電子工程 106 年電子學大意考古題（共 40 題）
資料來源：考選部歷屆試題｜法律人 LawPlayer 整理
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第 1 題
一幾何比W/L、爾利電壓（Early voltage）皆固定的場效電晶體（FET），當過驅電壓VOV（OverdriveVoltage）變為原來的2 倍，則本質增益（Intrinsic Gain）將變為原來的：
(A) 0.25 倍
(B) 0.5 倍
(C) 2 倍
(D) 4 倍
正解：B

第 2 題
對於場效電晶體（FET），下列敘述何者錯誤？
(A) 是屬於電壓控制的元件
(B) 所有類型的金屬氧化物半導體場效電晶體（MOSFET）都需外加閘極電壓才會有通道存在
(C) 接面場效電晶體（JFET）不需外加閘極電壓就已經有通道存在
(D) 閘極（Gate）與源極（Source）間的直流電阻相當高
正解：B

第 3 題
下圖是一矽場效電晶體（Si FET）元件的剖面結構，各層使用不同材料，圖中僅標示某假想製程厚度，此電晶體的臨界電壓（threshold voltage）的絕對值為|Vth| = 0.5 V。VD1 = 2 V，VD2 = -2 V，VD = 2 V，VE = -2 V。試研判此電晶體在目前的偏壓條件下通道電流（Channel current）的主要流動方向？
(A) 由右向左水平流動
(B) 由左向右水平流動
(C) 由上往下垂直流動
(D) 由下往上垂直流動
正解：B

第 4 題
有關新一代半導體科技技術的發展，下列何者敘述較不符合目前的發展趨勢？
(A) 電晶體元件（device）的尺寸越來越小
(B) 積體電路（IC）使用的電源越來越低
(C) 採用的初始晶圓（wafer）越來越薄
(D) 單一晶片（chip）的電路密度越來越高
正解：C

第 5 題
將一個n-通道增強型MOSFET 操作在飽和區時，下列何者正確？
(A) 閘極的電壓不得比源極電壓高一個臨界電壓（threshold voltage）
(B) 閘極對源極的電壓應為負值
(C) 閘極的電壓不得比汲極電壓高一個臨界電壓（threshold voltage）
(D) 通道電流由源極流向汲極
正解：C

第 6 題
對於一個PN 接面二極體在順偏（forward bias）的條件下，下列何者正確？
(A) P 側的電位較N 側的電位為低
(B) 電流的方向為由P 側流向N 側
(C) 接面空乏區（depletion region）內的電場會因加入順偏電壓而擴大
(D) 因為有電流流通，故沒有電容效應
正解：B

第 7 題
關於CMOS 反相器（inverter）功率消耗的敘述，下列何者錯誤？
(A) CMOS 反相器的靜態功率消耗（static power dissipation）幾乎為零
(B) CMOS 反相器要減少功率消耗應降低輸出端的負載電容效應
(C) CMOS 反相器的動態功率消耗（dynamic power dissipation）會隨輸入電壓Vi 頻率的增加而增大
(D) CMOS 反相器的動態功率消耗隨電源VDD 值成正比例的增加VD1VDVD2D 層：0.5 μmC 層：0.01 μmB 層：0.1 μmA 層：400 μmE 層：0.8 μmD1 層D2 層n+n+p-VE
正解：D

第 8 題
有一n 通道的MOS 電晶體，其μnCox = 50 μA/V2，VT,on = 1.0 V，λn =(0.1/L)V-1，其中L 的單位為μm，若W = 10 μm，L = 10 μm，VDS = 4 V，試求欲使gm = 50 μA/V，則VGS 應為多少？
(A) 5 V
(B) 4 V
(C) 3 V
(D) 2 V
正解：D

第 9 題
一個運算放大器，若V+ = +10 mV 而V- = -10 mV，那共模輸入電壓（Common-mode input voltage）為：
(A) 0 mV
(B) +10 mV
(C) +20 mV
(D) -20 mV
正解：A

第 10 題
如圖所示電路，U1 為理想運算放大器。假設二極體導通電壓VD0 = 0.7 V。已知電阻R1 = 1 kΩ、R2 =2 kΩ、R3 = 1 kΩ、VCC = -5 V。當vI = 3 V 時，下列敘述何者正確？
(A) D1 導通、D2 不導通
(B) D1、D2 都導通
(C) D1、D2 都不導通
(D) D1 不導通、D2 導通
正解：D

第 11 題
如圖所示電路，Ao = 105，求此電路之閉迴路電壓增益約為何？
(A) 1
(B) 100
(C) 
(D) 
正解：A

第 12 題
vi(t) = 50sin(377t) volt 的輸入信號分別經中間抽頭型變壓器及橋式全波整流電路整流後，流過負載之電壓信號頻率分別為fo1 及fo2，則(fo1+fo2)為多少Hz？
(A) 1131 Hz
(B) 754 Hz
(C) 240 Hz
(D) 180 Hz
正解：C

第 13 題
理想變壓器中負載電阻為R2 = 2 Ω如圖，測得輸入等效電阻R1 = 8 Ω，則次級電壓（V2）、初級電流/次級電流比（I1/I2）及線圈匝數比（N1：N2）等有關之敘述，何者正確？
(A) V2 = 2 V1, I1/I2 = 2/1
(B) V2 = 16 V, N1：N2 = 1：2
(C) I1/I2 = 2/1, V2 = 4 V
(D) N1：N2 = 2：1, I1/I2 = 1/2
正解：D

第 14 題
橋式整流電路中，理想二極體之逆向峰值電壓（PIV）為電源峰值的多少倍？
(A) 3
(B) 2
(C) 2
(D) 1R3ABR2R1D1U1D2vOvIVCC+-VOAoVin+-I1I2N1：N2+-+-V2R2 = 2 ΩV1 = 8 VR1 = 8 Ω
正解：D

第 15 題
如下圖所示，若輸入電壓Vi = 20 V 且稽納二極體的VZ = 10 V，則輸出Vo 為：
(A) 20 V
(B) 13.3 V
(C) 10 V
(D) 8 V
正解：C

第 16 題
下圖整流電路中，當變壓器一次側之輸入電壓vi 為振幅110 V 的正弦波且C 值很大時，則輸出電壓Vo 約為：
(A) 5.5 V
(B) 11 V
(C) 22 V
(D) 44 V
正解：B

第 17 題
下圖為全波整流器。輸入信號為弦波，vs(t) = 5sin10t 伏特，各二極體D1～D4 之導通電壓皆為0.7 V，導通電阻為0 Ω。則輸出vo(t)之最大值為何？
(A) 5 V
(B) 4.3 V
(C) 3.6 V
(D) 2.5 V
正解：C

第 18 題
下圖為一整流器，若二極體之導通電壓為0 V，導通電阻為0 Ω，輸入信號為弦波vi(t) = 5sin(10πt) V，若輸出vo 漣波電壓＜0.1 V，R = 100 kΩ，則電容C 之最小值為何？
(A) 1 μF
(B) 10 μF
(C) 100 μF
(D) 1000 μF
正解：C

第 19 題
下圖電路中二極體D1 之導通電壓為0.7 V，導通電阻為0 Ω。電容C 兩端之初始跨壓為0 V，則其穩態跨壓vC 為何？
(A) 6 V
(B) 3.3 V
(C) 2.7 V
(D) 1.3 V+Vo-+Vi-R1R2VZ20 kΩ10 kΩ+-vi+-VoDC10：1+-vsD4D1D3D2vo +-RviRCvo+-+-+-vCD1vit3 V-3 V-1 VviC
正解：B

第 20 題
下圖中二極體D1 與D2 之導通電壓為0.7 V，導通電阻為0 Ω，輸入信號為弦波vi(t) = 5sin10t 伏特，R1，R2，R3 皆為10 Ω，則電阻R1 之最大電流值為何？
(A) 530 mA
(B) 330 mA
(C) 165 mA
(D) 115 mA
正解：C

第 21 題
關於圖(a)與(b)電路之敘述，若二極體為理想，Vp1 與Vp2 為Vo1 與Vo2 之峰值電壓，下列何者正確？
(A) Vp1 = 5 V，Vp2 = -5 V
(B) Vp1 = 5 V，Vp2 = 5 V
(C) Vp1 = -5 V，Vp2 = 5 V
(D) Vp1 = -5 V，Vp2 = -5 V
正解：C

第 22 題
下列有關雙極性電晶體（BJT）偏壓電路之共射極（CE）組態放大器的特性敘述，何者正確？
(A) 電流增益α＞1，同相放大
(B) 電流增益α＞1，反相放大
(C) 電流增益β＞1，同相放大
(D) 電流增益β＞1，反相放大
正解：D

第 23 題
圖中電晶體M1 與M2 之寬長比為(W/L)1：(W/L)2 = 4：1，臨界電壓（VT）皆為0.8 V，若Vol = 1 V，則Vo2 =？
(A) 0.8 V
(B) 0.9 V
(C) 1 V
(D) 1.2 V
正解：D

第 24 題
圖中為雙載子電晶體放大器之等效模型，輸入為vs，輸出為vo。關於本放大器的敘述下列何者正確？
(A) 為共基級放大器
(B) RL 越大則輸入阻抗越小
(C) RL 越大則增益越大
(D) |vo/vs|＞1vivO-+++--1 V2 VD1D2R2R3R1C1C2t(sec)VI(V)+-Vo1D1VIVID2+-Vo2(a)(b)3-20.5 mAVo1+-+-Vo2M1M2+--+vsrorπvπvoRLgmvπ
正解：C

第 25 題
具有臨界電壓Vth = 1.5 V 且μnCox(W/L) = 1 mA/V2 的增強型MOSFET 放大器中，電晶體的輸出直流電壓為VDSQ = 5 V，直流電源VGG 約為多少？
(A) 2.5 V
(B) 3.5 V
(C) 5 V
(D) 5.5 V
正解：B

第 26 題
臨界電壓Vth = 1.5 V 的增強型MOSFET 所構成如圖之放大器中，流經R2 = 50 kΩ及1.5 kΩ的直流偏壓電流分別為0.15 mA 及4 mA，該放大器的小信號電壓增益為何？
(A) -100
(B) -50
(C) -20
(D) -6
正解：D

第 27 題
下列何者並非使用差動對放大器的好處？
(A) 可降低外界的雜訊干擾
(B) 可減少偏壓電路所需之大電容及大電阻
(C) 適合於積體電路的應用
(D) 可減少電路所需的電晶體數目
正解：D

第 28 題
如圖為MOS 電晶體操作於飽和模式（Saturation mode）之π 型小訊號等效電路，其中參數轉導gm與汲極電流ID 的關係約為：
(A) gm正比於1/ID
(B) gm正比於DI1/
(C) gm正比於DI
(D) gm正比於ID9 V2 kΩVGGRG1.5 kΩ1 kΩVDDR1R2CSCDCGvivoDGrogmvgsvgs+-S
正解：C

第 29 題
有一n 通道MOSFET 工作於飽和模式（saturation mode），並構成共源極（CS）放大器，該MOSFET之臨界電壓Vt = 0.5 V。當VGS = 2 V 時，求使此電晶體仍工作於飽和區之VDS 最小值為何？
(A) 0.5 V
(B) 1 V
(C) 1.5 V
(D) 2 V
正解：C

第 30 題
如圖示電路，VCC = +10 V，RB1 = 200 kΩ，RB2 = 200 kΩ，RC = 5 kΩ，RE = 1 kΩ，電晶體電流放大率β = 100，則此電晶體工作在：
(A) 截止區
(B) 主動區（active region）
(C) 飽和區（saturation region）
(D) 逆向主動區（reverse active region）
正解：C

第 31 題
如圖所示為一波形產生電路，該電路在正常運作中並於某一瞬時間得知該電容器C 處於放電狀態，則在此瞬時間，下列那一敘述為正確？其中施加於理想OPA 之電壓為± 12 V。
(A) vO = 12 V
(B) Vf = -4 V
(C) vC = 6 V
(D) iR = 1.2 mA
正解：B

第 32 題
三角波產生電路中各個元件的電性數值如圖中所示，並且測得其輸出頻率為f，則下列那一種組合的改變可使其輸出頻率為原來的4 倍＝4f？兩OPA 可視為理想。
(A) R1 增為2 倍、R2 增為2 倍
(B) R 減半、R1 減半
(C) C 減半、R2 減半
(D) C 減為四分之一、R 增為2 倍RB1RB2RERCVCCiRvOvC+-C5 kΩ4 kΩVf2 kΩ+-CRR1R2vO++--
正解：C

第 33 題
由β1 = 80 及β2 = 100 的電晶體Q1 及Q2 所構成RC 串級放大電路如圖，第1、第2 單級放大電路的基極直流偏壓電流IB1 與IB2 均為25 μA，且測得Ri2 = 4 kΩ，決定該串級放大電路的總電壓增益大小約為多少？熱電壓VT = 25 mV。
(A) 64
(B) 80
(C) 124
(D) 160
正解：A

第 34 題
如圖為一雙極性電晶體電路。雙極性電晶體的β = 100，VBEactive = 0.7 V，忽略爾利效應。VT = 25 mV，求低頻3 dB 頻率（選最接近之值）？
(A) 15.9 Hz
(B) 100 Hz
(C) 3.18 kHz
(D) 20 kHz
正解：C

第 35 題
如圖雙穩態電路，其R1 = 10 kΩ且R2 = 20 kΩ，若在t =0 時輸出電壓vo 飽和在-10 V；當在t＞0 時，輸出電壓vo 突然由-10 V 轉態並飽和在+10 V；試問在t > 0 時，引起輸出電壓vo 突然轉態的輸入電壓vI 狀態為何？
(A) vI < -5 V
(B) vI > +5 V
(C) vI > -5 V
(D) vI < +5 V
正解：B

第 36 題
有一放大器電路的轉移函數（Transfer function）F(s)=VO(s)/VI(s)如下所示，其中s=jω=j2πf：2106110)(×+=πsssF，今製作相角∠F(s)的波德曲線圖（Bode plot），欲估計在頻率f = 3 kHz 時的相角，下列何者正確？
(A) 大於60°
(B) 落於30°至60°之間
(C) 落於-30°至30°之間
(D) 小於-30°voVCCviR1R3R2R4C1C2C3CE1 kΩ2 kΩ2 kΩ4 kΩRi2=β1 = 80β2 = 100REC = 1 μFvo10 kΩ0.5 mAvsig+20 V-5 V-++-R1R2vo-VCC+VCC+-v+vI
正解：C

第 37 題
如圖所示之電路，假設電晶體操作在順向主動區，IC = 0.838 mA，VT = 26 mV，β = 100，Cπ = 24 pF，Cμ = 3 pF，忽略爾利（Early）與所有其他電容效應，求相關於輸出端之3 dB 頻率為何？
(A) 28.4 MHz
(B) 38.4 MHz
(C) 48.4 MHz
(D) 58.4 MHz
正解：D

第 38 題
如圖之電路，L1 = L2 = 1 mH，C = 30 pF，若不考慮R1 對回授網路之負載效應，振盪發生時其振盪頻率為何？
(A) 0.65 MHz
(B) 0.85 MHz
(C) 1.05 MHz
(D) 1.25 MHz
正解：A

第 39 題
矽二極體逆向偏壓時，在電路上會有一個等效並聯寄生電容Cj，這個電容的主要電荷來自下列何者？
(A) P 型N 型半導體接合面空乏區內部的載子
(B) P 型N 型半導體接合面空乏區內部的摻雜雜質
(C) P 型N 型半導體接合面中性區內部的載子
(D) P 型N 型半導體接合面中性區內部的摻雜雜質
正解：B

第 40 題
雙極性接面電晶體（BJT）固定偏壓電路加入射極電阻後，可提高工作點穩定度，這是一種：
(A) 正回授
(B) 負回授
(C) 集極回授
(D) 不具回授的作用Vo10 kΩ1 kΩVinRSCC1→∞CC2→∞RERBCB→∞+10 V-10 VVoR1R2+-CL1L2
正解：B

題目與答案為考試當年公告版本，實務標準請以現行規範為準。