電子工程 113 年電子學大意考古題（共 40 題）
資料來源：考選部歷屆試題｜法律人 LawPlayer 整理
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第 1 題
有關積體電路28 奈米半導體製程技術，這裡所指的28 奈米製程，為下列何種尺寸？
(A) 電晶體的閘極長度
(B) 電容器的絕緣層厚度
(C) 電路的金屬線寬度
(D) 金屬間的連結栓直徑
正解：A

第 2 題
下列何種元件在電流－電壓（I-V）特性曲線的切線斜率會出現負值？
(A) 稽納二極體
(B) 蕭特基二極體
(C) 發光二極體
(D) 穿隧二極體
正解：D

第 3 題
室溫下的N 型矽半導體中，摻雜施體濃度為1015 cm3，其多數載子濃度與施體離子的正電荷濃度關係為何？
(A) 多數載子濃度大得多
(B) 大約相等
(C) 施體離子濃度大得多
(D) 兩者無關
正解：B

第 4 題
下列何種二極體組合其正常工作時皆為逆偏壓？
(A) 變容二極體、發光二極體
(B) 雷射二極體、稽納二極體
(C) 發光二極體、雷射二極體
(D) 變容二極體、稽納二極體
正解：D

第 5 題
雙極性接面電晶體在共射極組態且工作於主動區情況下，對集極電流影響最大的是下列何者？
(A) 集-射極電壓（VCE）
(B) 基極電流（IB）
(C) 電源電壓
(D) 連在集極上的電阻
正解：B

第 6 題
雙極性接面電晶體（BJT）在未接偏壓情況下，其基-射極空乏區厚度為A，基-集極空乏區厚度為B，則其大小關係下列何者正確？
(A) A>B
(B) A=B
(C) A<B
(D) 不一定
正解：C

第 7 題
圖示之電路，雙極性電晶體β=100，基-射極導通電壓VBE=0.7 V，集-射極電壓VCE 約為何？
(A) 3.72 V
(B) 6.72 V
(C) 9.72 V
(D) 12.72 V
正解：B

第 8 題
有關金氧半場效電晶體（MOSFET）的通道寬窄主要由下列何者壓降來控制？
(A) 射極對基底
(B) 汲極對基底
(C) 閘極對源極
(D) 源極對基底
正解：C

第 9 題
某一n 通道JFET 採自給偏壓，已知閘源極直流電壓VGS=5 V 且源極電阻RS=2 kΩ，則汲極電流ID大小與方向為何？
(A) 2.5 mA、由汲極流向源極
(B) 2.5 mA、由源極流向汲極
(C) 10 mA、由汲極流向源極
(D) 10 mA、由源極流向汲極
正解：A

第 10 題
一差動放大器的Ad=100，Acm=0.5，兩個輸入分別是Va(t)=0.01cos(2400t)+0.2cos(260t)，Vb(t)=0.01cos(2400t)+0.2cos(260t)，此差動放大器的輸出Vo(t)？
(A) Vo(t)=2cos(2400t)+0.1cos(260t)
(B) Vo(t)=cos(2400t)+0.2cos(260t)
(C) Vo(t)=2cos(2400t)+0.2cos(260t)
(D) Vo(t)=4cos(2400t)+0.1cos(260t)10 kΩ1 kΩ1 kΩ5 kΩR1R2RCREVCC=+15 V
正解：A

第 11 題
如圖之運算放大器電路，R1 與C 串聯。Vi 為直流時，V0/Vi 為何？
(A) R2/R1
(B) 0
(C) 1+R2/R1
(D) R2/C
正解：B

第 12 題
承上題，電容C 接於電阻R1 和運算放大器負輸入端之間。Vi 電壓為極高頻時，V0/Vi 值趨近於下列何者？
(A) R2/R1
(B) 1+R2/R1
(C) R2/C
(D) 1+R2/C
正解：A

第 13 題
如圖所示電路，若兩個二極體的切入電壓均為0.7 V，當V1=9 V 及V2=0 V，則ID1 約為何？
(A) 0.25 mA
(B) 0.5 mA
(C) 0.75 mA
(D) 1 mA
正解：C

第 14 題
假設二極體導通電壓為0.7 V，如圖所示電路，欲使輸出正半波峰值電壓為7 V，Z1 之稽納（Zener）電壓應為何？
(A) 6.3 V
(B) 7.7 V
(C) 13 V
(D) 19.3 V
正解：A

第 15 題
橋式整流提供一穩定電壓如圖，Vi=250sin(ωt) V，ω 為角頻率，二極體導通電壓為0.7 V，稽納二極體的崩潰電壓為6 V，流過150 Ω 電阻的電流為何？
(A) 50 mA
(B) 40 mA
(C) 83 mA
(D) 233 mACViV0R1R20.5 kΩ0.5 kΩ10.5 kΩV1V2VOD1ID1D2ID21.0 kΩZ1R15 V20 V20 V0Vout150 ΩRC6 VD2T1Vi10:1++～
正解：B

第 16 題
如圖所示電路，假設二極體導通電壓為0.7 V，輸入電壓Vin 為正弦波，頻率為60 Hz，峰值電壓為110 V，負載RL的平均功率約為何？
(A) 0.21 W
(B) 0.24 W
(C) 0.28 W
(D) 0.42 W
正解：A

第 17 題
下圖實驗電路中，測量Vo 端波形時發現漣波因數太大，下列何者可有效降低漣波因數？
(A) 降低電容C 值
(B) 將二極體反接
(C) 降低電阻RL值
(D) 增加Vi 的頻率
正解：D

第 18 題
圖為倍壓器電路，輸入端電壓訊號的頻率為60 Hz，則輸出端的漣波頻率為何？
(A) 120 Hz
(B) 60 Hz
(C) 180 Hz
(D) 90 Hz
正解：A

第 19 題
如圖所示電路及輸入波形，若二極體的切入電壓為0.7 V，二極體的峰值順向電流約為何？
(A) 73 mA
(B) 80 mA
(C) 83 mA
(D) 90 mA
正解：A

第 20 題
圖為橋式整流電路，輸入信號為80 Vrms 之正弦波，二極體視為理想，輸出波形之平均值約為何？
(A) 71.94 V
(B) 35.97 V
(C) 50.88 V
(D) 113.12 V220 Ω1000 μFVinFD1D2D3D4CRL輸出10:1RLVoViVCCR1100 Ω120 Vrms60 HzC1500 μFC2500 μFViD1D2Vo+～++45 ΩR+4 V4 V01 kΩVo80 Vrms+～
正解：A

第 21 題
不影響原訊號的波形，但能改變此訊號直流準位的電路稱為下列何者？
(A) 微分器
(B) 放大器
(C) 限制器
(D) 箝位器
正解：D

第 22 題
圖為二極體箝位器，輸出波形的頻率為何？
(A) 60 Hz
(B) 120 Hz
(C) 30 Hz
(D) 180 Hz
正解：A

第 23 題
如圖所示之電路，若NPN 電晶體β=100、VBE=0.7 V，下列敘述何者正確？
(A) IE=4.8 mA
(B) IB=0.2 mA
(C) VCE=3.2 V
(D) VCE=0.2 V
正解：C

第 24 題
有一如圖之BJT 放大器，若VBE=0.7 V，則有關對其輸入迴路特性之敘述，下列何者錯誤？
(A) 其電晶體的輸入特性（IB-VBE）的直流負載線電流端截點為IB=20 μA
(B) 其電晶體的輸入特性（IB-VBE）的直流負載線電壓端截點為VBE=4.7 V
(C) 其B-E 迴路之靜態基極電流為IBQ=20 μA
(D) 其B-E 之靜態電壓為VBEQ=0.7 VD1VoCR110 Vrms60 Hz0º+～+ICRC=2 kΩVCEVBEIBRB=200 kΩVBB=4.7 VVCC=10 VRB=150 kΩRC=1 kΩRE=500 ΩVEE=10.7 Vvivo
正解：A

第 25 題
對於圖中的偏壓電路，RC=20 kΩ、RB=800 kΩ、VCC=10.7 V、VBE=0.7 V、IB=5 μA，其β 最接近值為何？
(A) 50
(B) 60
(C) 80
(D) 100
正解：B

第 26 題
如下圖所示之N 通道增強型MOSFET 電路，已知ID=20 mA，則VGS 約為何？
(A) 3 V
(B) 2 V
(C) 2 V
(D) 3 V
正解：A

第 27 題
有關矽空乏型MOSFET 之敘述，下列何者錯誤？
(A) n 通道的空乏型MOSFET 是使用p 型基座（substrate）
(B) n 通道的空乏型MOSFET 需另加正值VGS，才能感應出通道
(C) 其通道電流ID 會隨二氧化矽（SiO2）的厚度減少而增加
(D) n 通道的空乏型MOSFET 之VGS 的臨界電壓（threshold voltage）Vth 為負值
正解：B

第 28 題
若雙極性接面電晶體（BJT）工作在主動區（Active Region）的電流放大率為β，下列敘述何者正確？
(A) β 值大小與溫度無關
(B) 相同電路之下，β 較小的電晶體較易飽和
(C) β 定義為IE/IC
(D) 工作在飽和區（Saturation Region）的電流放大率小於βVCCRCRBVBE200 kΩ100 kΩ0.1 kΩ1 kΩVDD=+15 VR1RDR2RSVSVGVDID
正解：D

第 29 題
有關BJT 的小信號模型，下列敘述何者錯誤？
(A) BJT 的工作點是由元件特性曲線與負載線的交點決定
(B) BJT 的小信號模型參數與工作點相關
(C) 由BJT 的小信號模型只能求出由B 極及C 極看入的阻抗
(D) 為了BJT 的小信號能線性放大，必須滿足vbe<<VT（thermal voltage）的條件
正解：C

第 30 題
如圖所示之RC 耦合串級放大器中，兩個電晶體之β=49、VBE=0.7 V，VCC=10.7 V、RB1=RB2=150 kΩ、RC1=2 kΩ、RC2=RE1=RE2=1 kΩ，試求電路中IB1 電流值為何？
(A) 0.04 mA
(B) 0.05 mA
(C) 0.067 mA
(D) 0.1 mA
正解：B

第 31 題
如圖，Q1 的β1=50，Q2 的β2=100，兩個電晶體的VBE=0.7 V 且ro 都不計；求（IB1 及VB2）？
(A) （2 μA 及1.5 V）
(B) （2 μA 及0.8 V）
(C) （1 μA 及1.5 V）
(D) （1 μA 及0.8 V）
正解：B

第 32 題
某MOS 場效電晶體的電流ID=500 μA、參數λ=0.025 V1，則其輸出阻抗ro 為何？
(A) 80 kΩ
(B) 50 kΩ
(C) 25 kΩ
(D) 12.5 kΩ
正解：A

第 33 題
有關共集極（Common Collector）放大器組態之特性，下列敘述何者正確？
(A) 低輸入阻抗
(B) 電壓增益高
(C) 輸出與輸入電壓相位相反
(D) 低輸出阻抗
正解：D

第 34 題
一n 通道金氧半場效電晶體的參數為：Cgs=25 fF、Cgd=2 fF、W/L=16、μnCox=200 μA/V2，操作在電流為100 μA，其單一增益（Unity-gain）頻率fT的最接近值為何？
(A) 2 GHz
(B) 3 GHz
(C) 4 GHz
(D) 5 GHz
正解：D

第 35 題
若一直接耦合串級放大器電路，其各諧波失真百分率分別為D2=40%、D3=26%、D4=15%，其餘諧波失真可忽略不計，則該串級放大器之總諧波失真百分率DT 約為何？
(A) 25%
(B) 40%
(C) 50%
(D) 81%VCCvivoRB1RB2RE2RE1Q2Q1IB1IB2RC2RC11 MΩ1 MΩ50 μA5 mARiQ2Q1voviIB2IB1VB2C→∞C→∞β1=50VCC=5 Vβ2=100
正解：C

第 36 題
555 計時器的內部有一個RS 正反器。下列關於此RS 正反器的敘述何者錯誤？
(A) 此正反器的兩個輸入訊號分別來自於兩個比較器的輸出結果
(B) 當其兩個輸入訊號都是低態邏輯時不會改變其現存的輸出結果
(C) 當其兩個輸入訊號都是高態邏輯時會反轉其現存的輸出結果
(D) 此正反器的輸出結果會影響555 計時器內部一放電迴路上電晶體的導通與否
正解：C

第 37 題
當變壓器耦合串級放大器之電路阻抗完全匹配時，下列敘述何者正確？
(A) 電壓增益最大
(B) 電流增益最大
(C) 功率增益最大
(D) 功率增益最小
正解：C

第 38 題
如圖為單穩態多諧振盪器，觸發信號由Vi 注入。由Vi 注入在R3 上的觸發電壓需要多大才能使IC 轉態而產生脈波？
(A) Vcc
(B) Vcc/2
(C) Vcc R1/(R1+R2)
(D) Vcc R2/(R1+R2)
正解：D

第 39 題
圖示為一加偏壓之反相施密特觸發器，電路中運算放大器之輸出飽和電壓為±12 V，則其上臨界電壓（voltage of upper threshold）VTH 為何？
(A) 0 V
(B) 2 V
(C) 4 V
(D) 8 V
正解：D

第 40 題
下圖中RA 為1/4 W、13 kΩ 的碳膜電阻器，外觀上以色碼「棕橙橙」表示其大小。而RB 上表示其大小的色碼為「紫綠紅」，並且陶瓷電容器C 外觀上打印有102 之字樣。此電路輸出方波的責任週期（Duty cycle）約為何？
(A) 43.1%
(B) 54.2%
(C) 65.3%
(D) 73.2%R1C1C2R2R3ViVoV1+VCCVCC+VCC+VCCVCCVOVS5 kΩ10 kΩVR=+6 V0.01 μFV+RARBC555電源臨界觸發放電重置控制輸出接地
正解：D

題目與答案為考試當年公告版本，實務標準請以現行規範為準。