電子工程 109 年電子學大意考古題（共 40 題）
資料來源：考選部歷屆試題｜法律人 LawPlayer 整理
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第 1 題
N 型半導體的主要載子為：
(A) 電洞
(B) 中子
(C) 質子
(D) 電子
正解：D

第 2 題
一個二極體pn 接面逆偏時，所存在的主要電容是：
(A) 空乏電容
(B) 擴散電容
(C) 耦合電容
(D) 旁路電容
正解：A

第 3 題
圖示MOS 場效電晶體電路，電晶體之Vt= 1 V、μnCox(W/L) = 2 mA/V2，若電晶體在飽和區工作，則電壓VD 的最小值為若干V？
(A) 1
(B) 2
(C) 3
(D) 4
正解：A

第 4 題
圖示電路中場效電晶體（FET）之Vt = −0.7 V，下列電壓何者可使電晶體工作在三極管區（TriodeRegion）？
(A) VG = 1 V、VD = 1 V
(B) VG = 2 V、VD = 3 V
(C) VG = 3 V、VD = 2 V
(D) VG = 4 V、VD = 5 V
正解：B

第 5 題
有一運算放大器如下圖所示，已知其轉移方程式（transfer function）為V3=1002×V2−998×V1，請問其共模排斥比CMRR（common-mode rejection ratio）約為多少？
(A) 24 dB
(B) 36 dB
(C) 48 dB
(D) 60 dB2MΩ2MΩ1kΩRDVDVDVG4V+4VVCC-VEEV1V2V3−
正解：C

第 6 題
如圖為定電流源電路，若Q1和Q2電晶體的輸出阻抗ro和電流增益β 所引起的效應不計，已知VCC = 5 V，VBE = 0.7 V，欲使電流為Io = 1mA，試求電阻R =？
(A) 5.7 kΩ
(B) 4.7 kΩ
(C) 4.3 kΩ
(D) 3.3 kΩ
正解：C

第 7 題
設計類比電路時，若採用NPN 或PNP 雙極性接面電晶體（BJT），一般情形最常使用到BJT 的那一種偏壓模式？
(A) 飽和模式（Saturation mode）
(B) 線性模式（Linear mode）
(C) 順向主動模式（Forward active mode）
(D) 逆向主動模式（Reverse active mode）
正解：C

第 8 題
有一矽雙極性接面電晶體（Si-BJT）電路及輸入接腳VI1、VI2的電壓波形如下所示，VCC=5V，R1=R2= 1 kΩ，R3= R4= 100 Ω，CL= 5 μF，電晶體電流增益βQ1=βQ2= 100。試研判輸出接腳VO 在高準位輸出（VO@HI）時最可能的工作電壓。
(A) VO@HI= 5 V
(B) VO@HI~ 4.8 V
(C) 4.8 V> VO@HI> 4.3 V
(D) VO@HI< 4.3 V
正解：D

第 9 題
CMOS 反相器結構係由一個n 通道增強型MOSFET 與一個p 通道增強型MOSFET 組成，p 通道MOSFET 之源極接VDD，n 通道MOSFET 之源極接地。下列何者正確？
(A) 若閘極輸入電位為0，p 通道MOSFET 導通
(B) 若閘極輸入電位為VDD，輸出電位將為VDD/2
(C) 若CMOS 輸出電位為0，n 通道MOSFET 關閉
(D) 若CMOS 輸出電位為VDD，將有電流持續通過兩個MOSFETIo=1mAQ1Q2RQ1Q2R1R2R3R4VI1VI2VOVCCCLVI1VI25V5V0V~4V~2V~2V5V0V00t1t1t2t2ttTT~4V
正解：A

第 10 題
如圖所示為一CMOS 反相器在輸入端與輸出端之間接上1 MΩ 之電阻作為放大器之用。兩個電晶體QN 與QP 特性相同；μnCox = μpCox = 20 μA/V2，(W/L)n = (W/L)p= 10，Vtn = |Vtp| = 0.5 V。若VDD = 5 V，則電晶體QN 的汲極直流偏壓電流為多少？
(A) 100 μA
(B) 200 μA
(C) 400 μA
(D) 1.6 mA
正解：C

第 11 題
一個OP AMP 的輸出的上下限為±10 V，迴轉率（slew rate）為1 V/μs，單增益頻寬ft = 1 MHz。若輸出訊號為正弦波，其振幅為10 V，所能操作的最大頻寬最接近下列何值？
(A) 16 kHz
(B) 100 kHz
(C) 160 kHz
(D) 1 MHz
正解：A

第 12 題
下列有關雙極性電晶體（BJT）共集極（CC）組態放大器的敘述，何者正確？
(A) 電壓增益大於1
(B) 電流增益大於1
(C) 低輸入電阻
(D) 高輸出電阻
正解：B

第 13 題
如圖所示為一箝位電路，若VE 為35 V 時，整個迴路的電流I 是多少？
(A) 3.5 mA
(B) 5 mA
(C) 10 mA
(D) 35 mA
正解：C

第 14 題
圖示為箝位電路及其輸入信號，其中D 為理想二極體且RC 時間常數遠大於輸入信號之週期，決定輸出信號的直流準位為多少伏特？
(A) −15 V
(B) −5 V
(C) 5 V
(D) 15 V
正解：D

第 15 題
電容器及理想二極體所構成之倍壓電路如圖，輸入信號vi(t) = Vpsin(377t) volt 且電容器C3於穩定狀態時所跨電壓VC3 = 30 volt，下列敘述何者正確？
(A) VC1=30 V
(B) VC2=60 V
(C) VC4=90 V
(D) Vp=150 V1MΩ2.5kΩVDDQPQNvoviC=∞C=∞VE35VVZ =10VPD(max)=500mWRCD5VRvi(t)vi(t)vo(t)tvi(t)10-1010：1VC3VC4VC1VC2C2C1C3C4D3D4D2D1I
正解：D

第 16 題
如圖所示的兩不同截波電路中，二極體均視為理想且輸入信號均為vi(t) = 8sin(ωt) volt，VR = 2 volt，則輸出vo1最大值與輸出vo2最小值之間的電壓差為多少伏特？
(A) 4 V
(B) 6 V
(C) 10 V
(D) 12 V
正解：A

第 17 題
如圖所示之電路，假如二極體為理想，求其輸出電壓之平均值為何？
(A) 11.6 V
(B) 21.6 V
(C) 24.6 V
(D) 110 V
正解：B

第 18 題
如圖所示電路之主要功能為何？
(A) 運算
(B) 放大
(C) 整流
(D) 倍壓
正解：C

第 19 題
如圖所示之電路，VIN 為一正弦波（DC 值為0 V，振幅= 10 V），假設RL= 1 kΩ，求VOUT 為何？
(A) 10 V
(B) 20 V
(C) 30 V
(D) 40 V
正解：B

第 20 題
如圖所示之電路，最高與最低輸出電壓各為何？假設D1與D2為理想且Vin = 5 V（峰值），R1 = 1 kΩ，VB1= 1 V，VB2= 1.5 V。
(A) 正6 V 與負6.5 V
(B) 正1 V 與負1.5 V
(C) 正4 V 與負3.5 V
(D) 正6 V 與負3.5 V
正解：B

第 21 題
利用「橋式整流電路」做交流全波整流，其輸出波形之峰值大小比起原輸入訊號Vs 峰值大小：
(A) 大一個二極體順向啟動電壓
(B) 大兩個二極體順向啟動電壓
(C) 小一個二極體順向啟動電壓
(D) 小兩個二極體順向啟動電壓vi(t)vi(t)vo1(t)vo2(t)RRDDVRVRvoutAC110Vrms60HzN1：N2=110：24VoutC1D1RLVinD1D2VOUTVINRLC1C2VinVinVoutVB1VB2D1D2R1t5V−+−++−
正解：D

第 22 題
Vs(t)= 10 sin(377t ) V 的小訊號交流電源經過橋式整流電路後，其輸出漣波頻率約為：
(A) 30 Hz
(B) 60 Hz
(C) 120 Hz
(D) 377 Hz
正解：C

第 23 題
電路上某npn 雙極性接面電晶體（BJT）工作在截止區（Cutoff），已知電路之電源電壓VCC = 10 V，下列何者正確？
(A) VCE = 0 V
(B) VCE = 0.7 V
(C) VCE = 8 V
(D) VCE = 10 V
正解：D

第 24 題
如圖所示之放大器電路，假設其直流偏壓電流IDS =0.5 mA（直流偏壓電路未示於圖中），電晶體M 之參數如下：μnCox= 200 μA/V2，VTH = 0.4 V，且λ = 0；求此放大器電路之小信號電壓增益之值為何？
(A) −9.43
(B) −11.43
(C) −13.43
(D) −15.43
正解：A

第 25 題
如圖所示之電路，假設電晶體之參數如下：μnCoxW/L = 2 mA/V2，VTH = 1 V 且λ = 0；跨在電晶體上之直流電壓VDS 最接近下列何值？
(A) −4.95 V
(B) −5.75V
(C) 4.95 V
(D) 5.75 V2kΩ10kΩ5kΩ4kΩVCC =10VVBEVCERCREvoutvinVDD =1.8VIDSM200.18WL VDSvivout−5V+5V
正解：C

第 26 題
如圖所示之電路，假設電晶體M1之參數如下：μnCoxW1 /L1 = 32 mA/V2，VTH1 = 2 V 且λ1 = 0；電晶體M2之參數如下：μnCoxW2 /L2 = 8 mA/V2，VTH2 = 2 V 且λ2 = 0；求VDS1之值為何？
(A) 2 V
(B) 4 V
(C) 6 V
(D) 8 V
正解：B

第 27 題
如圖所示之放大器電路，電晶體J 之參數如下：IDSS = 8 mA，VP = −4 V，求此電路之小信號電壓增益值為何？
(A) 0.67
(B) 0.77
(C) 0.87
(D) 0.97
正解：A

第 28 題
如圖所示具有射極電阻之共射極放大器，其輸入電阻RIN約為何？假設電晶體之gm為10 mA/V，β = 100。
(A) 10 kΩ
(B) 20 kΩ
(C) 30 kΩ
(D) 40 kΩ
正解：B

第 29 題
如圖所示之小訊號模型為一共源極放大器，其等效輸入電容CIN 為何？
(A) CGD + CGS (1+|gmRL|)
(B) CGD + CGS (1−|gmRL|)
(C) CGS + CGD (1+|gmRL|)
(D) CGS + CGD (1−|gmRL|)1MΩ250kΩ2kΩ2kΩ100ΩVDD =8VVG1=3VM2M1vivoJ+10VRINCGDCGSgmvGSvGSCINRLvivo−+
正解：C

第 30 題
MOSFET 操作於三極管區（triode region），且汲極與源極跨壓微小時，可等效成下列何種元件？
(A) 電壓控制之可變電阻
(B) 電壓控制之可變電容
(C) 電流控制之可變電阻
(D) 電流控制之可變電容
正解：A

第 31 題
設雙極性電晶體（BJT）的α 值由0.96變化至0.99，則β 值由多少變為多少？
(A) 由24變為90
(B) 由24變為99
(C) 由25變為75
(D) 由30變為60
正解：B

第 32 題
某雙極性電晶體（BJT）的ICBO 為2 μA，其β 值為50，則其ICEO 應為：
(A) 50 μA
(B) 70 μA
(C) 100 μA
(D) 120 μA
正解：C

第 33 題
如圖所示的相移振盪電路中的C = 1 nF、Rf = 145 kΩ，決定該電路發生等幅振盪時之正弦波頻率約為多少Hz？
(A) 13 kHz
(B) 21 kHz
(C) 50 kHz
(D) 62 kHz
正解：A

第 34 題
圖示電路為CMOS 運算放大器，則下列敘述何者正確？
(A) Q1與Q2是AB 類功率放大器
(B) Q3與Q4提供主動負載
(C) Q5為共閘極放大器
(D) Q6與Q8提供保護電路
正解：B

第 35 題
某電路之轉移函數：( )500( )( )10oiV sT sV ss，當頻率遠大於此電路的轉角頻率（Corner Frequency），頻率與增益的變化關係，下列何者正確？
(A) 頻率每增大十倍，增益減少10 dB
(B) 頻率每增大十倍，增益減少20 dB
(C) 頻率每增大二倍，增益減少10 dB
(D) 頻率每增大二倍，增益減少20 dB
正解：B

第 36 題
如圖所示為一個由五個反相器所構成的環形振盪器（ring oscillator）。若每一個反相器的延遲時間為50 ns，問環形振盪器的振盪頻率？
(A) 318 kHz
(B) 2 MHz
(C) 4 MHz
(D) 10 MHzCCCRRfRRVfVOvovi+vi−−VSS+VDDIREFQ1Q2Q3Q4Q6Q5Q7Q8C1
正解：B

第 37 題
如圖為RC 耦合串級放大器電路的典型接法，試問RC 耦合會造成什麼影響？
(A) 低頻響應變差
(B) 中頻響應變差
(C) 高頻響應變差
(D) 沒有影響
正解：A

第 38 題
如圖所示為一MOS 放大器，MOS 電晶體之μnCox = 800 μA/V2、W/L =40、|Vt|=1 V。求小信號增益vo/vi？
(A) −1
(B) −8
(C) −16
(D) −100
正解：B

第 39 題
對於一個電壓波形v(t) = 50 sin(2πft)伏特，f = 60 Hz。下列何者正確？
(A) 電壓平均值為25伏特
(B) 電壓均方根值為50伏特
(C) 電壓的峰對峰值（peak to peak value）為50伏特
(D) 電壓訊號每秒有120次經過0伏特
正解：D

第 40 題
如圖電路，已知R = 10 kΩ 和C = 0.01 μF，輸入為±5 V 對稱方波，為使輸出三角波電壓具對稱且振幅亦為±5 V，則信號頻率應選在多少？
(A) 1.00 kHz
(B) 1.25 kHz
(C) 2.50 kHz
(D) 5.00 kHz1kΩ1MΩ1mARC放大器放大器C=∞C=∞C=∞+5V−5VvivoQvovIRvCC+VCC−VCCvIt12t1t
正解：C

題目與答案為考試當年公告版本，實務標準請以現行規範為準。