電子工程 113 年電子元件考古題（共 5 題）
資料來源：考選部歷屆試題｜法律人 LawPlayer 整理
https://lawplayer.com/exam/electronic-engineering/113-%E9%9B%BB%E5%AD%90%E5%85%83%E4%BB%B6

第 1 題
何謂蕭特基二極體？在此元件中，需有兩個電極，請說明此兩個電極與
半導體之接觸須符合什麼關係。（20 分）

第 2 題
請畫出目前高效率之發光二極體基本結構，請說明其發光區在何處。
（20 分）

第 3 題
何謂HEMT？以GaN 系列為例，請畫出其基本結構，並說明各層之功
能。（20 分）

第 4 題
那一種電晶體結構既符合省電又符合高速傳輸之功能。（20 分）

第 5 題
請說明太陽能電池之工作原理，若以電流-電壓關係圖，其工作區域為何，
請畫出並請說明為什麼？（20 分）

題目為考試當年公告版本，實務標準請以現行規範為準。