電子工程 110 年電子學大意考古題（共 40 題）
資料來源：考選部歷屆試題｜法律人 LawPlayer 整理
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第 1 題
圖示為理想運算放大器之電路，R1 = R2= R3 = R4 = 1 kΩ、RL = 2 kΩ，試求輸出電壓vO 為若干V？
(A) -2
(B) -1
(C) 0
(D) 1
正解：A

第 2 題
下列元件特性何者會受到通道長度調變效應（Channel Length Modulation Effect）的影響？
(A) 雙極性接面電晶體（BJT）的輸出阻抗
(B) 雙極性接面電晶體（BJT）的輸入阻抗
(C) 金氧半場效電晶體（MOSFET）的輸出阻抗
(D) 金氧半場效電晶體（MOSFET）的輸入阻抗
正解：C

第 3 題
若雙極性接面電晶體（BJT）在主動區（Active Region）的電流放大率β= 100，當此電晶體工作在飽和區（Saturation Region）時，下列何者為其可能的電流放大率？
(A) 50
(B) 100
(C) 101
(D) 150
正解：A

第 4 題
下圖是一矽場效電晶體（Si FET）元件的剖面結構，各層使用不同材料，圖中僅標示某假想製程厚度，此電晶體的臨界電壓（threshold voltage）的絕對值為|Vth| = 0.5 V。VD1 = 2 V，VD2 = -2 V，VD = 2 V，VE = -2 V。試由此結構剖面判斷此電晶體的汲極（Drain）是那一個接點？
(A) VD1 接點
(B) VD2 接點
(C) VD 接點
(D) VE 接點
正解：A

第 5 題
有一以矽材料所製的互補式金氧半場效電晶體（Si-CMOSFET）電路及輸入電壓vI 的波形如下所示，VDD= 5 V，假設兩個電晶體QP、QN 的特性參數一致，即通道導通臨界電壓（threshold voltage）的絕對值均為|Vth| = 0.5 V，相同的轉導值（transconductance）與幾何參數，亦即noxpoxnpWWCCLL。試研判電晶體QP在時間t1 最可能的工作模式？
(A) 飽和模式（Saturation mode）
(B) 線性模式（Linear mode）
(C) 次臨界模式（Subthreshold mode）
(D) 截止模式（Cut-off mode）RLvOR2R1R3R4－1 V+1 V層層層層層層層~2 Vt2t1~4 V
正解：A

第 6 題
設計數位電路時，若採用NPN 或PNP 雙極性接面電晶體（BJT），一般情形會使用到BJT 的那一種偏壓模式？
(A) 飽和模式（Saturation mode）
(B) 線性模式（Linear mode）
(C) 順向主動模式（Forward active mode）
(D) 逆向主動模式（Reverse active mode）
正解：A

第 7 題
有一矽雙極性接面電晶體（Si-BJT）電路及輸入接腳VI1、VI2 的電壓波形如下所示，VCC = 5 V，R1 = R2 = 1 kΩ，R3 = R4 = 100 Ω，CL= 5 μF，電晶體電流增益βQ1 =βQ2 = 100。試研判電晶體Q2 的集極電流（collector current）比較高的時間點。
(A) 0 與t1
(B) 0 與T
(C) t1 與t2
(D) T 與t2
正解：C

第 8 題
欲使下圖的二極體元件順向導通，下列何種方法正確？
(A) A 腳應施加比B 腳更高電壓，使電子由A 腳流向B 腳
(B) A 腳應施加比B 腳更低電壓，使電子由A 腳流向B 腳
(C) A 腳應施加比B 腳更高電壓，使電流由A 腳流向B 腳
(D) A 腳應施加比B 腳更低電壓，使電流由A 腳流向B 腳
正解：C

第 9 題
如圖中NPN 雙極性電晶體，β=100。假設電晶體基射極的順偏電壓為0.7 V，飽和時的集射極電壓為0.3 V。問此電路集射極電壓與下列何值最為接近？
(A) 0.3 V
(B) 0.7 V
(C) 0.9 V
(D) 3.0 V3 V1 kΩ10 kΩQ1~4 V~2 V~2 V~4 V
正解：C

第 10 題
如圖所示為一CMOS 反相器在輸入端與輸出端之間接上1 MΩ 之電阻作為放大器之用。若兩個電晶體QN 與QP 特性相同；其小訊號轉導gm = 1 mA/V，ro = 20 kΩ，則小訊號輸入電阻約為多少？
(A) 20 kΩ
(B) 24 kΩ
(C) 48 kΩ
(D) 1 MΩ
正解：C

第 11 題
一個NPN 雙極性電晶體，其作用區之β=50，若操作在順向飽和區（forward saturation region），下列何者正確？
(A) 集極電流與基極電流的比值為50
(B) 集極對射極的電壓應為正值
(C) 電流的方向為由射極流入集極
(D) 基極對集極的電壓應為反偏
正解：B

第 12 題
如圖為雙極性差動式放大器，已知電晶體Q1 和Q2 的基極電阻rπ、射極電阻re、轉導gm、共基極電流增益α 和共射極電流增益β 均相同，試求輸入阻抗Rid = ？
(A) re
(B) 2re
(C) rπ
(D) 2rπ
正解：D

第 13 題
如圖所示，兩個由二極體-電容器所構成之倍壓電路（變壓器及二極體均視為理想），變壓器均輸入相同的弦波信號，電容器C1~C4 所跨電壓VC1~VC4 間之關聯性在下列選項中何者正確？
(A) VC1=VC2
(B) VC4=2VC3
(C) VC2=VC4
(D) VC1=VC4VDDQPvoQNviC = ∞1 MΩC = ∞vc1vc2vidRid
正解：D

第 14 題
如圖所示為理想箝位器，其輸入電壓vi(t)為介於-VA 伏特與VB 伏特的矩形週期波。若電容器跨壓為9伏特且輸出信號vo（t）的最大值為12 伏特，求VA+VB 之值？
(A) -3 V
(B) 3 V
(C) 6 V
(D) 9 V
正解：D

第 15 題
將弦波信號輸入由二極體-電阻構成之半波整流電路（二極體視為理想）後，得到輸出信號vo(t)的峰值電壓Vo(p) = 12 volt，有關該vo(t)的有效值電壓Vo(rms) = A 伏特、平均值電壓Vo(dc) = B 伏特，及漣波電壓峰對峰值Vr(p-p) = C 伏特，漣波因素= r %等之敘述，下列何者均正確？
(A) A=8.48，B=3.82
(B) B=3.82，C=12
(C) C=12，r=50
(D) r=50，A=6
正解：B

第 16 題
如圖所示之電路，假如二極體之壓降為0.7 V，求二極體之逆向峰值電壓（PIV）為何？
(A) 10 V
(B) 12.74 V
(C) 13.44 V
(D) 14.14 V
正解：C

第 17 題
如圖所示之電路，假設二極體之壓降為0.7 V，求其輸出電壓vout之漣波電壓（ripple voltage）值為何？
(A) 11.47 V
(B) 5.83 V
(C) 3.57 V
(D) 0.68 V
正解：D

第 18 題
當輸入電壓VIN = -3.5 V，求此電路的輸出電壓VOUT 為何？假設二極體的開啟電壓（turn-on voltage）為0.8 V。
(A) -4.2 V
(B) -5 V
(C) -2 V
(D) -1.2 Vrmsoutoutrms
正解：D

第 19 題
下列敘述對於如圖所示二極體的整流電路何者正確？
(A) VOUT 的漣波（ripple）大小反比於CL
(B) VOUT 的漣波（ripple）大小正比於RL
(C) VOUT 的漣波（ripple）大小正比於VIN 的頻率
(D) VOUT 的漣波（ripple）大小反比於二極體的開啟電壓（turn-on voltage）
正解：A

第 20 題
如圖所示之箝位電路，已知電壓VE 為11V，電阻R = 1kΩ、RL = 1kΩ，並假設理想稽納二極體的崩潰導通電壓VZ = 7V，則流過電阻RL之電流為何？
(A) 0 mA
(B) 2.75 mA
(C) 5.5 mA
(D) 11 mA
正解：C

第 21 題
如圖所示之理想二極體電路，若RL = 1 kΩ，V1 = 2 V、V2 = -2 V、V3 = 4 V，則流經電阻的電流為何？
(A) 1 mA
(B) 2 mA
(C) 3 mA
(D) 4 mA
正解：D

第 22 題
下圖電路中輸入信號為弦波，vi (t) = 5 sin 10t 伏特，二極體D1 與D2 之導通電壓均為0.7 伏特，導通電阻均為0 Ω。電壓vo(t)最大值為多少伏特？
(A) 5
(B) 2.7
(C) 2.3
(D) 0IL
正解：B

第 23 題
如圖所示之放大器電路，假設此電路之直流偏壓電流為1 mA，電晶體M1 與M2 之參數如下：μn1Cox=μn2Cox= 200 μA/V2 ，VTH1 = VTH2 = 0.4V 且 λ1 =λ2 = 0.1 V-1；求此放大器電路之小信號輸出電阻Rout 之值為何？
(A) 619 Ω
(B) 719 Ω
(C) 819 Ω
(D) 919 Ω
正解：A

第 24 題
如圖所示之回授偏壓共源極放大器之增益（vo/vi）為何？假設汲極電流ID= 1 mA，MOSFET 的VTH＝0.5 V。
(A) -3
(B) -4
(C) -5
(D) -6
正解：B

第 25 題
於BJT 的小訊號模型中，下列敘述何者錯誤？
(A) 轉導(gm)與集極電流成正比
(B) 輸出電阻(ro)與集極電流成正比
(C) 輸入電阻(rπ)與電流增益(β)成正比
(D) 輸入電阻(rπ)與基極電流成反比
正解：B

第 26 題
如圖所示為一共源極放大器及其偏壓電路，電晶體操作在飽和區，其汲極電流ID 為何？
(A) 15 mA
(B) 25 mA
(C) 35 mA
(D) 45 mA
正解：B

第 27 題
下列BJT 放大器的組態中，何者有較大的輸出阻抗？
(A) 共射極（common-emitter）組態
(B) 共基極（common-base）組態
(C) 共集極（common-collector）組態
(D) 疊接（cascode）組態outvin
正解：D

第 28 題
對於一共源極放大器的特性，下列敘述何者錯誤？
(A) 電壓增益正比於負載電阻
(B) 電壓增益正比於轉導
(C) 輸出與輸入訊號同相
(D) 輸入阻抗可極大
正解：C

第 29 題
若雙極性電晶體（BJT）的ICBO 值為10 nA，而其ICEO 為1 μA，試求此電晶體的β 值約為：
(A) 0.01
(B) 10
(C) 100
(D) 150
正解：C

第 30 題
如圖所示之電晶體偏壓電路，是屬於何種組態電路？
(A) 共源極
(B) 共射極
(C) 共基極
(D) 共集極
正解：D

第 31 題
如圖所示之電晶體放大電路，基-射極接面於導通時所跨電壓視為定值（0.6 V），求輸出電壓VO 約為多少？
(A) 1.2 V
(B) 4.8 V
(C) 6 V
(D) 7.2 V
正解：C

第 32 題
相較於共射極（CE）放大器，下列有關共集極（CC）放大器的敘述，何者正確？
(A) 電壓增益較大
(B) 頻率響應較差
(C) 輸出阻抗較小
(D) 較常應用於差動放大器
正解：C

第 33 題
下列那一種β 與A 的關聯性條件滿足巴克豪森準則（Barkhauson criterion）？其中β 為回授網路因子，而A 為基本放大器之電壓增益。
(A) 相位180 度的β=0.2 及相位180 度的A=0.2
(B) 相位0 度的β=-0.2 及相位0 度的A=5
(C) 相位180 度的β=0.1 及相位-180 度的A=0.1
(D) 相位0 度的β=-0.1 及相位180 度的A=10
正解：D

第 34 題
圖示運算放大器組成的電路，vO 為輸出波形，本電路為：
(A) 反相放大器
(B) 同相放大器
(C) 調諧放大器
(D) 雙穩態電路vOR2R1vI
正解：D

第 35 題
有關圖示電路之敘述，下列何者正確？
(A) 調諧放大電路
(B) 低通電路
(C) 緩衝器電路
(D) 無穩態電路
正解：D

第 36 題
圖示電路，當電路正常工作時，電壓va 的波形為何？
(A) 弦波
(B) 方波
(C) 三角波
(D) 階梯波
正解：B

第 37 題
關於串級放大器的頻率響應，下列何者錯誤？
(A) 射極電阻的旁路電容（bypass capacitor）會使放大器增益值在高頻下降
(B) 電晶體基射極接面電容對放大器的低頻響應沒有影響
(C) 放大器增益值在高頻3 dB 頻率下，會有約30%的下降
(D) 放大器輸入與輸出信號在低頻3 dB 頻率下，會有約45 度的相位差
正解：A

第 38 題
關於串級放大器的頻率響應，下列何者錯誤？
(A) RC 耦合的方式使各級放大器的偏壓互不影響
(B) RC 耦合主要是靠電容來阻隔直流的電流
(C) RC 耦合的電容也會限制高頻的截止頻率
(D) RC 耦合的電容越大其所對應的低頻極點頻率（pole frequency）越低
正解：C

第 39 題
如圖所示為一用理想的OP AMP 組成之相移振盪器（phase-shift oscillator）。設R = 10 kΩ，C=16 nF，K =20，求振盪頻率（選最接近之值）？
(A) 573 Hz
(B) 994 Hz
(C) 3610 Hz
(D) 6250 Hz
正解：A

第 40 題
已知一運算放大器（OPA）的直流增益為100 dB 及其-3 dB 的頻寬fβ，試問在頻率f = fβ 時，該OPA的相位角為多少度？
(A) +90 度
(B) -90 度
(C) +45 度
(D) -45 度KRRRRCCC－＋vovbvaR2R1RRR2R1vO
正解：D

題目與答案為考試當年公告版本，實務標準請以現行規範為準。