電子工程 107 年積體電路技術考古題（共 5 題）
資料來源：考選部歷屆試題｜法律人 LawPlayer 整理
https://lawplayer.com/exam/electronic-engineering/107-%E7%A9%8D%E9%AB%94%E9%9B%BB%E8%B7%AF%E6%8A%80%E8%A1%93

第 1 題
何謂短通道效應？何謂DIBL？如何克服這些效應？（20 分）

第 2 題
什麼是MOSFET 的串接電阻？串接電阻太大會有什麼影響？如何降低
串接電阻？請說明並畫出示意圖。（20 分）

第 3 題
現在半導體技術的主流是鰭式場效應電晶體（FinFET），未來技術節點
可能應用垂直奈米線金氧半場校體（Nanowire MOSFET），為什麼要用
FinFET 和Nanowire MOSFET？試繪出其架構圖，並描述主要目的。（20 分）

第 4 題
積體電路製程中，主要有那三種隔離技術？請繪圖說明之。（20 分）

第 5 題
電路或系統中利用LOW POWER SUPPLY 會有何優缺點？為什麼？元
件如何設計才能充分利用LOW POWER SUPPLY 來達成低功率消耗？
（20 分）

題目為考試當年公告版本，實務標準請以現行規範為準。