電子工程 109 年高等電子電路學考古題（共 5 題）
資料來源：考選部歷屆試題｜法律人 LawPlayer 整理
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第 1 題
如圖一電路，二極體電流ID 與跨壓VD 之關係為
D
T
V /V
D
S
I =I e
，其中之熱電
壓VT 為25 mV。
㈠求二極體D1之偏壓電流ID1。（10分）
㈡求小訊號電壓增益Vo / VS。（10分）
圖一

第 2 題
如圖二電路，由BJT 構成之放大器電路，其中BJT 之電流增益β = 100，
BE
V
之壓降為0.7 V，試回答：
㈠此BJT 操作於主動區（Active Mode）或飽和區（Saturation Mode）？
（10分）
㈡集極偏壓電流IC 值為多少？（10分）
圖二

第 3 題
如圖三所示之運算放大器具無限大之輸入阻抗。
㈠如運算放大器之差動增益為無限大，試求Vo / Vi 值為何？（10分）
㈡如運算放大器之差動增益為100 V / V，試求Vo / Vi 值為何？（10分）
圖三

第 4 題
使用CMOS 邏輯電路設計，其NMOS 區塊與PMOS 區塊具對偶性
（duality）。
㈠若已知PMOS 區塊如圖四所示，請畫出其NMOS 區塊。（10分）
㈡請繪出邏輯布林函數F=AB+CD之完整CMOS 邏輯電路。（10分）
圖四

第 5 題
如圖五所示為MOSFET 與電阻所構成之放大器，假設所有MOSFET 之小
訊號參數gm = 2.0 mA/ V，ro = 100 kΩ，且電路中之電阻R = 50 kΩ，試求：
㈠輸出阻抗Ro。（10分）
㈡小訊號電壓增益Vo / Vi。（10分）
圖五

題目為考試當年公告版本，實務標準請以現行規範為準。