電子工程 115 年電路學與電子學考古題（共 4 題）
資料來源：考選部歷屆試題｜法律人 LawPlayer 整理
https://lawplayer.com/exam/electronic-engineering/115-circuit-theory-electronics

第 1 題
請繪出下圖電路之：
㈠戴維寧等效電路（Thévenin equivalent network）含電壓及電阻。（15 分）
㈡諾頓等效電路（Norton equivalent network）含電流及電阻。（10 分）

第 2 題
下圖由電阻及電容所構成之電路，其
1
R
90 k
，
2
R
10 k
，
1
C
100 pF
。
㈠請畫出其頻率響應之波德圖（Bode Plot）。（10 分）
㈡求算零點
)
ra
( d/s
Z
。（10 分）
㈢求算極點3-dB 的頻率
)
ra
( d/s
P
。（5 分）
(
)
(log scale)
rad/s
Vo/Vi(dB)

第 3 題
如下圖NMOS 放大器，其MOS 參數為
n
n
ox(
)
K
C
W/L
，
m
n D
g
2K I
，
假設
A
V
V
且不考慮基底效應（Body Effect）。（註：請注意正負號）
㈠求此電路在時，小訊號增益
o
sig(
)
v /v
V/V 為何？（15 分）
㈡推導其轉移函數
o
sig
( )
( )
( )
H s
v s /v
s
，s
j
。（10 分）

第 4 題
如下圖，假設BJT 操作在主動區（Active region），其BJT 參數為β ，
T
V
25 mV
，
A
V
V
，導通時
BE
V
0.7 V
，飽和區
CE
V
0.2 V
，主動
區
CE
V
0.2 V
。
㈠求此電路在極高頻時，小訊號增益
o
sig(
)
v /v
V/V 為何？（15 分）
㈡在不會進入飽和區的前提下，
1
R 的最大值為何？（10 分）

題目為考試當年公告版本，實務標準請以現行規範為準。