電子工程 91 年電子元件考古題（共 5 題）
資料來源：考選部歷屆試題｜法律人 LawPlayer 整理
https://lawplayer.com/exam/electronic-engineering/91-%E9%9B%BB%E5%AD%90%E5%85%83%E4%BB%B6

第 1 題
有兩片均勻摻雜的砷化鎵(GaAs) 晶片，一片為n 型，另一片為p 型，且摻雜之濃
度相同，即ND = NA，那一晶片具有較低的電阻值？請解釋。（5 分）
矽晶片照光後會產生過量的載子(excess carriers) ，這些載子的複合機制
(recombination mechanism) 是什麼？（5 分）
請畫出一般二極體照光前後的電流對電壓(I-V)關係圖，包括順偏與逆偏方向。
（5 分）
請解釋在雙極性電晶體中電流擁擠(current crowding)的產生原因。（5 分）

第 2 題
一個矽二極體，在室溫下的電流對電壓特性關係如下圖所示，其中順偏方向為半對
數圖，而逆偏方向為線性圖。請針對下圖所標示的英文字母A，B，C，D，E 各段，
於下列選項中選出其產生之因素(單選)：（20 分）
光產生(photogeneration)

空乏區中的熱複合(thermal recombination)
累增或齊納(Zener)過程

低階注入
空乏近似(depletion approximation)
空乏區中的熱產生(thermal generation)
能帶彎曲(band bending)

串電阻
外加偏壓大於建立電壓(VA> Vbi)
高階注入

第 3 題
如下圖所示，有兩個相同的pnp 雙極性電晶體，除了射極和集極的摻雜互換之外。
那一個電晶體會有較大的射極效率(emitter efficiency)？請解釋。（6 分）
當工作於作用模態(active mode)下，那一個電晶體比較容易產生基極寬度調變
(base width modulation)？請解釋。（7 分）
假如集極與基極的接面受限於累增崩潰，那一個電晶體會有較大的VCBO？請解
釋。（7 分）

九十一年公務人員高等考試一級暨二級考試試題
高二：212-5

等  級： 二級考試
科  別： 電子工程

第 4 題
下圖為一個理想MOS 電容器的電容對電壓(C-V)的關係圖，（每小題5 分，共20 分）
在此MOS 電容器中的半導體部分為n 型或p 型？ 請解釋。
畫出在點
時MOS 電容器的能帶圖(energy band diagram)。
畫出在點
時MOS 電容器的電荷分布圖(block charge diagram)。
已知氧化層的介質常數為3.9ε0，ε0 = 8.85×10-14 farad/cm，計算氧化層的厚度。

第 5 題
下圖為一個n 通道MOSFET 的閘極電容對電壓(CG-VG)關係圖。（每小題5 分，共20 分）
求此MOSFET 的臨界電壓VT 值。
此MOSFET 為空乏型或加強型？請解釋。
簡單畫出此元件於閘極電壓VG = -2，-1，0，1，2V 時的汲極電流對電壓(ID-VD)
特性關係圖。
假如此元件經由偏壓對溫度耐操度測試(bias-temperature stressing)仍呈穩定狀態，
且已知金屬與半導體之間的功函數差ΦMS 為-1V，並且無界面缺陷電荷(Qit =0)存
在，請說明所觀察到的平坦帶電壓(flat band voltage)為–2.2V 之造成原因。

題目為考試當年公告版本，實務標準請以現行規範為準。