電子工程 108 年電子學考古題（共 5 題）
資料來源：考選部歷屆試題｜法律人 LawPlayer 整理
https://lawplayer.com/exam/electronic-engineering/108-electronics

第 1 題
如圖一，假設所有二極
和1 mA 以上的二極體
特性圖）。（20 分）

第 2 題
如圖二，R1=R4=1 kΩ，R
C1=∞，C2=∞，在直流偏
（5 分）總增益（over
fH=？（5 分）
VI
Vs
-
+
種考試地方政府公務人員考試
工程
座
試題題號及答案依照順序寫在試卷上，於本試題
理公式外，應使用本國文字作答。
極體在0.5 V 時開始導通，同時其
體壓降固定在0.7 V，請畫出Vo
圖一
R2=60 kΩ，R3=2 kΩ，β=200，Cµ=0
偏壓之工作點VBE=0.7 V，求gm
rall gain at midband）Gv=Vo/Vs=
圖二
R
Vo
D1
D3
D2
D4
C1
C2
R1
R2
R3
R
Rin
+1.5V
-
+
考試試題
座號：
題上作答者，不予計分。
其導通電流在1 mA
o-VI 圖（輸出-輸入
0.8 PF，fT=600 MHz，
m=？（5 分）rπ=？
=？（5 分）3dB 點
R4
Vo

第 3 題
如圖三，Q1、Q2之β=15
Vo
Vs = ？（10 分）

第 4 題
圖四為通用缺口式濾波
波器（Low Pass Notch

第 5 題
圖五為單一電晶體DR
此單元在讀取0、1 資
（20 分）
Vs
NM
V
50，其中R1=R2=200 Ω，R3=15 kΩ
圖三
波器之電路圖，此電路若要調整
h，LPN），其L、C 元件之關係為
圖四
RAM（one-transistor DRAM）單
料的工作原理（假設Bit line cap
圖五
V
L1
L2
C1
C2
R
Word line
MOS
Bit line
Q
Cs
Rin
R1
R2
R3
Q1
Q2
Vo
Vs
+5V
+5V
0.4mA
Ω，求Rin=？（10 分）
整組成低通缺口式濾
為何？（20 分）
單元（cell），請說明
pactiance 為CB）？
Vo
+
-

題目為考試當年公告版本，實務標準請以現行規範為準。