電子工程 105 年電子學大意考古題（共 40 題）
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第 1 題
有關一個理想運算放大器之敘述，下列何者錯誤？
(A) 直流偏壓在主動區
(B) 輸入電流為零
(C) 共模輸出訊號是無限大
(D) 輸出端可當作一輸出阻抗為零之理想電源
正解：C

第 2 題
如圖所示電路，一個理想反相運算放大器，若R1 = 20 kΩ、R2 = 100 kΩ，當Vi = 0.2 V 時，求流經R2電流為多少？
(A) 2 μA
(B) 10 μA
(C) 20 μA
(D) 0.2 mA
正解：B

第 3 題
如圖所示CMOS 反相器電路，使用電壓源為+3.3 V，反相器之輸出負載為一個電容CL = 1 pF，若輸入訊號vI 之交換頻率為1 MHz，則此電路之消耗功率約為多少？
(A) 3 μW
(B) 6 μW
(C) 11 μW
(D) 14 μW
正解：C

第 4 題
場效電晶體在飽和區（saturation region）的有限輸出阻抗，是由於：
(A) 本體效應（Body effect）
(B) 通道長度調變效應（Channel length modulation effect）
(C) 溫度效應（Temperature effect）
(D) 密勒效應（Miller effect）
正解：B

第 5 題
雙極性接面電晶體（BJT）的轉導值（Transconductance）gm 定義為：
(D) vCE= VCE∂iC∂vCEiC= IC∂iC∂vBEiC= IC∂iC∂vCBiC= IC∂iB∂vBER1R2ViVo+3.3 VvICL = 1 pF－＋
正解：B

第 6 題
如圖所示電路，一個理想運算放大器，若運算放大器之飽和電壓為V14±，在其飽和前，iL 的最大值約為何？
(A) 4.7 mA
(B) 4 mA
(C) 2 mA
(D) 1.4 mA
正解：D

第 7 題
下列那一個元件的端點數最多？
(A) 電阻
(B) 二極體
(C) 雙極性接面電晶體
(D) MOS 電晶體
正解：D

第 8 題
有關P-N 接面二極體之敘述，下列何者錯誤？
(A) 溫度越高，雪崩式崩潰（Avalanche breakdown）之崩潰電壓越大
(B) 溫度越高，稽納式崩潰（Zener breakdown）之崩潰電壓越大
(C) 雜質濃度較濃之一側，空乏區較小
(D) 逆向偏壓時，一般不考慮擴散電容（diffusion capacitance）
正解：B

第 9 題
如圖所示電路，若二極體為理想二極體，當Vi  = 11 V 時，Vo 為多少伏特？
(A) -11
(B) -9
(C) -7
(D) -5
正解：C

第 10 題
如圖所示電路，稽納二極體（Zener Diode）的VZ  = 6 V，崩潰的最小工作電流IZK  = 2 mA，欲稽納二極體在崩潰區工作，有關電阻RL 的敘述，下列何項正確？
(A) 最大值為1 kΩ
(B) 最小值為1 kΩ
(C) 最大值為750 Ω
(D) 最小值為750 Ω3 kΩiL7 kΩ－＋vI500 ΩRLVZ＋－10 VViVo20 kΩ10 kΩ10 kΩ5 V5 VD1D2＋＋－－
正解：B

第 11 題
如圖所示電路，輸入電壓vi 為一交流弦波，有效值為100 V，頻率為60 Hz，二極體導通之壓降為0.7 V，則其輸出之漣波值約為何？
(A) 0.2 V
(B) 2 V
(C) 6 V
(D) 10 V
正解：B

第 12 題
當稽納二極體（Zener Diode）做穩壓電路（regulator）時，操作在何區域？
(A) 崩潰（Breakdown）區
(B) 順向偏壓區
(C) 逆向偏壓區，但尚未崩潰
(D) 原點
正解：A

第 13 題
如圖所示理想運算放大器電路，vI 為輸入電壓、vO 為輸出電壓，本電路為：
(A) 濾波電路
(B) 箝位電路
(C) 截波電路
(D) 倍壓電路
正解：B

第 14 題
二極體接逆向偏壓時，其空乏區將如何變化？
(A) 不變
(B) 變寬
(C) 變小
(D) 不一定
正解：B

第 15 題
有關共射極放大器的特性，下列敘述何者正確？
(A) 電流增益為α，輸出與輸入電壓相位差180°
(B) 電流增益為β，輸出與輸入電壓相位差0°
(C) 電流增益為α，輸出與輸入電壓相位差0°
(D) 電流增益為β，輸出與輸入電壓相位差180°
正解：D

第 16 題
雙極性接面電晶體（BJT）之共基極電流增益α = 0.98，試問：其共射極電流增益β 為多少？
(A) 49
(B) 70
(C) 98
(D) 198
正解：A

第 17 題
如圖所示電路，當輸入電壓vI = 0 時，輸出電壓vO 為：
(A) +VCC
(B) 0
(C) -0.7 V
(D) -VCC10：12.2 kΩ 50 μFvivo＋－vOvIC＋－+VCCvIvOIRL－VCC
正解：C

第 18 題
如圖所示雙極性接面電晶體（BJT）電路，若電晶體β = 100，電流I = 1 mA，則電壓增益Av 約為若干？
(A) -40
(B) -20
(C) -10
(D) -5
正解：D

第 19 題
如圖所示放大器，若電晶體操作於飽和區，電流源為理想，且忽略元件之寄生電容效應，下列敘述何者錯誤？
(A) 增加Vbias 將提高放大器之電壓增益
(B) 增加C 值可降低放大器之低頻3-dB 頻率ωL
(C) 增加電晶體之W/L 可提高放大器之電壓增益
(D) 增加RL 可提高放大器之電壓增益
正解：A

第 20 題
在下列MOS 電晶體放大器組態中，以那一種放大器具有最小的輸入電阻？
(A) 共源（CS）放大器
(B) 共閘（CG）放大器
(C) 共汲（CD）放大器
(D) 疊接（Cascode）放大器
正解：B

第 21 題
如圖所示電路，若BJT 操作在順向主動區（forward active region）且轉導值（gm）為10 mA/V，電晶體之β = 10，元件之輸出阻抗（ro）= 10 kΩ，試求輸出阻抗（Ro）約為多少？
(A) 2.5 kΩ
(B) 4.5 kΩ
(C) 6.5 kΩ
(D) 8.5 kΩ
正解：D

第 22 題
雙極性接面電晶體（BJT）在截止區（Cutoff Region）操作下，其偏壓施加方式為：
(A) BE 間逆偏，CB 間順偏
(B) BE 間順偏，CB 間逆偏
(C) BE 及CB 間均逆偏
(D) BE 及CB 間均順偏VDDIbiasVDDVoViVbiasRLC－＋VCC10 kΩVo1 kΩQ1ViRo－VEE+VCC2 kΩ∞vo2 kΩ175 Ω500 kΩ∞∞viRinI＋－
正解：C

第 23 題
如圖所示電路，若MOSFET 操作在飽和區（Saturation Region）且轉導值（gm）為1 mA/V，輸出阻抗（ro）為10 kΩ，其增益值Vo / Vi 為何？
(A) 10 V/V
(B) 5 V/V
(C) 2.5 V/V
(D) 1.25 V/V
正解：C

第 24 題
一個長通道N 增強型MOSFET，Vth  = 1 V，當VGS  = 3 V、VDS  = 4.5 V 時，ID  = 0.8 mA；當VGS  = 2 V、VDS  = 4.5 V 時，ID 為何？
(A) 0.8 mA
(B) 0.4 mA
(C) 0.2 mA
(D) 0.1 mA
正解：C

第 25 題
一N 通道增強型MOSFET 的Vt = 2 V，若VG = 3 V 且VS = 0 V，又此元件工作於三極區（TriodeRegion），則汲極的電壓VD 約為：
(A) 2.5 V
(B) 2.0 V
(C) 1.5 V
(D) 0.5 V
正解：D

第 26 題
若MOSFET 電晶體操作於飽和區（Saturation Region），有關其小訊號模型的敘述，下列何者錯誤？
(A) 電流ID 越大，則轉導值（gm）越小
(B) Cgs＞Cgd
(C) ID 越大，ro 越小
(D) 過驅電壓越大（Overdrive Voltage），則轉導值（gm）越大
正解：A

第 27 題
有關MOSFET 的單一增益頻率（Unity-gain frequency）的敘述，下列何者正確？
(A) 單一增益頻率值與外部電路元件相關
(B) 單一增益頻率值與轉導值成反比
(C) 共源極架構中短路電流增益為1 時之頻率
(D) 共源極架構中開路電壓增益為1 時之頻率
正解：C

第 28 題
共源極放大器之低頻3-dB 頻率，通常以下列何種電容為主要考慮因素？
(A) 輸入端耦合電容
(B) 輸出端耦合電容
(C) 源極旁路電容
(D) 電晶體內部電容
正解：C

第 29 題
某放大器的輸入與輸出端之間有一跨接電容C1 = 2 pF，其電壓增益為VO / VI  = -100 V/V。若輸出端至地之等效電容為C2，試求C2 / C1 的比值？
(A) 接近0
(B) 接近1
(C) 接近50
(D) 接近100
正解：B

第 30 題
已知A 及B 為兩個獨立的電壓放大器，其電壓增益分別為A1 及A2，輸入阻抗分別為Ri1 及Ri2，輸出阻抗分別為Ro1 及Ro2；若將A 的輸出端連接至B 的輸入端，則整體的電壓增益為何？
(A) A1+A2
(B) A1A2
(C) A1A2212ioiRRR+
(D) A1A22121ooiiRRRR++
正解：C

第 31 題
一直流增益80 dB 的運算放大器具有一單極點頻率響應，其單一增益頻率（unity-gain frequency）為ft  = 10 MHz，被用來設計一直流增益為100 的非反相放大器，求此非反相放大器的單一增益頻率值？
(A) 100 kHz
(B) 1 MHz
(C) 10 MHz
(D) 100 MHzVDD10 kΩVoVi1 kΩ1 kΩVbM1＋－
正解：C

第 32 題
有一差動放大器，其一端輸入Vi1 = 100 μV，另一端輸入Vi2 = 50 μV，且此放大器之差模增益Ad 為100，而共模拒斥比（CMRR）為10，則其輸出電壓為何？
(A) 2.75 mV
(B) 3.75 mV
(C) 4.75 mV
(D) 5.75 mV
正解：D

第 33 題
如圖所示電路，若MOSFET 操作在飽和區（Saturation Region）且轉導值（gm）為1 mA/V；BJT 操作在主動區（forward active region）且轉導值（gm）為10 mA/V，β = 40。若忽略元件之輸出阻抗（ro），試求Vo / Vi 之值？
(A) -400
(B) -100
(C) -80
(D) -40
正解：C

第 34 題
如圖所示韋恩電橋（Wien-Bridge）振盪器，其振盪角頻率為何？
(A) 1k rad/s
(B) 2k rad/s
(C) 5k rad/s
(D) 10k rad/s
正解：B

第 35 題
如圖所示低通濾波器電路之3 分貝（或截止）頻率約為多少？
(A) 3 kHz
(B) 5 kHz
(C) 6 kHz
(D) 8 kHz
正解：D

第 36 題
有關Butterworth 低通濾波器的敘述，下列何者錯誤？
(A) 可濾除高頻信號
(B) 濾波器轉移函數只有極點頻率，沒有零點頻率
(C) 當階數愈低，愈接近理想低通濾波器的濾波特性
(D) 當階數愈高，通帶的平坦性愈佳VDD10 kΩViVb＋－M1Q1Vo20 kΩ10 kΩ20 kΩ20 kΩ25 nF25 nF＋－Vo0.01 μFVo＋－－C1Vi2 kΩ 2 kΩ C20.01 μFR2R1R3R45.86 kΩ10 kΩ
正解：C

第 37 題
如圖所示波形產生電路，U1 為理想運算放大器，且飽和電壓（Saturation voltage）為 +10 V 與 -10 V。對於電容C 兩端電壓VC 可能之波形，下列敘述何者正確？
(A) 接近正弦波
(B) 接近方波
(C) 接近三角波
(D) 接近一直流準位
正解：C

第 38 題
如圖所示差動對電路，電晶體之β = 100，ro  →∞，RC  = 4 kΩ，I = 2 mA，VCC   = -VEE   = 10 V，取VBE(on) = 0.7 V，VCE(sat) = 0.3 V，VT = 25 mV，當vB1 = vB2 = 0 時，iC1(iC2)之值約為何？
(A) 0 mA
(B) 0.01 mA
(C) 1 mA
(D) 2 mA
正解：C

第 39 題
如圖所示電路，若MOSFET 操作在飽和區（Saturation Region）且轉導值（gm）為1 mA/V，忽略其輸出阻抗（ro），該放大器之高頻3-dB 頻率（ωH）為何？
(A) 1 GHz
(B) 20 MHz
(C) 1.59 MHz
(D) 318 kHz
正解：D

第 40 題
如圖所示放大器（其偏壓未示），若電晶體的轉導參數為gm，輸出電阻為ro，則此放大器的輸出電阻RO 約為何？
(A) RC
(B) RE
(C) ro+ RC
(D) ro+ RER1R2Vo＋－R3U1＋－VCCVCCRCvC2vIvB2－＋IVEEiC2iC1RCvC1vB1＋－VDD0.1 pFVO1 kΩVi1 nFM110 kΩIVb＋－+VCCRCvOvIRORE
正解：A

題目與答案為考試當年公告版本，實務標準請以現行規範為準。