電子工程 113 年電子學概要考古題(共 4 題) 資料來源:考選部歷屆試題|法律人 LawPlayer 整理 https://lawplayer.com/exam/electronic-engineering/113-%E9%9B%BB%E5%AD%90%E5%AD%B8%E6%A6%82%E8%A6%81 第 1 題 圖一所示為BJT 放大器之小信號電路模型,RS = 10 kΩ,rπ = 5 kΩ, gm = 50 mA/V,ro = 120 kΩ,RL = 30 kΩ。請計算小信號電壓增益vo/vin。 (25 分) gmvbe vin RS ro RL vo vbe rπ B C E 圖一 第 2 題 圖二所示放大器,其開路電壓增益為無限大。vin = 5 V,R1 = 10 kΩ, R2 = 60 kΩ,R3 = 60 kΩ。請計算輸出電壓vo。(25 分) R2 R1 vo vin R3 圖二 第 3 題 圖三所示兩級放大器,使用理想電流源I、2I 偏壓,電晶體Q1~Q5 皆操 作於飽和區。輸入電壓vin = 10 V,電晶體轉導gm1~gm5 均為20 mA/V, 電晶體ro1~ro5 均為100 kΩ。請計算電壓增益vo/vin。(25 分) ̶ VSS +VDD 2I 2 in v + 2 in v - ̶ VSS I +VDD vo Q1 Q2 Q3 Q4 Q5 圖三 第 4 題 請畫出兩輸入之CMOS NOR 閘,並寫出其布林代數式。(25 分) 題目為考試當年公告版本,實務標準請以現行規範為準。