電子工程 106 年電子學考古題（共 5 題）
資料來源：考選部歷屆試題｜法律人 LawPlayer 整理
https://lawplayer.com/exam/electronic-engineering/106-electronics

第 1 題
圖一(a)為一個小訊號的弦波（Vp）偏壓在一個直流電壓（V0），其數學式為
t
V
V
t
V
p
ω
cos
)
(
0 +
=
。將此訊號跨接到二極體的順向偏壓，如圖一(b)表示，在順向偏
壓條件下，此二極體的電壓（v）及電流（i）的關係為：
T
V
v
Se
I
i
/
=
。假設小訊號條
件成立：
p
V <<VT，試求出此二極體的輸出電流（ID）。（答案請用Vp、VT、V0、
SI 、
ω 表示）（20 分）
(a)
(b)
圖一

第 2 題
請求圖二(a)(b)(c)的小訊號電壓增益（Vout / Vin），電晶體M1 及M2 的轉導為gm1 及gm2，
（注意箭頭方向：NMOS 或PMOS）。圖二(a)及(b)的輸出電阻ro 忽略不計，圖二(c)
的輸出電阻ro1 及ro2 必須考慮在答案中。（20 分）

(a)
(b)
(c)
圖二

Vp
V(t)
V0
t
v
t
t
i
ID
Ip
VDD
VDD
VDD
Vout
Vout
Vout
Vin
Vin
Vin
M1
M1
M1
M2
M2
M2
RD
V0
106年公務、關務人員升官等考試、106年交通
事業鐵路、公路、港務人員升資考試試題 代號：25950
等
級： 薦任
類科（別）： 電力工程、電子工程
科
目： 電子學

第 3 題
請求圖三電路的電壓增益（Vout / Vin），假設運算放大器為理想元件。接著，請依下列
兩種情況：㈠R1C1 > R2C2，㈡R1C1 < R2C2 分別畫出電壓增益的大小對頻率關係圖，兩
圖中皆必須標示增益的數值及轉折的頻率點。（20 分）

圖三

第 4 題
通常衡量一個製程技術的先進與否，採用電晶體的截止頻率（fT）來評價。當小訊號
的電流增益為1 時的頻率即為截止頻率。如圖四(a)、(b)分別表示為BJT 及MOS 電
晶體於計算電流增益的電路圖。請計算MOS 及BJT 電晶體的截止頻率（fT）。（20 分）
{ BJT 電晶體小訊號參數：gm、rπ、Cπ，忽略Cμ；MOS 電晶體小訊號參數：gm、Cgs，忽略Cgd }
(a)
(b)
圖四

第 5 題
在記憶體的晶片中，大部分採用NOR 及NAND 的邏輯閘。請設計有三個輸入端（A、
B、C）及一個輸出端（Y）的NOR 及NAND 的邏輯閘。這兩個邏輯閘採用CMOS
製程技術，請畫出用電晶體製作的電路圖（必須包括NMOS 及PMOS），答案必須清
楚標示輸入及輸出的位置於電路圖中。此外，因為記憶體是採用相同的製程，所以
通道長度相同（LN = LP），為了讓邏輯閘有相同的上升及下降的時間，必須設計不同
的通道寬度，請標示NMOS 及PMOS 的通道寬度（WN 及WP）相對比例關係於NOR
及NAND 的邏輯閘，假設電子及電洞的遷移率為μn = 2μp。（20 分）
Vout
Vin
C1
C2
R1
R2
Vin
Vin
Iout
Iout
Iin
Iin
Q1
M1
ac
GND
ac
GND

題目為考試當年公告版本，實務標準請以現行規範為準。