電子工程 107 年電子元件考古題（共 5 題）
資料來源：考選部歷屆試題｜法律人 LawPlayer 整理
https://lawplayer.com/exam/electronic-engineering/107-%E9%9B%BB%E5%AD%90%E5%85%83%E4%BB%B6

第 1 題
㈠分析pn 接面順偏電流-電壓特性時，會假設在空乏區之外的是準中性
區（quasi-neutral region, QNR）。說明此區域的特性。（10 分）
㈡若不假設上述區域是中性區，該如何分析pn 接面的順偏電流-電壓特
性？（10 分）

第 2 題
雙擴散npn-BJT 的摻雜濃度分布如下圖所示，說明基極區濃度分布對元
件特性的影響。（20 分）

第 3 題
長通道
n-MOSFET
在
VGS>VT
時的電流- 電壓關係是
(
)
[
]
2
DS
DS
T
GS
ox
n
D
V
V
V
V
2
/2L)
C
(Wμ
I
−
−
=
，在VGS<VT 時的電流-電壓關係是
/kT)]
eV
exp(
[1
/kT)]
[exp(eV
~
I
DS
GS
D
−
−
×
。列出四種以電流-電壓關係萃取
MOSFET VT 的方法，並說明之。（20 分）

第 4 題
要提高接面型場效電晶體（JFET）的夾斷電壓（pinch-off voltage）該如
何設計元件？（20 分）

第 5 題
一個n-MOSFET 操作在飽和區時，其本身包含了那些寄生的被動元件和
主動元件？逐一說明這些寄生元件在結構上的位置和操作狀態。（20 分）
Nd n-type
collector
Na p-type
base
Nd n-type
emitter
x

題目為考試當年公告版本，實務標準請以現行規範為準。