電子工程 114 年高等電子電路學考古題(共 4 題) 資料來源:考選部歷屆試題|法律人 LawPlayer 整理 https://lawplayer.com/exam/electronic-engineering/114-%E9%AB%98%E7%AD%89%E9%9B%BB%E5%AD%90%E9%9B%BB%E8%B7%AF%E5%AD%B8 第 1 題 設計以1 Ω 電阻為輸出端接的LC 梯形網路(如圖1)具有以下歸一化 傳遞函數H(s),求出L1,C2 及L3 之值。(25 分) 3 第 2 題 1 H s 2 2s 1 ( ) s s 圖1 二、對於圖2 所示的電路,nMOSFET 的元件參數為:臨界電壓(Threshold Voltage)Vt = 1 V,λ = 0 V-1,μnCox = 50 µA / V2,W / L = 1.0 µm / 1.0 µm。 若電路的電壓增益Vo / Vi = -2,求電流I。(25 分) 圖2 10 V 100 kΩ 100 kΩ Vo Vi I ∞ ∞ ∞ V1 C2 V2 L3 L1 1 Ω 第 3 題 ㈠將741.37510和377.6562510轉換為十六進制,然後轉換為二進制。(10 分) ㈡將1010101111001101.0112 轉換為八進制,然後轉換為十進制。(5 分) ㈢使用2 的補碼表示負數,以二進位計算下列數字:(-38)10 + (-40)10; (-10)10 + 3510。(10 分) 第 4 題 計算圖3 所示電路網路中ab 端點阻抗Zab 的數值。(25 分) 圖3 -j6 Ω 5 Ω 3 Ω -j4 Ω j8 Ω -j5 Ω a b 題目為考試當年公告版本,實務標準請以現行規範為準。