電子工程 91 年高等電子電路學考古題（共 5 題）
資料來源：考選部歷屆試題｜法律人 LawPlayer 整理
https://lawplayer.com/exam/electronic-engineering/91-%E9%AB%98%E7%AD%89%E9%9B%BB%E5%AD%90%E9%9B%BB%E8%B7%AF%E5%AD%B8

第 1 題
下圖是CMOS NAND 電路，其兩輸入電壓接在一起，NMOS 電晶體其transconductance
parameter 與臨界電壓(threshold voltage)分別為
)
(
L
C
W
ox
n
n
µ
β
=
和Tn
V ，PMOS 電晶體其
transconductance parameter 與臨界電壓分別為
)
(
L
C
W
ox
p
p
µ
β
=
和Tp
V ，電源電壓為
DD
V
，
當
Tn
th
out
in
V
V
V
V
>
=
=
時，
說明M1, M2, M3 和M4 處於飽和區(saturation region)或線性區(triode region)。（8 分）
忽略body effect，求th
V 為何？（12 分）

第 2 題
下圖是CMOS pseudo-nMOS 電路，NMOS 電晶體其transconductance parameter 與臨界
電壓(threshold voltage)分別為
)
(
L
C
W
ox
n
n
µ
β
=
和Tn
V
，PMOS 電晶體其transconductance
parameter 與臨界電壓分別為
)
(
L
C
W
ox
p
p
µ
β
=
和Tp
V ，電源電壓為
DD
V
，忽略body effect。
當
DD
in
V
V
=
時，
Tn
GS
OL
out
V
V
V
V
−
<
=
1
，求OL
V
為何？（5 分）
當
Tp
th
out
in
V
V
V
V
>
=
=
時，求th
V 為何？（15 分）

VDD
M2
M1
Vout
Vin
M3
M4
M1
M2
Vin=Vth
Vout=Vth
+
+
－
－
VDD
九十一年公務人員高等考試一級暨二級考試試題
高二：212-1

等  級： 二級考試
科  別： 電子工程

第 3 題
對下圖的數位電路，以輸入ABC 表示輸出X 與Y。（5 分）
分別說明此數位電路的功能與輸出X 與Y 的功能。（15 分）

第 4 題
下圖是Source follower 電路的小信號等效電路。
求
)
(s
V
V
in
out
。（15 分）
如果
)
(s
V
V
in
out
的兩個極點(pole)距離夠遠，求其第一個極點。（5 分）

第 5 題
求下圖中
)
(s
I
V
X
X
。（10 分）
如果
s
R 大於
m
g
1 ，畫出
)
( ω
j
I
V
X
X
對ω 的圖。（10 分）

gmV1
Rs
V1
CGS
－
+
－
+
IX
VX
Rs
Vin
CGD
CGS
Vout
gmV1
V1
CL
+
－
+
－

題目為考試當年公告版本，實務標準請以現行規範為準。