電子工程 108 年電子學大意考古題（共 40 題）
資料來源：考選部歷屆試題｜法律人 LawPlayer 整理
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第 1 題
某FET 工作在飽和區（Saturation
(A) 增強型NMOS
(B) 增強
正解：D

第 2 題
下列有關矽PN 接面二極體的敘
(A) 二極體為順偏且固定電壓時
(B) 二極體為順偏且固定電流時
(C) 二極體逆偏崩潰電壓若大於
(D) 二極體的飽和電流之溫度係
正解：A

第 3 題
一個電壓v 對時間t 的函數為square value）：3.54
(A) 伏特5
(B) 伏
正解：A

第 4 題
如圖所示為一CMOS 反相器，QN 之小信號轉導gm = 1 mA/V求小信號增益vo/vi（選最接近之
(A) -10
(B) -18
正解：B

第 5 題
如圖所示之電路，OP AMP 為理R/2
(B) 3R/2政府公務人員考試試題座號選出一個正確或最適當的答案，複選作答者，該題n Region），其|iD|-vGS關係如圖所示，|iD|是汲極電強型PMOS
(C) 空乏型NMOS
(D) 敘述，何者正確？，電流會隨溫度上升而上升，電壓會隨溫度上升而上升20 V，崩潰電壓之溫度係數為負值數為負值v(t) = 20 + 5 sin(2πft) V，f=60 Hz。求其AC 信伏特7.07
(C) 伏特
(D) 在輸入端與輸出端之間接上1 MΩ 之電阻作為，ro = 30 kΩ；而電晶體QP 之小信號轉導gm =之值）。
(C) -30
(D) 理想。求vi/i。2
(C) 2R
(D) 0Vt|iD|vGSVDDQPQNC=∞C=∞vovi1MΩvoviiRR3R2R座號：題不予計分。上作答者，不予計分。電流之大小，則此FET 為：
(D) 空乏型PMOS號的均方根值（root mean20
(D) 伏特為放大器之用。若電晶體= 0.5 mA/V，ro = 20 kΩ，
(D) -75
(D) 3R
正解：B

第 6 題
如圖，CMOS 場效電晶體的輸
(A) 拉上（pull-up）至VDD
(C) VDD/2
正解：A

第 7 題
有一個時間常數為1 ns，電容（duration）5 ns 的方形波。設此
(A) 無窮大
(B) 10 k
正解：B

第 8 題
在印刷電路板上的數位IC，其
(A) 增加電流量
(C) 提高工作速度
正解：B

第 9 題
有一放大器電路如圖所示，放間，二極體D1、D2 順向電壓均兩個二極體導通的狀態為何？
(A) 二極體D1、D2 均導通
(C) 二極體D1 導通、二極體D2
正解：C

第 10 題
如圖所示之電路，運算放大器2.5 kΩ
(B) 5 kΩ輸入端vI 接地時，其輸出端vo 是處於下列何種狀
(B) 拉下（pull-down）至地
(D) QP與QN 皆關閉，輸出浮容值為100 fF 的RC 低通濾波器，設其驅動電此電路在方形波注入前後均無其他輸入信號，則kΩ
(C) 1 kΩ
(D) 其電源接腳旁經常有一顆0.1 μF 的電容器，其作
(B) 消除電源線中的雜訊干擾
(D) 減少功率消耗大器U1 為理想運算放大器，其輸出電壓範圍均為VD＝0.7 V，電阻R1、R2、R3 均為1 kΩ
(B) 二極體D1、D2 均不導通2 不導通
(D) 二極體D1 不導通、二極為理想，求此電路之輸入阻抗值為何？Ω
(C) 7.5 kΩ
(D) VDDQNQPvIvoR2R1BACD1DD2U1R3VI5kΩ2.5kΩVoutVinZi狀態？浮接電壓是一個振幅10 V，寬則此濾波器之電阻值為何？
(D) 100 Ω作用是下列那一項功能？擾圍侷限在+10 V 與-10 V 之Ω，電源VI＝-5 V，試問通極體D2 導通
(D) 10 kΩ
正解：A

第 11 題
如圖所示之放大器電路，其中二
(A)
(B)

第 12 題
有一差動放大器，其一端輸入共模拒斥比（CMRR）為10，9.5 mV
(B) 11.5
正解：B

第 13 題
圖示的二極體-電容器倍壓電路之峰值逆向電壓PIV1 與PIV2V
(A) C2=10 V
(B) PIV
正解：D

第 14 題
橋式整流-電容濾波電路（二極1.414%，若負載電阻R 改變為0.707
(A) 倍
(B) 1 倍
正解：B

第 15 題
如下圖所示，若稽納二極體（位電路正常工作？

第 16 題
(A)V
(B)14 VVoutVin二極體及運算放大器均為理想。此電路之電壓轉
(C)
(D)Vi1 ＝100 μV，另一端輸入Vi2 ＝50 μV，且此則其輸出電壓為何？5 mV
(C)13.5 mV
(D)路於穩定狀態時電容器C1 所跨電壓VC1=10 V的敘述何者錯誤？V1=20 V
(C)PIV2=20 V
(D)極體為理想且RC 時間常數遠大於輸入信號為原先的1.414 倍且漣波因素為1%時，電容值倍1.414
(C)倍
(D)Zener diode）的VZ＝10 V，輸入電壓Vi 為多少V
(C)12 V
(D)VoutVinRLVoutVoutVinVinVC1VC2PIV1PIV2C1C2D2D1N1：N2VOViR1R220kΩ10kΩVZ轉移特性圖為下列何者？
(D)此放大器之Acm 為20，而
(D)15.5 mV，下列有關VC2，D1 及D2
(D)VC2+PIV2=40 V號週期）中之漣波因素為值C 需為原先的多少倍？2.828
(D)倍少才可使此稽納二極體箝
(D)10 VVoutVin16「橋式整流電路」中二極體之反體的：
(A) V
(B) 14 VVoutVin二極體及運算放大器均為理想。此電路之電壓轉
(D) Vi1 ＝100 μV，另一端輸入Vi2 ＝50 μV，且此則其輸出電壓為何？5 mV
(C) 13.5 mV
(D) 路於穩定狀態時電容器C1 所跨電壓VC1=10 V的敘述何者錯誤？V1=20 V
(C) PIV2=20 V
(D) 極體為理想且RC 時間常數遠大於輸入信號為原先的1.414 倍且漣波因素為1%時，電容值倍1.414
(C) 倍
(D) Zener diode）的VZ＝10 V，輸入電壓Vi 為多少V
(C) 12 V
(D) VoutVinRLVoutVoutVinVinVC1VC2PIV1PIV2C1C2D2D1N1：N2VOViR1R220kΩ10kΩVZ轉移特性圖為下列何者？
(D) 此放大器之Acm 為20，而
(D) 15.5 mV，下列有關VC2，D1 及D2
(D) VC2+PIV2=40 V號週期）中之漣波因素為值C 需為原先的多少倍？2.828
(D) 倍少才可使此稽納二極體箝
(D) 10 VVoutVin16「橋式整流電路」中二極體之反體的：
(A) 兩倍
(B) 一樣
正解：C

第 17 題
下圖為一整流器，若各二極體之導若輸出漣波電壓< 0.1 V，C=1050 k
(A) Ω500
正解：A

第 18 題
下圖中二極體D1 與D2 之導通為0.7 V，崩潰電壓皆為5 V，正確？
(A) vo(t)之振幅為10 V
(B) vo(t)
正解：B

第 19 題
理想箝位電路及其輸入信號vi(6
(B) 8
正解：C

第 20 題
圖示由理想二極體構成電路，7
(A) mA
(B) 4 m
正解：B

第 21 題
雙極性電晶體（BJT）共基極電β=α/(α
(A) -1)
(B) β= (6-4反向峰值電壓（PIV）值大約是「變壓器中間抽樣大
(C) 一半
(D) 導通電壓皆為0 V，導通電阻皆為0 Ω，輸入信號為00 μF，則電阻R 之最小值為何？kΩ5 M
(C) Ω
(D) 通電壓為0.7 V，導通電阻為0 Ω，稽納二極體導通電阻為0 Ω。輸入信號為弦波，vi (t)= 10)之振幅為5.7 V
(C) vo(t)之振幅為4.3 V
(D) (t)如圖，則該二極體D 承受的最大逆向電壓P
(C) 10
(D) 若電阻R 為1 kΩ，則電流I 為多少毫安（mAmA
(C) 2 mA
(D) 電流增益α 與共射極電流增益β，兩者之關係為(α-1)/α
(C) β=α/(1-α)
(D) vovsRCD1D3D4D2100ΩD2D1Z1Z2vovi+－－+vi(t)vo(t)vi(t)tDC2VRvOI+1 V+2 V+4 VR抽頭式整流電路」中二極
(D) 四分之一為弦波，vs(t)= 5 sin (10πt) V，50 M
(D) Ω體Z1 及Z2 之導通電壓皆sin 10t V，下列敘述何者
(D) vo(t)之振幅為0.7 VPIV 約為多少伏特（V）？
(D) 12A）？
(D) 1 mA為：
(D) β=α/(1+α)
正解：C

第 22 題
如圖所示二極體電路，假設二C=47 μF、VDC=3 V、R 為無窮
(A) -3.7 V
(B) -4.3
正解：D

第 23 題
請問如圖所示放大器之集極電0.7 V。0.3 mA
(B) 3 m
正解：B

第 24 題
若將雙極性電晶體（BJT）的集
(A) 耐壓提高，增益降低
(B) 耐壓
正解：D

第 25 題
圖中電晶體M1 之μnCox(W/L)=在飽和區，Vo= 4V，則R 值為1
(A) kΩ
(B) 1.8 k
正解：C

第 26 題
圖中電晶體M1 之μnCox(W/L)1=效應，則Vo =？4.9 V
(B) 4.8 VDCvSVDC極體導通電壓VD=0.7 V。已知電壓vs(t)為方波大，在穩態時，輸出vO 電壓的最大負值約為多V
(C) -6.3 V
(D) 流IC 為何？假設電晶體之電流增益β 為100mA
(C) 0.7 mA
(D) 集極與射極對調使用，則下列何者正確？壓不變，增益降低
(C) 耐壓降低，增益不變
(D) =0.5 mA/V2，臨界電壓VT =0.8 V，若忽略通道調為何？kΩ
(C) 2.2 kΩ
(D) = 0.5 [ μnCox(W/L)2]= 0.5 mA/V2，臨界電壓VTV
(C) 2.8 V
(D) RvOvDiDvSVD10ms8ms10kΩ1.0Vβ=100IC1kΩ5VM1RVo5VM1M2Vo100Ω1mA波，波形如下右圖所示、多少？
(D) -8.3 V，基極與射極導通壓降為
(D) 7 mA
(D) 耐壓降低，增益亦降低調變效應且M1 維持操作
(D) 4 kΩ=0.8 V，若忽略通道調變
(D) 0.1 V12V0Vt
正解：B

第 27 題
圖中電晶體M1 操作在飽和區| vo / vs | =？100
(B) 10
正解：C

第 28 題
將圖示放大電路的電晶體輸入該電阻RB 約為多少？已知RC =1.5 kΩ
(B) 10 k
正解：C

第 29 題
圖示之增強型MOSFET 放大器Vth= 1 V 且μnCox(W/L) =2 mA/V8 V
(B) 6 V
正解：B

第 30 題
增強型MOSFET 分壓式偏壓共R2 = 400 kΩ、R3 = 1.5 kΩ 及R4幅3 V，求輸入小信號之振幅約大工作區。0.03 V
(B) 0.06區，輸出阻抗ro= 10 kΩ，轉導值gm=10 mA/V
(C) 90/11
(D) 特性以定壓降0.5 V 模型化後，如果想要得到= 1 kΩ。kΩ15
(C) kΩ
(D) 器中，MOSFET 的輸出直流偏壓VDSQ 等於多V2。
(C) 5 V
(D) 共閘極放大器中，MOSFET 的μnCox(W/L) = 4 mA/4 = 3 kΩ，測得流經電阻R3 的直流偏壓電流為約為多少？其中，該放大器之偏壓電路等可提6 V
(C) 0.25 V
(D) 1kΩvovsIVDDM1C=∞+－RC10V2VRBICQIBQIB(μA)VBE(V)0.5β=5012VVDSQ1.5kΩ6MΩ2MΩVDDvoviR1R2R3R4CGCDCSV，電流源I 為理想，則
(D) 5到5 V 的輸出直流工作點，40
(D) kΩ多少？電晶體的臨界電壓
(D) 4 V/V2，電阻值R1 = 800 kΩ、為2 mA 及輸出弦波信號振提供該MOSFET 正確的放
(D) 0.5 V
正解：D

第 31 題
圖示雙極性接面電晶體（BJT）為電流源的主要原因為何？
(A) 阻抗RO 太小
(C) 電流IO 與IREF相差太大
正解：A

第 32 題
如圖為共集（CC）放大器（其訊號參數gm、re、rπ 均為已知R
(A) L/(re + RL)
(B) RL/(
正解：A

第 33 題
如圖所示為非反相施密特觸發一偏壓電源VR =2 V，若此電路多少伏特（V）？
(A) -10 V
(B) 0 V
正解：D

第 34 題
變壓器耦合串級放大電路中第壓VT = 25 mV，Q1 與Q2Av1=vo1/vi1=Av2=vo2/vi2，求負載R2
(A) kΩ
(B) 1.6 kC1vi1:8）電路，其中IO 為輸出電流，電晶體Q1 與Q2 特
(B) 阻抗RREF太大
(D) Q1 不在主動區（Active其偏壓電路未繪示），設電晶體工作於主動模式，輸出電阻ro→∞，電壓增益ovivAv≡為：(rπ+ RL)
(C) RL/[(rπ + (β + 1) RL)]
(D) 電路，其OPA 為理想並使用±10 V 的電源電壓路vI先輸入10 V 一段時間後，vI 再改輸入為0
(C) 5 V
(D) 1、第2 級放大電路具有相同的基極偏壓電流的β 值與爾利電壓（Early voltage）均相RL 約為多少？kΩ
(C) 600 Ω
(D) VCCROIORREFR1Q1Q2IREFVCCRsigvivoVsigRLvOvIVR+－1kΩ2kΩRLREC2C1R2REC2R2R1R1Q1Q2VCCvvi1vi2vo2vo15:14:18特性相同，此電路不能作Region）工作式（active mode），其小
(D) RL/( β + 1)(re + RL)壓，於OPA 反相輸入端加V，則最終輸出電壓約為
(D) 10 V流IB1=IB2=10 μA，其中熱電相同。若欲使電壓增益
(D) 200 ΩLvo
正解：B

第 35 題
R1=R2且C1=C2 的韋恩電橋（W幅為2 V 時，則輸出vO的有效值1.414
(A) V
(B) 2 V
正解：C

第 36 題
RC 串級放大電路於未耦合前的忽略電容效應，求該串級放大4000
(B) 200
正解：C

第 37 題
造成積體電路放大器在高頻的
(A) 電導
(B) 電感
正解：D

第 38 題
某電路之轉移函數：(( )(oiVT sV=
(A) 低通響應
(C) 高頻增益為10 dB
正解：A

第 39 題
圖示電路，當電路正常工作時
(A) 弦波
(B) 方波
正解：C

第 40 題
如圖為一共射（CE）放大器電Cμ）中，以何者對放大器的低C
(A) c1
(B) Cc2Ri1=1viWien-bridge）振盪電路如圖，當該電路發生等幅振值vO,rms約為多少伏特（V）？其中理想OPA 的
(C) 4.24 V
(D) 的各單級放大電路示意圖含輸出/輸入電阻、電電路的總電壓增益？0
(C) 800
(D) 衰減，主要的原因為放大器內部的：感
(C) 電洞
(D) ( )10( )100sss=+，下列有關T(s)之敘述，何者正確
(B) 直流增益為0
(D) 增益為10 dB 時的頻率為，問電壓v1 的波形為何？波
(C) 三角波
(D) 路，在一般情況下，此三個外加電容以及電晶頻響應影響最大？
(C) CE
(D) C1RRfR2R1C2VOkΩRo1=3kΩRo2=2kΩRi2=1kΩRL=8kΩvo2vo1vi2voR2R1RCv1v2vovsigRsigCc1Cc2RCRLRBCEI-VEEVCC+－Vf振盪時，若能測得Vf 的振的輸入電源為±12 V。
(D) 8.48 V電壓增益及負載如圖所示，
(D) 400
(D) 電容確？為100 rad/s
(D) 階梯波晶體的內部極際電容（Cπ、
(D) Cπ
正解：C

題目與答案為考試當年公告版本，實務標準請以現行規範為準。