電子工程 115 年電子學大意考古題（共 40 題）
資料來源：考選部歷屆試題｜法律人 LawPlayer 整理
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第 1 題
兩電壓v1(t) = 8 cos(20πt+13°)及v2(t) = 4sin(20πt+45°)則兩電壓的相位差為多少度？
(A) 58 度
(B) 45 度
(C) 32 度
(D) 13 度
正解：A

第 2 題
pn 接面二極體，p 型和n 型雙邊的摻雜濃度皆為1016cm-3，該接面空乏層厚度為0.2 μm，接面的面積為5 μm5 μm，儲存於pn 接面某一邊的空乏層電荷為多少？
(A) 4×10-15 庫倫
(B) 8×10-15 庫倫
(C) 12×10-15 庫倫
(D) 16×10-15 庫倫
正解：A

第 3 題
有關矽半導體材料之敘述，下列何者正確？
(A) 具有五個價電子的雜質加入純矽半導體稱為受體元素
(B) P 型半導體的少數載子是電洞
(C) N 型半導體的多數載子是電洞
(D) 純矽的電子濃度等同於電洞濃度
正解：D

第 4 題
PNP 雙極性接面電晶體的順向主動區模式和逆向主動區模式二者相較，在順向主動區模式時，下列何者正確？
(A) 射極和基極接面之間的空乏區範圍較寬，集極和基極接面之間的空乏區範圍也較寬
(B) 射極和基極接面之間的空乏區範圍較寬，集極和基極接面之間的空乏區範圍較窄
(C) 射極和基極接面之間的空乏區範圍較窄，集極和基極接面之間的空乏區範圍較寬
(D) 射極和基極接面之間的空乏區範圍較窄，集極和基極接面之間的空乏區範圍也較窄
正解：C

第 5 題
有關雙極性接面電晶體偏壓電路之敘述，下列何者正確？
(A) 當電晶體未飽和時，β 值會隨工作溫度上升而變小
(B) 具射極電阻的分壓式偏壓電路，工作點IC 易隨β 值變動
(C) 集極回授式偏壓電路的基極電阻具正回授特性
(D) 射極回授式偏壓電路的射極電阻具負回授特性
正解：D

第 6 題
雙極性接面電晶體如圖所示，在主動區操作，β 值為100，有關電流之敘述，下列何者正確？
(A) 電流包括電子流和電洞流，主要電流從射極流向集極
(B) 電流包括電子流和電洞流，主要電流從集極流向射極
(C) 電流僅電子流，主要電流從射極流向集極
(D) 電流僅電子流，主要電流從集極流向射極
正解：B

第 7 題
如圖，放大器與放大器串接之耦合電容器C 與後級放大器的輸入電阻Ri 一起作用會形成何種電路響應？
(A) 低通電路響應
(B) 帶通電路響應
(C) 高通電路響應
(D) 全通電路響應
正解：C

第 8 題
以增強型N 通道MOSFET 作為開關之敘述，下列何者錯誤？
(A) 夾止飽和區作為開關ON 的主要特性區域
(B) 截止區作為開關OFF 的主要特性區域
(C) 以閘極電壓VGS 控制開關ON 和OFF
(D) 閘極電壓值VGS 會影響汲極和源極間等效電阻值RDS 的大小
正解：A

第 9 題
一晶片含有106個CMOS 邏輯閘，每個邏輯閘負載電容為40 fF。該晶片電源為3.3 V，頻率為500 MHz，該晶片最大總功率散逸為何？
(A) 0.2178 W
(B) 2.178 W
(C) 21.78 W
(D) 217.8 W
正解：D

第 10 題
下列何種方式無法用於運算放大器放大倍數的控制？
(A) 負回授
(B) 正回授
(C) 電流回授
(D) 電壓回授
正解：B

第 11 題
如圖所示，互轉阻值（Transresistance）定義為Rm=vo/ii。若運算放大器A 為無限大，則Rm為何？
(A) 0
(B) Rf
(C) -Rf
(D) 無限大
正解：C

第 12 題
有關積體電路製造廠所使用之矽晶圓，其基材為下列何者？
(A) 矽砂
(B) 冶金級的矽
(C) 單晶矽
(D) 多晶矽
正解：C

第 13 題
一半波整流電路若其輸出的電壓有效值為30 V，其峰值電壓（Vp）為何？
(A) 15 V
(B) 21.2 V
(C) 42.4 V
(D) 60 V
正解：D

第 14 題
圖為全波橋式整流器，二極體的切入電壓為0.7 V，輸入為120 Vrms 之正弦波，當D2、D3 導通時，D1 和D4 受到的逆向峰值電壓（PIV）約為何？
(A) 27.58 V
(B) 39.3 V
(C) 119.3 V
(D) 55.86 VRfiiAvoviiiD1D3D2120 Vrms60 Hz150 ΩD4T13:1
正解：D

第 15 題
如圖所示稽納二極體（Zener Diode）電路，若稽納電壓VZ = 11 V 及稽納內電阻為0 Ω，則稽納二極體所消耗的最大功率約為何（RL=∞）？
(A) 1.45 W
(B) 2.65 W
(C) 5.45 W
(D) 8.15 W
正解：B

第 16 題
如圖所示電路，輸入弦波電壓峰值為110 V，變壓器線圈匝數比為10：1，假設二極體導通電壓為0.7 V，負載電阻RL電壓的峰值為何？
(A) 4.8 V
(B) -4.8 V
(C) 10.3 V
(D) -10.3 V
正解：B

第 17 題
倍壓電路的輸出電壓，取自下列何種元件的跨壓？
(A) 電感
(B) 電阻
(C) 電容
(D) 二極體
正解：C

第 18 題
假設理想稽納二極體（Zener Diode）參數如下：VZ= 18 V、IZK= 1 mA、IZM = 45 mA，rZ= 0 Ω，如圖中的稽納二極體仍然可以穩壓工作的前提下，負載的最大電流值為何？
(A) 20 mA
(B) 19 mA
(C) 5 mA
(D) 0 mA
正解：B

第 19 題
如圖所示電路，圖中的正弦波為輸入電壓，若二極體的切入電壓為0.7 V，則其最大輸出電壓為何？
(A) 0 V
(B) 0.7 V
(C) 5.55 V
(D) 6.35 V－＋RLD1Vin(p) = 110 VD2VinVoutVin
正解：D

第 20 題
如圖所示電路及輸入波形，假設二極體的切入電壓為0.7 V，則輸出電壓的上限為何？
(A) -0.7 V
(B) 0 V
(C) 0.7 V
(D) 10 V
正解：C

第 21 題
如圖所示之電路，結果得到輸出端VO 為0 V，可能發生的問題為何？
(A) D1 開路
(B) C1 開路
(C) C1 短路
(D) R1 開路
正解：B

第 22 題
如圖所示電路，D1 為理想二極體，若脈波Vi 的工作週期（duty cycle）為50%且其最大值為4 V、最小值為0 V，則Vo 的平均值為何？
(A) 3 V
(B) 2.5 V
(C) 2 V
(D) 1.5 V
正解：A

第 23 題
有關放大器電路，下列敘述何者與工作點選擇的目的無關？
(A) 可調整放大器增益
(B) 可調整輸入電阻
(C) 可調整輸出訊號失真程度
(D) 可調整輸入訊號頻率
正解：D

第 24 題
某電路中的NPN 雙極性接面電晶體（BJT），經實驗量測其基極之電壓為2 V，射極的電壓為1.4 V，集極電壓為1.6 V，此電晶體在下列何工作區？
(A) 主動區（Active Region）
(B) 飽和區（Saturation Region）
(C) 截止區（Cutoff Region）
(D) 逆向主動區（Reverse Active Region）＋－VO1 kΩD17VC1V1V2VBBRCRERB47μF15Vrms1kHz0°R1VCC
正解：B

第 25 題
有一如圖之BJT 電路，若VBE = 0.7 V，RB = 100 kΩ，β= 99，則VC 應為何？
(A) 1.32 V
(B) 2.72 V
(C) 3.05 V
(D) 3.86 V
正解：B

第 26 題
圖為一個電容式全波整流電路再接一個RC 濾波電路，針對R2 和C2 形成的RC 濾波電路之敘述，下列何者正確？
(A) 為高通濾波電路
(B) 增益大於1
(C) 加入此RC 濾波電路，Vb 的漣波電壓小於Va 的漣波電壓
(D) R2 和C2 形成的RC 濾波電路的轉折頻率為70 Hz
正解：C

第 27 題
圖中放大器電路VCC=5 V、RB1=30 kΩ、RB2=20 kΩ、RC=RE=1.2 kΩ，電晶體參數為：VBE=0.7 V、β=119，放大器電路消耗的功率約為何？
(A) 4.5 mW
(B) 5 mW
(C) 5.5 mW
(D) 6 mWVCRB110 Vrms60 Hz150 ΩT110:1R1600 ΩR2Vb25μF25μFC1VaC2RERB2RB1RCVCC
正解：C

第 28 題
有關BJT 的爾利效應（Early effect）之敘述，下列何者正確？
(A) 爾利電壓（Early voltage）可直接在BJT 的C-E 端點量測取得
(B) 考慮爾利效應時，BJT 的輸出電阻值（output resistance）為無窮大
(C) 爾利效應是VCE 增加時，則BJT 的有效B 極寬度增加
(D) BJT 在CE 組態時，若VCE 增加時，則BJT 的C 極電流會增加
正解：D

第 29 題
一雙極性接面電晶體具有以下參數：fT=800 MHz、Cμ=2 pF、Cπ=6 pF，其轉導gm的最接近值為何？
(A) 20 mA/V
(B) 40 mA/V
(C) 60 mA/V
(D) 80 mA/V
正解：B

第 30 題
有關共集極（Common Collector）組態相較於共基極、共射極組態之特性，下列敘述何者正確？
(A) 輸入電阻Ri 最高
(B) 輸出電阻Ro 最高
(C) 電壓增益AV 最高
(D) 電流增益AI 最低
正解：A

第 31 題
圖中放大器電路中電晶體的VTH= -1 V，μpCox(W/L)=2 mA/V2，放大器的輸入電阻Rin 為何？
(A) 2 kΩ
(B) 3.6 MΩ
(C) 9 MΩ
(D) ∞ Ω
正解：B

第 32 題
圖中放大器電路中電晶體的VTH= 1 V，VA=∞ V，μnCox(W/L)=2 mA/V2，放大器的輸出電阻Rout 為何？
(A) 0.5 kΩ
(B) 1 kΩ
(C) 5 kΩ
(D) 10 kΩ
正解：D

第 33 題
運算放大器並非元件，實際上為積體電路，其內部電路依輸入到輸出可分成三大部分。因運算放大器輸入阻抗很大，其輸入端應為下列何者？
(A) 推挽（push-pull）放大器
(B) 差動放大器
(C) 電壓放大器
(D) 電感2 kΩvo5 kΩ6 MΩ30 kΩ9 MΩvsigRinVDDRoutvo∞10 kΩ10 kΩ1 mA∞-VSSvsigvi100 kΩ10 V
正解：B

第 34 題
如圖所示R1=335 kΩ，R2=125 kΩ，RC=2.2 kΩ，RE=1 kΩ。已知電晶體Q1 之β1=100，rπ1 =200 kΩ；電晶體Q2 之β2=100，rπ2 =2 kΩ。求此電路之電壓增益Vo/Vi 約為何？
(A) -55.82
(B) -5.82
(C) 5.82
(D) 55.82
正解：A

第 35 題
NPN 雙極性接面電晶體，在主動區操作，集極電流為1.96 mA，α 值為0.98，基極電流為何？
(A) 0.02 mA
(B) 0.04 mA
(C) 0.06 mA
(D) 0.08 mA
正解：B

第 36 題
如圖所示電路，為何種型態之正弦波產生電路？
(A) 韋恩電橋振盪電路
(B) RC 相移振盪電路
(C) 考畢子振盪電路
(D) 哈特萊振盪電路
正解：C

第 37 題
如圖所示之振盪電路，其電路型態為下列何者？
(A) 韋恩電橋振盪電路
(B) 無穩態多諧振盪電路
(C) 雙穩態多諧振盪電路
(D) 單穩態多諧振盪電路VCCR1VCCRCVoQ1Q2CPRECCViR2
正解：C

第 38 題
在電晶體開關電路中，若論其切換時間，則下列何者正確？
(A) 同尺寸下，N-MOSFET 比P-MOSFET 切換時間較長
(B) 同尺寸下，NPN 比PNP 雙極性接面電晶體切換時間較短
(C) 同尺寸下，C-MOSFET 與P-MOSFET 切換時間相同
(D) 同尺寸下，C-MOSFET 比N-MOSFET 切換時間較長
正解：B

第 39 題
圖示為一無穩態多諧振盪電路，電路中運算放大器之輸出飽和電壓為±12 V，則其正回授迴路之下臨界電壓（voltage of lower threshold）VTL值為何？
(A) -4 V
(B) -6 V
(C) -8 V
(D) -12 V
正解：A

第 40 題
圖示電路，若電晶體的μnCox(W/L)= 20 mA/V2，RD = 10 kΩ，I = 0.1 mA，則輸入阻抗Rin 約為何？
(A) 50 Ω
(B) 100 Ω
(C) 250 Ω
(D) 500 ΩVOVCC1 MΩ500 kΩ0.1 μF1 MΩVCCVDDRDvoC2C1I-VSSRinvi
正解：D

題目與答案為考試當年公告版本，實務標準請以現行規範為準。