電子工程 107 年電子學大意考古題（共 40 題）
資料來源：考選部歷屆試題｜法律人 LawPlayer 整理
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第 1 題
如圖所示為理想運算放大器之電路，R1 = 2 kΩ、R2 = 10 kΩ、R3 = 2 kΩ，試求其輸入阻抗Ri 為多少？
(A) 1 kΩ
(B) 2 kΩ
(C) 4 kΩ
(D) 10 kΩ
正解：B

第 2 題
如圖所示符號為下列何種元件？
(A) 增強型NMOS
(B) 增強型PMOS
(C) 空乏型NMOS
(D) 空乏型PMOS
正解：B

第 3 題
下圖是一矽場效電晶體（Si FET）元件的剖面結構，各層使用不同材料，圖中僅標示某假想製程厚度，此電晶體的臨界電壓（threshold voltage）的絕對值為|Vth| = 0.5 V。VD1 = 2 V，VD2 = -2 V，VD = 2 V，VE = -2 V。試由此結構剖面判斷此電晶體的閘極氧化層是那一層？
(A) A 層
(B) B 層
(C) C 層
(D) D 層
正解：C

第 4 題
有一運算放大器如下圖所示，已知其轉移方程式（transfer function）為123V998V1002V×−×=，請問其差動電壓增益（differential gain）約為多少？
(A) 10 dB
(B) 20 dB
(C) 40 dB
(D) 60 dBRiR1R2R3vOvIVCC-VEEV1V2V3-+E 層：0.8 μmA 層：400 μmB 層：0.1 μmVD1VDVD2n+n+C 層：0.01 μmD 層：0.5 μmD1 層D2 層p-VE
正解：D

第 5 題
有一以矽材料所製的互補式金氧半場效電晶體（Si-CMOSFET）電路及輸入電壓vI 的波形如下所示，VDD = 5 V，假設兩個電晶體QP、QN 的特性參數一致，即通道導通臨界電壓（threshold voltage）的絕對值均為V5.0|V|th =，相同的轉導值（transconductance）與幾何參數，亦即poxpnoxnLWCμLWCμ⎟⎠⎞⎜⎝⎛=⎟⎠⎞⎜⎝⎛。試研判下列波形何者最接近輸出電壓vO 的波形？

第 6 題
有一矽雙極性接面電晶體（Si-BJT）電路及輸入接腳VI1、VI2 的電壓波形如下所示，VCC = 5 V，R1 = R2 = 1 kΩ，R3 = R4 = 100 Ω，CL = 5 μF，電晶體電流增益βQ1 = βQ2 = 100。試研判電晶體Q1 的集極電流比較低的時間點：
(A) 0
(B) t1
(C) T
(D) t2
正解：C

第 7 題
二極體順向導通時，下列何者正確？
(A) 在N 端加相對正電壓，在二極體內部中電子從N 端流向P 端
(B) 在N 端加相對負電壓，在二極體內部中電子從N 端流向P 端
(C) 在N 端加相對正電壓，在二極體內部中電流從N 端流向P 端
(D) 在N 端加相對負電壓，在二極體內部中電流從N 端流向P 端QPVDDvIvIvOvOvOvOQN00000t1Tt2ttt2Tt1t1Tt2ttt1Tt2tt2Tt1~0 V~0 V~5 V~0 V~0 V~5 V~5 V~5 V~4 V5 V~2 V 0 VVCCVOCLR1R2Q1Q2R3R4VI2VI1VI1VI200t1t1TTt2t2tt~4 V~2 V0 V5 V~2 V~4 V0 V5 VvO
正解：B

第 8 題
如圖中NPN 雙極性電晶體，β = 100，電晶體基射極的順偏電壓設為0.8 V，飽和時的集射極電壓為0.3 V。問此電路集極電流對基極電流的比值為多少？
(A) 12
(B) 22
(C) 80
(D) 100
正解：A

第 9 題
一個OP AMP 的輸出的上下限為± 10 V，迴轉率（slew rate）為1 V/μs，單增益頻寬ft = 1 MHz。若輸出電壓為如圖所示之三角波（triangle wave），所能操作的最大頻率最接近下列何值？
(A) 5 kHz
(B) 50 kHz
(C) 100 kHz
(D) 1 MHz
正解：B

第 10 題
若有一矽二極體在逆向偏壓且在溫度為25℃時，飽和電流（saturation current）Io = 2 μA，試問當溫度升高到55℃時，飽和電流為多少？
(A) 32 μA
(B) 16 μA
(C) 8 μA
(D) 4 μA
正解：B

第 11 題
如圖為雙極性差動式放大器，已知電晶體Q1 和Q2 的基極內電阻rπ、射極內電阻re、轉導gm、共基極電流增益α 和共射極電流增益β» 1 等參數均相同，試求差動增益Ad = vod /vid 之值？
(A) RC/rπ
(B) RC/2rπ
(C) RC/re
(D) RC/2re
正解：C

第 12 題
史密特觸發（Schmitt trigger）電路之輸出波形為下列何者？
(A) 方波
(B) 正弦波
(C) 三角波
(D) 鉅齒波
正解：A

第 13 題
一個由理想變壓器及理想二極體等所構成之半波整流器，輸入弦波信號後測得輸出信號之有效值電壓Vo(rms) = 14.14 伏特，則流過負載RL = 2 kΩ之峰值電流Io(p)約為多少？
(A) 5 mA
(B) 7.07 mA
(C) 10 mA
(D) 14.14 mA1 kΩ10 kΩ3 VQ1電壓, V時間t5 V-5 VT-VCCVCCRCRCQ1Q2vc1vc2vod-++vid-I
正解：D

第 14 題
如圖所示為由齊納（Zener）二極體D1 與D2 所構成截波電路及其輸入信號vi(t)，D1 與D2 於順偏時可視為理想，而其在反偏之崩潰電壓分別為VZ1 = 6 V 與VZ2 = 4 V，輸出信號vo(t)的平均值電壓應為多少？
(A) -0.375 V
(B) -0.125 V
(C) 0 V
(D) 0.25 V
正解：A

第 15 題
如圖所示以電容器C1~C3、理想變壓器及理想二極體D1~D3 所構成之倍壓電路，輸入弦波信號且在穩定狀態下電容器C2 所跨電壓為VC2 = 20 伏特，電容器C1 與C3 所跨電壓和（VC1+VC3）應約為多少？
(A) 20 V
(B) 30 V
(C) 40 V
(D) 50 V
正解：C

第 16 題
vi(t) = 8sin(ωt)伏特通過圖示的理想箝位電路，輸出信號的最大值與最小值分別為A 與B，則A+B 之值為多少？
(A) -12 V
(B) -8 V
(C) 12 V
(D) 20 V
正解：B

第 17 題
如圖所示之電路，假設二極體為理想，求其輸出電壓vout 之漣波電壓（ripple voltage）值為何？
(A) 0.22 V
(B) 1.88 V
(C) 3.55 V
(D) 5.66 V
正解：B

第 18 題
如圖所示為此二極體電路之轉移函數，假設二極體皆有開啟電壓VD,on，當電路操作於區域II 時，D1與D2 的狀態分別為何？
(A) D1 on, D2 off
(B) D1 off, D2 on
(C) D1 on, D2 on
(D) D1 off, D2 off
正解：D

第 19 題
在整流電容濾波器中，若負載不變時，濾波電容量愈大，則輸出端的漣波電壓為下列何者？
(A) 愈大
(B) 愈小
(C) 不變
(D) 不一定vi(t)vo(t)+-D1D2Rvi(t)+-tτ 2τ8-8N1：N2VC2VC1VC3C3C2C1D1D2D3vo(t)+-+-vi(t)-C4Vvout+-AC 20 Vrms60 Hz50 μF5 kΩVoutVinD1VinVoutRRD2IIIIIIRD+
正解：B

第 20 題
如圖所示整流電路，D1 耐壓至少為多少？
(A) Vm
(B) 2 Vm
(C) 3 Vm
(D) 4 Vm
正解：B

第 21 題
如圖所示二極體電路，若所有二極體為理想二極體，則電路中電流I 為多少？
(A) -1 mA
(B) 0 mA
(C) 1 mA
(D) 3 mA
正解：D

第 22 題
對於半波整流電路，若AC 電源頻率為60 Hz，則其經整流後之漣波頻率為下列何者？
(A) 30 Hz
(B) 60 Hz
(C) 120 Hz
(D) 240 Hz
正解：B

第 23 題
如圖所示電路，若VCC = 12 V，VCE = 12 V，則此電晶體的工作區為何？
(A) 主動區（active region）
(B) 截止區（cutoff）
(C) 三極管區（triode region）
(D) 飽和區（saturation region）
正解：B

第 24 題
如圖所示之電路，其中電晶體之爾利（Early）電壓VA 皆為∞，求此電路之小信號輸出阻抗值為何？
(A) (1/gm1) // (1/gm2)
(B) rπ1 // rπ2
(C) rπ1 + rπ2
(D) (1/gm1) // rπ1D1D2C1C2+-VoVm10：1110 V50 Hz7 V3 V-3 V5 V4 V1 kΩIVCC = 12 VREVCE+-RCVB+-VCCvoutQ1Q2vinVB+-
正解：D

第 25 題
如圖所示之放大器電路，電晶體M1 之參數如下：Vth1 = 0.4 V，μn1Cox = 200 μA/V2，且λ1 = 0，假設此電路之小信號輸入阻抗為50 Ω，直流偏壓電流ID = 1 mA，求電晶體M1 之W/L 值為何？
(A) 
(B) 
(C) 
(D) 
正解：D

第 26 題
如圖所示之電路，其中電晶體之參數為β = 120，VT = 26 mV，VBE(on) = 0.7 V 且爾利（Early）電壓VA = ∞，求此電路之小信號電壓增益值為何？
(A) 37
(B) 47
(C) 57
(D) 67
正解：B

第 27 題
如圖所示之電路，假定β = 100 且VBE(on) = 0.7 V，若電晶體之直流工作點VCEQ = 5 V 且ICQ= 10 mA，求RB 之值為何？
(A) 34 kΩ
(B) 68 kΩ
(C) 102 kΩ
(D) 136 kΩVDDRDvoutM1vinvout50 Ω20 kΩ10 kΩ10 kΩ20 kΩ10 kΩ+30 Vvin10 VRBRC250 ΩICQVCEQVBE++--
正解：B

第 28 題
如圖所示之共射極放大器，IC = 1 mA 且VBE = 0.8 V。假設電晶體於飽和時之VCE(sat) = 0.3 V，請問在保持放大器的正常操作下，RL 最大的可允許值為何？
(A) 2.5 kΩ
(B) 4.2 kΩ
(C) 4.7 kΩ
(D) 6 kΩ
正解：C

第 29 題
請問下列何種電路架構為反相放大器？
(A) 共汲極放大器
(B) 共射極放大器
(C) 共閘極放大器
(D) 共集極放大器
正解：B

第 30 題
如圖所示為一MOSFET 疊接（cascode）放大器，下列何者不是此架構的特性？
(A) 與共源極放大器相比有較高的輸出阻抗
(B) 與共源極放大器相比有較小的電壓增益
(C) 與共源極放大器相比有較大的頻寬
(D) 與共源極放大器相比需較高的偏壓電源
正解：B

第 31 題
若PNP 型雙極性電晶體（BJT）之IB = 0.1 mA，IE = 6 mA，且β = 99，則：
(A) 工作在主動區，VCB = -0.8 V
(B) 工作在主動區，VCB = 0.8 V
(C) 工作在飽和區，VCB = -0.8 V
(D) 工作在飽和區，VCB = 0.8 V
正解：D

第 32 題
如圖所示之偏壓電路，調整可變電阻VR 的大小使下列何者為0 時，可測得JFET 之夾止電壓（VP）？
(A) VGS
(B) IG
(C) VGD
(D) ID5 VRLVoViVBEIC+-VDDRLVoViVGIDVRIG10 V10 VGDSJFET++--
正解：D

第 33 題
如圖所示為史密特觸發電路及其輸入-輸出轉移特性曲線，其中OPA 為理想，若R2 為3 kΩ，則R1的電阻值約為多少？
(A) 1.5 kΩ
(B) 3 kΩ
(C) 6 kΩ
(D) 9 kΩ
正解：B

第 34 題
如圖所示電路為由理想OPA 構成的雙穩態振盪器，輸入vI 為-5 及1 伏特時都無法改變輸出vO 的原始儲存值（無論是+12 或-12 V），則電路中的偏壓電源VR 可能為下列那一電壓值？
(A) -3 V
(B) 0 V
(C) 1.5 V
(D) 3 V
正解：A

第 35 題
如圖所示韋恩電橋振盪器（Wien-bridge oscillator），其所產生的波形為下列何者？
(A) 方波
(B) 弦波
(C) 鋸齒波
(D) 三角波
正解：B

第 36 題
如圖所示為一哈特萊（Hartley）振盪器，其電晶體的偏壓部分並未畫出，L1 = 40 μH，L2 = 10 μH，C = 100 pF，R = 1 kΩ，振盪器的振盪頻率約為多少？
(A) 1.59 MHz
(B) 2.25 MHz
(C) 5.63 MHz
(D) 10 MHzRQL1L2CvI6 VvO-12 V-12 V+12 VvOVRvI1 kΩ3 kΩR2R1RRCC-+vOvIvOR1R2
正解：B

第 37 題
如圖所示為一直接耦合的串級放大器，兩個電晶體的β = 100，NPN 電晶體的VBE,active 與PNP 電晶體的VEB,active 均為0.7 V。計算偏壓電流時可忽略電晶體的基極電流，VT = 25 mV 並忽略爾利效應（Earlyeffect），求小信號增益vo/vi？
(A) -100
(B) -200
(C) 13,360
(D) 40,000
正解：C

第 38 題
如圖所示為韋恩電橋振盪器（Wien-bridge oscillator），已知R = 10 kΩ，C = 16 nF，請問使此電路產生振盪的基本條件R2/R1 值應為多少？
(A) 1
(B) 2
(C) 3
(D) 4
正解：B

第 39 題
如圖所示之非穩態電路，輸出vo 的飽和電壓在± 10 V，其R1 = 100 kΩ，R2 = R = 1 MΩ且C = 0.01 μF，試問電容器上的電壓由某一負臨界電壓（threshold voltage）轉換到下一個正臨界電壓約需花多少時間？
(A) 1.825 ms
(B) 3.650 ms
(C) 8.33 ms
(D) 16.66 ms
正解：A

第 40 題
承上題，試問振盪頻率fo 為多少？
(A) 137 Hz
(B) 274 Hz
(C) 548 Hz
(D) 1096 Hz4.3 kΩ5 kΩ4.3 kΩ5 kΩ10 kΩ5 kΩC=∞C=∞+15 VvivoVoVaCRRCR1R2R1R2v+vRCvo+VCC-VCC-
正解：B

題目與答案為考試當年公告版本，實務標準請以現行規範為準。