電子工程 91 年半導體工程考古題（共 5 題）
資料來源：考選部歷屆試題｜法律人 LawPlayer 整理
https://lawplayer.com/exam/electronic-engineering/91-%E5%8D%8A%E5%B0%8E%E9%AB%94%E5%B7%A5%E7%A8%8B

第 1 題
試列舉並簡要說明三種測量半導體電子或電洞濃度(concentration)的方法。（20 分）

第 2 題
請解釋下列名詞：（每小題5 分，共20 分）

Lightly-doped drain (LDD)

Two-dimensional electron gas (2DEG)

Quantum Hall effect

Negative differential resistance (NDR)

第 3 題
在CMOS 中為何會發生閉鎖(latch-up)現象？（10 分）
如何解決CMOS 的閉鎖現象？（10 分）

第 4 題
試列舉並簡要說明三種在矽半導體上成長SiO2 薄膜的方法。（20 分）

第 5 題
下二圖分別為獨立（尚未連接）的兩個半導體能帶圖，試畫出在熱平衡(thermal
equilibrium)下，
圖
中的兩個半導體連接後之能帶圖（10 分）
圖
中的兩個半導體連接後之能帶圖（10 分）
（需標出
V
C
2
F
1
F
2
V
1
V
2
C
1
C
E
,
E
,
E
,
E
,
E
,
E
,
E
,
E
∆
∆
）
Vacuum level
qχ2
qχ1
EC2
EC1
EF1
EV1
Eg1
Eg2
EF2
EV2
qΦS2
qΦS1
C
E
∆
v
E
∆
圖

Vacuum level
qχ2
qχ1
EC2
EC1
EF1
EV1
Eg1
Eg2
EF2
EV2
qΦS2
qΦS1
C
E
∆
v
E
∆
圖

題目為考試當年公告版本，實務標準請以現行規範為準。