電子工程 106 年高等電子電路學研究考古題（共 4 題）
資料來源：考選部歷屆試題｜法律人 LawPlayer 整理
https://lawplayer.com/exam/electronic-engineering/106-%E9%AB%98%E7%AD%89%E9%9B%BB%E5%AD%90%E9%9B%BB%E8%B7%AF%E5%AD%B8%E7%A0%94%E7%A9%B6

第 1 題
如圖（一）之雙極性接面電晶體（BJT）放大電路，電晶體參數為：β = 100、VA = ∞，
電容器CC1 = CC2 = 1 pF。試求：
㈠電晶體參數rπ =？（10 分）
㈡電壓增益AV = vo/vs =？（10 分）
㈢電流增益Ai = io/is =？（10 分）

圖（一）
(一) 之雙極性接面電晶體（BJT）放大電路，電晶體參數為：β = 100、VA = ∞，
電容器CC1 = CC2 = 1 pF。試求：
㈠電晶體參數rπ =？（10 分）
㈡電壓增益AV = vo/vs =？（10 分）
㈢電流增益Ai = io/is =？（10 分）

圖（10 分）

第 2 題
如圖（二）為CMOS 差動放大器電路，IQ = 0.2 mA。PMOS 電晶體M1 及M2 的參數
為：Kp = 0.5μpCox(W/L)p = 0.1 mA/V2、λp = 0.015 V-1、VTP = -1 V。NMOS 電晶體M3
及M4 的參數為：Kn = 0.5μnCox(W/L)n = 0.1 mA/V2、λn = 0.01 V-1、VTN = 1 V。試求：
㈠輸出阻抗Ro =？（10 分）
㈡開路差動模式之電壓增益（open-circuit differential-mode voltage gain）？（10 分）

圖（二）
CC1
CC2
vo
is
io
vs
V += +16 V
V -= -6 V
RL=6 kΩ
RE =2 kΩ
RS =0.5 kΩ
RC =6 kΩ
RB =
10 kΩ
V -= -10 V
V += +10 V
vo
v1
v2
IQ
M1
M2
M3
M4
Ro
106年公務、關務人員升官等考試、106年交通
事業鐵路、公路、港務人員升資考試試題 代號：16130
等
級： 簡任
類科（別）： 電子工程、電信工程
科
目： 高等電子電路學研究（包括類比與數位）
(二) 為CMOS 差動放大器電路，IQ = 0.2 mA。PMOS 電晶體M1 及M2 的參數
為：Kp = 0.5μpCox(W/L)p = 0.1 mA/V2、λp = 0.015 V-1、VTP = -1 V。NMOS 電晶體M3
及M4 的參數為：Kn = 0.5μnCox(W/L)n = 0.1 mA/V2、λn = 0.01 V-1、VTN = 1 V。試求：
㈠輸出阻抗Ro =？（10 分）
㈡開路差動模式之電壓增益（open-circuit differential-mode voltage gain）？（10 分）

圖（10 分）
(二) CC1
CC2
vo
is
io
vs
V += +16 V
V -= -6 V
RL=6 kΩ
RE =2 kΩ
RS =0.5 kΩ
RC =6 kΩ
RB =
10 kΩ
V -= -10 V
V += +10 V
vo
v1
v2
IQ
M1
M2
M3
M4
Ro
106年公務、關務人員升官等考試、106年交通
事業鐵路、公路、港務人員升資考試試題 代號：16130
等
級： 簡任
類科（別）： 電子工程、電信工程
科
目： 高等電子電路學研究（包括類比與數位）

第 3 題
如圖（三）之NMOS 數位電路，電晶體ML、MX 及MY 具有相同之μnCox 值，另相關
參數為：(W/L)X =(W/L)Y = 5、(W/L)L = 2、VTNX = VTNY = 0.8 V、VTNL = -1.5 V，且忽略
基體效應（body effect）。如果vX = vY = 5 V，試求：
㈠vo =？（10 分）
㈡vGSX及vGSY分別為何？（10 分）

圖（三）
(三) 之NMOS 數位電路，電晶體ML、MX 及MY 具有相同之μnCox 值，另相關
參數為：(W/L)X =(W/L)Y = 5、(W/L)L = 2、VTNX = VTNY = 0.8 V、VTNL = -1.5 V，且忽略
基體效應（body effect）。如果vX = vY = 5 V，試求：
㈠vo =？（10 分）
㈡vGSX及vGSY分別為何？（10 分）

圖（10 分）

第 4 題
邏輯函數
CE)
A(BD
Y
+
=
：
㈠試設計繪製一具有該邏輯函數之CMOS 電路圖。（20 分）
㈡如果一基本CMOS 反相器（inverter）之電晶體參數值：(W/L)n = 2、(W/L)p = 4，如
欲使㈠之CMOS 電路具有對稱之切換時間、且兩倍於該基本CMOS 反相器之切換
速度，試求㈠之CMOS 電路中，每一NMOS 及PMOS 電晶體之(W/L)值，分別為
何？（10 分）
MX
ML
MY
vX
vY
vo
VDD =5 V

題目為考試當年公告版本，實務標準請以現行規範為準。