電子工程 114 年電子學大意考古題（共 40 題）
資料來源：考選部歷屆試題｜法律人 LawPlayer 整理
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第 1 題
有關金氧半場效電晶體，在線性近似條件下，若元件的電場固定，當元件尺寸縮小K 倍，則操作電壓應為何？
(A) 增大為K 倍
(B) 降低為(1/K)倍
(C) 增大為K2 倍
(D) 降低為(1/K)2 倍
正解：B

第 2 題
假設矽二極體在25℃時，其順向跨壓為0.7 V，則當溫度上升至65℃時，其順向跨壓約為何？
(A) 0.75 V
(B) 0.7 V
(C) 0.65 V
(D) 0.6 V
正解：D

第 3 題
磷化鎵（GaP）發光二極體（LED）發光的導通電流為20 mA，導通電壓為2.2 V，電路如圖所示，要使此LED 發光，電源應至少提供多少功率？
(A) 44 mW
(B) 46 mW
(C) 60 mW
(D) 90 mW
正解：C

第 4 題
純矽半導體中摻雜下列何種元素組合活化後，其少數載子先後分別為電洞、電子？
(A) 硼、磷
(B) 銦、磷
(C) 砷、鎵
(D) 鎵、銻
正解：C

第 5 題
有關共集極放大電路之敘述，下列何者正確？
(A) 信號由集極輸入
(B) 輸入電阻高
(C) 射極電壓的平均值必為0 V
(D) 又稱為集極隨耦器
正解：B

第 6 題
一PNP 雙極性接面電晶體，射-基極電壓VEB = 0.6 V 時集極電流IC = 0.01 mA，熱電壓VT = 0.0259 V。當VEB = 0.75 V 時IC 約為何？
(A) 0.33 mA
(B) 0.63 mA
(C) 3.28 mA
(D) 6.28 mA
正解：C

第 7 題
如圖所示JFET 電路，電晶體工作於夾止飽和區，VP = -3 V，IDSS = 18 mA，VGS = -2 V，VDS 為何？
(A) 1.9 V
(B) 9.2 V
(C) 11 V
(D) 15 V
正解：B

第 8 題
空乏型MOSFET 不適合用於下列何者？
(A) 線性放大器
(B) 壓控電感
(C) 壓控電阻
(D) 壓控電容40 ΩVDD = 15 VRD = 1.9 kΩRG = 5 MΩ
正解：B

第 9 題
有關絕緣閘極雙極性電晶體（IGBT）之特性，下列何者正確？
(A) 輸入與輸出特性與金氧半場效電晶體（MOSFET）相似
(B) 輸入與輸出特性與雙極性接面電晶體（BJT）相似
(C) 輸入特性與金氧半場效電晶體（MOSFET）相似、輸出特性與雙極性接面電晶體（BJT）相似
(D) 輸入特性與雙極性接面電晶體（BJT）相似、輸出特性與金氧半場效電晶體（MOSFET）相似
正解：C

第 10 題
如圖所示電路，運算放大器開路電壓增益A 為有限值，互轉阻值（Transresistance）Rm = vo /ii 為何？
(A) Rf/(1+A)
(B) Rf
(C) -Rf
(D) -Rf/(1+1/A)
正解：D

第 11 題
有關負回授結構之運算放大器，下列敘述何者錯誤？
(A) 可控制電壓增益，呈現線性放大器的特性
(B) 部分輸出回授至反相輸入端
(C) 產生振盪輸出
(D) 增加頻寬
正解：C

第 12 題
如圖所示電路，VCC = 7 V，VCE = 7 V，PNP 雙極性接面電晶體工作於何區？
(A) 截止區
(B) 飽和區
(C) 主動區
(D) 歐姆區
正解：A

第 13 題
當15 Hz 正弦波電壓輸入半波整流器，則輸出電壓的頻率為下列何者？
(A) 7.5 Hz
(B) 15 Hz
(C) 30 Hz
(D) 435 Hz
正解：B

第 14 題
在全波整流器中，流經負載的直流電流等於流過每一個二極體直流電流的幾倍？
(A) 1 倍
(B) 2 倍
(C) 0.5 倍
(D) 4 倍
正解：B

第 15 題
一個稽納二極體（Zener Diode）在40℃時的最大功率額定值為500 mW，衰減因數為4 mW/℃。則稽納二極體在90℃時消耗的最大功率值為何？
(A) 100 mW
(B) 150 mW
(C) 200 mW
(D) 300 mW
正解：D

第 16 題
圖為全波橋式整流器，如果二極體視為理想。流過1 kΩ 的電流約為何？
(A) 12 mA
(B) 16.9 mA
(C) 24 mA
(D) 7.6 mARfiiiiviAvo120 Vrms60 HzREVCERCVBEVCCR1 kΩ250 μFC10：1T1
正解：B

第 17 題
如圖所示電路，下列何者為全波整流器？
(A) c 與d
(B) a 與b
(C) a 與d
(D) c 與b
正解：C

第 18 題
有一整流濾波器的直流濾波電壓為20 V，漣波電壓的有效值為0.4 V，則漣波因數為何？
(A) 1%
(B) 2%
(C) 3%
(D) 4%
正解：B

第 19 題
如圖所示電路，假設均為理想二極體，下列敘述何者錯誤？
(A) 電容C1 兩端的電壓為Vm
(B) 電容C2 兩端的電壓為2 Vm
(C) 電容C3 兩端的電壓為3 Vm
(D) 電容C4 兩端的電壓為2 Vm
正解：C

第 20 題
下圖為何種電路？
(A) 並聯二極體截波
(B) 串聯二極體截波
(C) 上箝位器
(D) 下箝位器
正解：B

第 21 題
如圖所示電路，假設二極體導通電壓為0.7 V，則輸出正、負半週波形之峰值電壓分別為何？
(A) 30 V、-30 V
(B) 29.3 V、-29.3 V
(C) 0.7 V、-0.7 V
(D) 皆為0 VVmC1C2C3C4RVoV1120 VrmsDRVoutD1D2Vin ＋30 V-30V0 V2.2 kΩ(a)(c)(b)(d)RLRLRLRL
正解：C

第 22 題
如圖所示電路，假設二極體導通電壓為0.7 V 及RC 時間常數遠大於輸入訊號週期，輸入正弦波電壓之均方根（root mean square）值為100 V，輸出波形直流成分的電壓值為何？
(A) 142 V
(B) 140.7 V
(C) 100 V
(D) 99.3 V
正解：B

第 23 題
圖示電路，VCC = 10 V，RB1 = RB2 = 100 kΩ，RC = 5 kΩ，RE = 2 kΩ，電晶體電流放大率β = 100，VBE = 0.7 V，則此電晶體的工作區為何？
(A) 截止區（Cutoff region）
(B) 主動區（Active region）
(C) 飽和區（Saturation region）
(D) 逆向主動區（Reverse Active region）
正解：C

第 24 題
有關溫度對BJT 電路之影響，下列敘述何者錯誤？
(A) 電流增益β 值會隨溫度上升而變小，但是與集極電流IC 無關
(B) 基極-射極電壓VBE 會隨溫度上升而下降
(C) 逆向飽和電流ICBO 會隨溫度上升而增加
(D) 集極電流IC 增加時，會使集極接面溫度上升
正解：A

第 25 題
有一如圖之BJT 電路，若VBE = 0.7 V，VCE = 4 V，β = 99，則R 應為何？
(A) 1 kΩ
(B) 10 kΩ
(C) 100 kΩ
(D) 165 kΩVP(in)0VoutRL＋16 V5 kΩR0.7 V＋-1 kΩRCRERB1RB2VCC-
正解：D

第 26 題
使用一接面場效電晶體設計如圖電路，此電晶體的IDSS = 9 mA，VGS(TH) = -3 V，其汲極電流為何？
(A) 1 mA
(B) 2 mA
(C) 3 mA
(D) 4 mA
正解：D

第 27 題
當考慮雙極性接面電晶體的爾利效應（Early effect）時，需在小信號模型中加入下列何種電阻？
(A) rπ
(B) re
(C) ro
(D) 1/gm
正解：C

第 28 題
有一如圖之BJT 電路，若CC1 之阻抗可忽略，VEB = 0.7 V，VT = 25 mV，β = 100，則Rin 約為何？
(A) 0 Ω
(B) 26.8 Ω
(C) 10 kΩ
(D) 無窮大阻抗
正解：B

第 29 題
圖中放大器電路中電晶體的β = 99、VA = 100 V，熱電壓VT = 0.025 V，放大器的輸入電阻Rin 約為何？
(A) 2 kΩ
(B) 2.5 kΩ
(C) 12 kΩ
(D) 12.5 kΩ750 kΩ1 kΩ12 V1 kΩ250 kΩRE = 10 kΩviCC1V+ = +10 VvoCC2RC = 5 kΩV- = -10 V10 kΩ2 kΩVCC10 kΩvo∞∞vsigRin1 mAVEERinRin
正解：B

第 30 題
圖中放大器電路中電晶體的β = 99、VA = 100 V，放大器輸出電阻Rout 的最接近值為何？
(A) 2 kΩ
(B) 5 kΩ
(C) 9 kΩ
(D) 10 kΩ
正解：C

第 31 題
圖中放大器電路中電晶體的VTH = 1 V，VA = ∞ V，μnCox(W/L) = 2 mA/V2，放大器的電壓增益vo/vi的最接近值為何？
(A) 5 V/V
(B) 10 V/V
(C) 20 V/V
(D) 40 V/V
正解：B

第 32 題
圖示為電晶體放大器的小訊號交流等效電路，其中vi 為輸入訊號、vo 為輸出訊號，則此放大器主要功用為何？
(A) 電壓放大用
(B) 截波器
(C) 緩衝器
(D) 濾波器1 mA∞∞10 kΩVCCRoutvo10 kΩ2 kΩvsigVEEVDD-VSS1 mA10 kΩvovi100 kΩ∞∞10 kΩvsigvovi
正解：C

第 33 題
如圖為一串級放大電路，已知Q1 和Q2 之參數β 均為120，且rπ1 = 5.45 kΩ，rπ2 = 0.642 kΩ。電路中的R1 = 67.3 kΩ，R2 = 12.7 kΩ，R3 = 15 kΩ，R4 = 45 kΩ，RC1 = 10 kΩ，RE1 = 2 kΩ，RE2 = 1.6 kΩ，RL = 250 Ω。此電路之電壓放大率Vo/Vi 約為何？
(A) -195
(B) -95
(C) 95
(D) 195
正解：B

第 34 題
下列耦合型態之串級放大器電路，何者最適合IC 積體電路化？
(A) 變壓器耦合
(B) RC 耦合
(C) 電感耦合
(D) 直接耦合
正解：D

第 35 題
如圖為某變壓器耦合串級放大電路的小訊號等效電路，電晶體的參數β1 = β2 = 99，rπ1 = rπ2 = 2 kΩ，ro1 = ro2 = 50 kΩ。則輸出阻抗Ro 為何？
(A) 32 kΩ
(B) 8 kΩ
(C) 500 Ω
(D) 125 Ω
正解：C

第 36 題
在變壓器耦合串級放大器中，耦合變壓器的總電感抗會影響放大器的何種頻段的響應？
(A) 低中高頻段均不受影響
(B) 高頻響應
(C) 中頻響應
(D) 低頻響應
正解：D

第 37 題
如圖所示振盪電路，電路振盪頻率fo 約為何？
(A) 3.28 kHz
(B) 6.56 kHz
(C) 32.8 kHz
(D) 65.60 kHzVCCViVoR1R2Q1Q2R3RC1RE1R4RLRE2CC1CC2CC3CEViRi1：26：110：1RoVoib1ib2rπ1ro1ro2rπ2β1ib1β2ib2VCC10 VRC1RB2RB1RC22.2 kΩ22 kΩ22 kΩ1 kΩVO1VO2Q1Q2C1C20.01 μF0.01 μF
正解：A

第 38 題
圖示為一加偏壓之非反相施密特觸發器，電路中OPA 之輸出飽和電壓為15 V，則其下臨界電壓（voltage of lower threshold）VTL 為何？
(A) -23/3 V
(B) -7/3 V
(C) 7/3 V
(D) 23/3 V
正解：B

第 39 題
下列何者不是構成正弦波振盪電路的要件？
(A) 使用負回授電路結構
(B) 維持振盪訊號的相位不變
(C) 維持振盪訊號的振幅不變
(D) 只在所要振盪的頻率上滿足巴克豪森（Barkhausen）準則
正解：A

第 40 題
如圖為施密特-方波產生器示意圖，影響高低準位VTH 和VTL的主要元件為何？
(A) R 和C
(B) R1 和R2
(C) R1 和C
(D) R1、R2 和C+VCC150 kΩ50 kΩVSVO-VCCVR = +2 V+VCCR1R2VoV+-VCCRC
正解：B

題目與答案為考試當年公告版本，實務標準請以現行規範為準。