電子工程 112 年電子學大意考古題（共 40 題）
資料來源：考選部歷屆試題｜法律人 LawPlayer 整理
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第 1 題
下列積體電路其包含的邏輯閘數目何者最多？
(A) LSI
(B) VLSI
(C) MSI
(D) SSI
正解：B

第 2 題
電壓v1(t) = 5sin(πt/4)伏特，f(t)如圖所示，v2(t)為v1(t)與f(t)相乘。當0≦t≦8 時，v2(t)的平均電壓為多少伏特？
(A) 25/π
(B) 50/π
(C) 75/π
(D) 100/π
正解：A

第 3 題
二極體電路如圖所示，二極體的導通電壓為0.6 V，流經電阻的電流值I 為下列何者？
(A) 0.06 mA
(B) 0.16 mA
(C) 0.25 mA
(D) 0.35 mA
正解：B

第 4 題
有關蕭特基（Schottky）二極體之敘述，下列何者錯誤？
(A) 金屬與半導體形成接面二極體
(B) 可應用於高頻電路
(C) 元件特性為少數載子所主導
(D) 矽基蕭特基二極體的切入電壓小於PN 二極體
正解：C

第 5 題
共射極接法電晶體之α 值由0.98 變至0.99，則β 值的變化如何？
(A) 由88 變為49
(B) 由66 變為49
(C) 由49 變為88
(D) 由49 變為99
正解：D

第 6 題
如圖所示之電路，雙極性接面電晶體β 值均為199，VI=2.7V 時，VE 約為何？
(A) 1.3 V
(B) 1.5 V
(C) 1.7 V
(D) 1.9 V
正解：D

第 7 題
如圖所示，vi = VDD 時，若負載電阻RD 變大，則v0 將會如何？
(A) 增大
(B) 降低
(C) 不變
(D) 為VDD
正解：B

第 8 題
承上題，當輸入電壓vi =0，且RD 負載電阻變大時，則v0 將為何？
(A) 增大
(B) 降低
(C) 不變
(D) 為零VEVIVDD
正解：C

第 9 題
有關NPN 雙極性接面電晶體，若基極濃度增高，對於電流增益及爾利效應（Early Effect）之影響，下列敘述何者正確？
(A) 電流增益變大且爾利效應較明顯
(B) 電流增益變小且爾利效應較明顯
(C) 電流增益變大且爾利效應較不明顯
(D) 電流增益變小且爾利效應較不明顯
正解：D

第 10 題
下列何者具有最大的輸入阻抗？
(A) BJT 射極隨耦器
(B) BJT 達令頓組態
(C) JFET 共閘極組態
(D) MOSFET 共源極組態
正解：D

第 11 題
如圖所示理想運算放大器電路為減法器，R1/R2 比值為2，R3/R4 比值為5，V1=2V，V2=6V，VCC=15V，輸出電壓VO 為何？
(A) -1 V
(B) 1 V
(C) -2 V
(D) 2 V
正解：A

第 12 題
已知運算放大器的Zi 為輸入阻抗，Zo 為輸出阻抗，Aol 為開迴路電壓增益。下列何者最為接近理想運算放大器？
(A) Zi=5 MΩ、 Zo=3 Ω、Aol=2,000
(B) Zi=500 GΩ、Zo=300 kΩ、Aol=20
(C) Zi=5 GΩ、 Zo=300 Ω、Aol=20,000
(D) Zi=500 GΩ，Zo=3 Ω，Aol=20,000
正解：D

第 13 題
當擴散電容被列入考慮時，二極體處於下列何種狀態？
(A) 未偏壓
(B) 逆向崩潰電壓
(C) 逆向偏壓
(D) 順向偏壓
正解：D

第 14 題
如圖所示電路，通過稽納二極體（Zener Diode）之電流為何？
(A) 10 mA
(B) 9 mA
(C) 5 mA
(D) 4 mA
正解：B

第 15 題
如圖為整流後之電壓波形，則電壓的平均值約為何？
(A) 11.1 V
(B) 13.2 V
(C) 15 V
(D) 16.4 V
正解：D

第 16 題
如圖所示電路，假設二極體導通電壓為0.7 V，輸入電壓Vin 有效值為120/√2 V，負載RL 的平均功率約為何？
(A) 0.1 W
(B) 0.45 W
(C) 0.05 W
(D) 0.3 W
正解：A

第 17 題
主動濾波器是指該電路主要使用何種元件？
(A) 變壓器
(B) 只採用被動元件，如電阻、電容
(C) 採用具有放大能力之元件，如OP 放大器、電晶體
(D) 二極體
正解：C

第 18 題
如圖所示電路，假設二極體D 1 及D 2 均具有理想特性、且vi（t）= 32sin（377t）V，若於負載電阻RL=2 kΩ 之兩端並聯一濾波電容器，下列敘述何者正確？
(A) 負載電阻消耗功率為8 mW
(B) 輸出直流電壓vo=8 V
(C) 輸出直流電流IL=4 mA
(D) 峰值電壓Vm=5.7 V
正解：A

第 19 題
有關半波電壓倍增器之敘述，下列何者錯誤？
(A) 主要應用在高電壓及低電流的場合
(B) 採用箝位效應
(C) 不需要增加輸入變壓器的電壓額定值，就可以增加整流電壓的峰值
(D) 三倍倍壓電路，最少需要4 個二極體及4 個電容
正解：D

第 20 題
如圖所示電路，圖中的正弦波為輸入電壓，若二極體的切入電壓為0.7 V，則Vout 的範圍為何？
(A) -25 V～+25 V
(B) -25 V～+0.7 V
(C) -0.7 V～+0.7 V
(D) -0.7 V～+25 V
正解：C

第 21 題
假設二極體導通電壓為0.7 V 及RC 時間常數遠大於輸入訊號週期，如圖所示電路，輸出波形直流成分的電壓值為何？
(A) -18.7 V
(B) 18.7 V
(C) 17.3 V
(D) -17.3 V
正解：D

第 22 題
下列何種元件不是箝位電路所必備？
(A) 電感
(B) 電阻
(C) 電容
(D) 二極體
正解：A

第 23 題
如圖所示為NPN 電晶體放大電路，當RB 值變小時，下列敘述何者正確？
(A) 電晶體工作點將遠離飽和點，但仍落在同一負載線上
(B) 電晶體工作點將遠離飽和點，且不在同一負載線上
(C) 電晶體工作點將接近飽和點，但仍落在同一負載線上
(D) 電晶體工作點將接近飽和點，且不在同一負載線上
正解：C

第 24 題
有一如圖之BJT 電路，若VBE = 0.7 V，β = 100，VCE(sat)= 0.2 V，則關於此BJT 電路之敘述，下列何者正確？
(A) IC = 2 mA
(B) VC = 6.2 V
(C) BJT 操作在主動區（active region）
(D) IC/IB 1
正解：D

第 25 題
有一如圖之MOSFET 電路，若VDS = 4 V，則RS 應為何？
(A) 5 kΩ
(B) 8 kΩ
(C) 10 kΩ
(D) 15 kΩ
正解：A

第 26 題
有一如圖之空乏型MOSFET 電路，若VSD = 2.5 V，Vtp = 1.5 V，μpCox（W/L）= 1mA/V2，當流過偏壓電阻R1、R2 之電流為0.1ID，則R1、R2 約為何？
(A) R1 = 16.6 kΩ，R2 = 63.4 kΩ
(B) R1 = 20.6 kΩ，R2 = 59.4 kΩ
(C) R1 = 22.6 kΩ，R2 = 57.4 kΩ
(D) R1 = 24.6 kΩ，R2 = 55.4 kΩ
正解：B

第 27 題
有關加強型MOSFET 之敘述，下列何者錯誤？
(A) 加強型MOSFET 發生通道長度調變時，通道長度會隨VDS 的增加而略為縮短，造成ID 略為減少
(B) 加強型MOSFET 操作於三極體區（triode region）時，可利用VGS 調整通道電阻值
(C) 在加強型MOSFET 閘極與通道間的金屬氧化物半導體接面加上VGS 可藉此控制通道電流ID
(D) 加強型MOSFET 在VGS 小於Vt （臨界電壓）後，ID = 0，將進入截止區
正解：A

第 28 題
考慮一金氧半場效電晶體VA=10 V，當操作在過驅電壓Vov=0.1 V 時，其本質增益（gmro）的值為何？
(A) 100
(B) 200
(C) 500
(D) 
正解：B

第 29 題
雙極性接面電晶體（BJT）之β=100，熱電壓VT = 25 mV。若此電晶體工作於集極電流IC = 0.5 mA，則其小訊號模型參數rπ 為何？
(A) 1 kΩ
(B) 2 kΩ
(C) 5 kΩ
(D) 10 kΩ
正解：C

第 30 題
與其他雙極性接面電晶體的放大器組態比較，有關共射極（CommonEmitter）放大器組態之特性，下列何者正確？
(A) 高電壓增益
(B) 低電流增益
(C) 低輸入阻抗
(D) 低輸出阻抗
正解：A

第 31 題
圖中放大器電路中電晶體的μnCox（W/L）=2 mA/V2，VA=40 V，放大器電壓增益vo/vi 的最接近值為何？
(A) -8
(B) -10
(C) -16
(D) -20
正解：C

第 32 題
關於場效電晶體（FET）放大電路的特性，下列何者正確？
(A) 共汲極放大電路的輸入電壓與輸出電壓之相位同相
(B) 共汲極放大電路的輸入阻抗很低，非常適合作阻抗匹配
(C) 共汲極放大電路的電壓增益很高，非常適合作電壓放大
(D) 共閘極放大電路的頻率響應不佳，只適合作低頻放大
正解：A

第 33 題
dBm 在功率的計算上為功率的絕對值，是以多大的瓦特（W）作為計算參考值？
(A) 1 W
(B) 0.1 W
(C) 1 mW
(D) 1 μW
正解：C

第 34 題
有一串疊電路其定電流源為I；已知Q1 和Q2 的互導分別為gm1 和gm2，輸出內阻分別為ro1 和ro2。若輸入阻抗Ri =∞且互導gm1=gm2=gm 及輸出阻抗ro1=ro2=ro，求電壓增益Avo = vo/vi 近似為何？
(A) -gmro
(B) -gm(ro)2
(C) -(gmro)2
(D) (gm)2ro
正解：C

第 35 題
考慮如下電路中電容器CC 對電壓增益之影響。假設所有電晶體的參數均為β=200，rπ=5.21 kΩ，R1=R3=55 kΩ，R2=R4=31 kΩ，RC1=RC2=3.5 kΩ，RE1=RE2=1 kΩ。下列電路中已知CC=386 nF，請問低頻響應的3dB 頻率約為多少？
(A) 19 MHz
(B) 1.9 MHz
(C) 190 Hz
(D) 19 Hz
正解：D

第 36 題
如圖所示，在放大器和8 Ω 揚聲器之間加入了一變壓器，使得放大器負載端的電阻提升至80 kΩ，則此變壓器的匝數比值a 等於多少？
(A) 10
(B) 50
(C) 100
(D) 200
正解：C

第 37 題
一正弦波產生電路如圖所示，其中L1 = 2 mH、L2 = 8 mH、C3 = 1.6 nF，其振盪頻率fo 約為何？
(A) 20 kHz
(B) 40 kHz
(C) 100 kHz
(D) 250 kHz
正解：B

第 38 題
NPN 雙極性接面電晶體，在主動區操作，β 值99 變為199，α 值的變化為何？
(A) 0.96 變為0.98
(B) 0.96 變為0.99
(C) 0.99 變為0.995
(D) 0.99 變為0.998
正解：C

第 39 題
依如下電路(a)和(b)，下列何者錯誤？
(A) 電路(a)和(b)都可以做為電壓比較器
(B) 電路(a)和(b)的輸出都是雙穩態
(C) 兩個電路的輸出（VO）和輸入（VI）的關係都是一對一
(D) 電路(b)中，若VI 的大小在-(R2/R1)VREF 附近不穩定地上下往復變動，輸出（VO）也會跟著變動。
正解：C

第 40 題
如圖為一個使用負緣訊號VI 進行觸發之單穩態多諧振盪電路。假設圖中稽納二極體的導通電壓和稽納崩潰電壓的和是12 V，二極體的導通電壓是0.7 V。則VI 腳位上的觸發訊號至少需要間隔多久才能再次啟動，以免觸發失效？
(A) 0.95μs
(B) 9.5μs
(C) 95μs
(D) 0.95 ms
正解：C

題目與答案為考試當年公告版本，實務標準請以現行規範為準。