電子工程 115 年電子學考古題（共 4 題）
資料來源：考選部歷屆試題｜法律人 LawPlayer 整理
https://lawplayer.com/exam/electronic-engineering/115-electronics

第 1 題
有一個理想運算放大器（Operational Amplifier）電路如圖一所示，輸入電
壓信號分別為V0、V1、V2 與V3，輸出電壓信號為Vo。電路中R = 10k。
請計算Vo。（25 分）
-
+
2R
Vo
V3
2R
2R
2R
2R
2R
R
R
R
V2
V1
V0
圖一

第 2 題
圖二為一個pnp 雙載子接面電晶體（BJT）電路，電晶體Q 的參數如下：
β = 100，ro = ，VT = 25mV，如果電晶體Q 導通，其VEB = 0.7V。電路
中，RB = 100k，RE = 5k，RL = 2k，CC 是一個耦合電容，其值為。
請計算輸入電阻Rin、輸出電阻Rout 與電壓增益vo/vsig。（25 分）
vsig
Rin
Q
-5V
+5V
RE
CC
RL
vo
Rout
RB
圖二

第 3 題
圖三為一個npn 雙載子接面電晶體（BJT）疊接放大器（Cascode
Amplifier）電路，電晶體Q1 與Q2 皆工作在主動模式（Active Mode）
下。為計算方便，未顯示其偏壓電路，但已知IC2 = 1 mA。電晶體Q1 與
Q2 的參數如下：β1 = β2 =100，VA1 = VA2 = 150 V，VT1 = VT2 = 25 mV，
Cπ1 = Cπ2 = 15 pF，Cμ1 = Cμ2 = 0.3 pF，CS1 = CS2 = 0。電路部分，Rsig = 2 kΩ，
RL = 4 kΩ，CL = 20 pF。請計算中頻增益AM 與上3dB 頻率fH。（25 分）
Q2
Rsig
Q1
Vsig
RL
CL
Vo
圖三

第 4 題
圖四為一個Pseudo NMOS 邏輯電路，電晶體Q1、Q2 與Q3 的參數如下：
Vt1 = 1 V，Vt2 = Vt3 =1 V，nCox = 4pCox，(W/L)2 = (W/L)3 = 4(W/L)1，
VDD = 5 V，忽略通道長度調變（Channel Length Modulation）與基底效應
（Body Effect）。請計算：
㈠當vA = vB = 0 V 時，vO = ?（10 分）
㈡當vA = vB = 5 V 時，vO = ?（15 分）
vO
vA
vB
Q1
Q2
Q3
VDD = 5V
圖四

題目為考試當年公告版本，實務標準請以現行規範為準。