -gmRS / (1+gmRS)
正解：B

第 24 題
試問一個n 通道MOSFET 的過激電壓（Overdrive Voltage, VGS－Vt）Vov 及其臨界電壓（ThresholdVoltage）Vtn，與MOSFET 各極間電壓的關係式下列何者正確？
(A) Vov＝VGS－Vtn
(B) Vov＝VDS－Vtn
(C) Vov＝VGD－Vtn
(D) Vov＝VBS－VtnVDDIDVoRGCRSVi+VDDvIvoRS
正解：A

第 25 題
如圖所示為一共源極（common source）放大器（偏壓電路未繪示），該電路電晶體之Vt＝0.5 V，VDD＝5 V。當VI＝1.5 V 時，MOSFET 工作於飽和（saturation）區，且ID＝1 mA。求使此MOSFET維持工作在飽和區之最大RD 值為何？
(A) 1 kΩ
(B) 2 kΩ
(C) 4 kΩ
(D) 8 kΩ
正解：C

第 26 題
若圖中電晶體為N 通道增強型MOSFET，且電壓增益（vo / vi）為 -3.3，則Rin 約為：
(A) 8.44 MΩ
(B) 6.32 MΩ
(C) 4.56 MΩ
(D) 2.33 MΩ
正解：D

第 27 題
如下圖電路，其RS＝1 kΩ、CC＝0.2 μF、rπ＝1.2 kΩ、gm＝50 mA/V、RL＝10 kΩ和CL＝2 nF。則此電路之頻寬約為：
(A) 7000 Hz
(B) 7300 Hz
(C) 7600 Hz
(D) 8200 Hz
正解：C

第 28 題
有一電壓放大器的高頻小訊號等效電路如下圖所示。當gm 增加時，利用米勒效應（Miller effect）估計等效輸入電容Cin 及等效輸出電容Cout 的變化趨勢為何？
(A) Cin 變大、Cout 變大
(B) Cin 變大、Cout 變小
(C) Cin 變小、Cout 變大
(D) Cin 變小、Cout 變小VDD＝5 VID＝1 mARDVOVI＝1.5 V+15 V10 kΩ(∞)10 kΩ(∞)－+vo10 MΩ－viRinRSCC－vπ+－rπgmvπRLCLvovivs－RsRinCinCgsCgdgmvgsRLvoCoutvgs+－++
正解：B

第 29 題
如圖的共集極（common collector）（CC）放大器（其偏壓電路未繪示），設電晶體工作於順向主動區（forward active region），其小訊號參數gm、re、rπ 均為已知，輸出電阻ro→∞，則此放大器之輸出電阻Rout（不含RL）為：
(A) rπ＋Rsig
(B) re＋Rsig
(C) （rπ＋Rsig）/（β＋1）
(D) （re＋Rsig）/（β＋1）
正解：C

第 30 題
分析以下之電路，若BJT 皆操作在順向主動區（forward active region）且轉導（transconductance）參數gm 為10 mA/V，β＝100。試求Ri＝？
(A) 20 kΩ
(B) 51 kΩ
(C) 101 kΩ
(D) 121 kΩ
正解：D

第 31 題
如圖電路中若齊納二極體的VZ＝10 V，電源V＝20 V，R＝2 kΩ，RL＝5 kΩ，則流過齊納二極體之電流IZ 大約有多大？
(A) 0
(B) 2 mA
(C) 3 mA
(D) 5 mA
正解：C

第 32 題
具有相位落後特性的電路，其輸出相對於輸入而言有下列何項特性？
(A) 電壓放大
(B) 電流放大
(C) 時間延遲
(D) 時間超前
正解：C

第 33 題
如圖之差動對電路，電晶體之β＝100，ro→∞，RC＝4 kΩ，I＝2 mA，VCC＝-VEE＝10 V，取VBE(on)＝0.7 V，VCE(sat)＝0.3 V，VT＝25 mV，當v B1＝v B2＝0 時，vE 之值約為何？
(A) 0
(B) -0.3 V
(C) -0.7 V
(D) -10 VVccRsig ViRoutRLVoVsig +－VDD10 kΩ10 kΩRiViQ1Q21 kΩIb1Ib2VRIZVZRLVCCRCvc1iC1 iC2RCvc2vIvB2vEvB1IVEE－－－
正解：C

第 34 題
圖示電路，若電晶體Q1、Q2、Q3 之特性完全相同，則IO / IREF 與β 之關係約為：
(A) 與β 無關
(B) β/211+
(C) 2/211β+
(D) 3/211β+
正解：C

第 35 題
圖示摺疊式疊接（folded cascode）放大器，vI 為輸入電壓，vO 為輸出電壓，相較於傳統疊接（cascode）放大器，摺疊式疊接放大器的主要目的在：
(A) 提高輸入阻抗
(B) 提高電壓增益
(C) 降低輸出阻抗
(D) 降低所需電源電壓
正解：D

第 36 題
一環形振盪器是由五個反相器所構成，若反相器的傳播延遲為4 ns，其振盪頻率為何？
(A) 10 MHz
(B) 25 MHz
(C) 50 MHz
(D) 100 MHz
正解：B

第 37 題
達靈頓放大器具有下列何種特性？
(A) 低的輸入阻抗
(B) 高的輸出阻抗
(C) 小的電流增益
(D) 放大器內部兩電晶體採用「共集極」組態
正解：D

第 38 題
某一放大器的中頻帶電壓增益為100，若其低頻 -3dB 頻率為1 kHz，當操作頻率為f＝100 Hz 時，則此時電壓增益約為：
(A) 100
(B) 10
(C) 1
(D) 0
正解：B

第 39 題
一BJT 放大器操作在IC＝1 mA 下，其單一增益頻率（unity-gain frequency）為200 MHz，其電容Cπ為24 pF，其電容Cμ 值為何？
(A) 8 pF
(B) 12 pF
(C) 20 pF
(D) 24 pF
正解：A

第 40 題
有一放大器電路的轉移函數（Transfer function）F(s)＝VO (s) / VI (s)，其中s＝jω＝j2πf：2106110)(×+=πsssF試估計此放大器在頻率f＝3 kHz 時的電壓增益，下列何者正確？
(A) dB55)()(kHz3>=fIOsVsV
(B) dB55)()(dB35kHz3≤<=fIOsVsV
(C) dB35)()(dB15kHz3≤<=fIOsVsV
(D) dB15)()(kHz3≤=fIOsVsVIREFIOQ1Q2VDDvIQ1I1Q2VBIASvOI2Q3
正解：A

題目與答案為考試當年公告版本，實務標準請以現行規範為準。