電子工程 113 年半導體工程考古題（共 6 題）
資料來源：考選部歷屆試題｜法律人 LawPlayer 整理
https://lawplayer.com/exam/electronic-engineering/113-%E5%8D%8A%E5%B0%8E%E9%AB%94%E5%B7%A5%E7%A8%8B

第 1 題
請說明在矽晶圓中N 型半導體的多數載子是什麼？矽晶圓中N 型摻雜
物是那些材料？（10 分）

第 2 題
在P 型矽晶圓，請舉三種製程說明如何用矽晶圓製作電阻？（20 分）

第 3 題
CVD 與PVD 之主要差別為何？（10 分）

第 4 題
IC 製程中可以形成圖案之技術有那些？（20 分）

第 5 題
請畫出基本的快閃記憶體元件結構圖，它與NMOS 之間主要的不同是
什麼？（20 分）

第 6 題
半導體製程中量測電阻為何須用四點探針，請畫出其量測圖。（20 分）

題目為考試當年公告版本，實務標準請以現行規範為準。