電子工程 92 年半導體工程考古題（共 5 題）
資料來源：考選部歷屆試題｜法律人 LawPlayer 整理
https://lawplayer.com/exam/electronic-engineering/92-%E5%8D%8A%E5%B0%8E%E9%AB%94%E5%B7%A5%E7%A8%8B

第 1 題
有一鋁／銅／矽結構之樣品，其電阻率(resistivity)為3.2μohm-cm，
若鋁／銅薄膜厚度為1μm，試計算其片電阻(sheet resistance)為何？（5 分）
若將鋁／銅薄膜製成一長500μm，寬10μm 的線，則其電阻(resistance)為何？（5 分）
若此鋁／銅線是製作於1μm 厚之SiO2 上，則此線對矽基板之電容(capacitance)
為何？（以平行板公式計算即可）（5 分）
對此500μm 長的線，其對應之RC 時間常數(RC time constant)為何？（5 分）

第 2 題
何謂「離子通道效應」(ion channeling effect)？並解釋為何矽元件在離子佈植後，
接面深度總是較預期值為深？（10 分）
若要以離子佈植法製作一表面非晶矽薄層，試問該選用硼(Boron)或砷(Arsenic)作
離子源較合適？又何者所需之劑量(implant dose)較高？為什麼？（10 分）

第 3 題
何謂「SIMOX」(Separation by Implantation of Oxygen)？（4 分）
若要形成一層0.1μm 厚的SiO2 埋藏層(buried SiO2 layer)，則所需之氧離子劑量為
何？(以atoms／cm2 表之)（8 分）
若要將上述劑量於15 分鐘內佈植於一8 吋的晶圓，試問所需的離子束電流(ion
beam current)為何？設離子束順序掃瞄(raster scan)區域為20cm×20cm，又設SiO2
之分子密度為2.3×1022 分子／cm3。（8 分）

第 4 題
光微影蝕刻術(optical lithography)較電子束微影蝕刻術(E-beam lithography)有較高
的產能優勢(throughput advantage)，其主要原因為何？（10 分）
試舉出兩種方法以消減光微影蝕刻時所產生之駐波效應(standing wave effect in
optical lithography)。（10 分）

第 5 題
以RIE(Reative ion etching)技術蝕刻鋁(A1)在接觸窗口(contact holes)處所形成的階梯
覆蓋(step coverage)是製程上一個很重要的問題。就階梯覆蓋品質而言，請就下列製
程的改變作判斷，何者是有助的，何者有害或何者無關，並說明你的理由。（20 分）
接觸窗口採用濕式化學蝕刻。（4 分）
蒸著A1 時，提升基板的溫度。（4 分）
保持接觸窗口之大小不變，但增加接觸窗口四周之氧化層厚度。（4 分）
發展CVD  A1 製程。（4 分）
在蒸著A1 之前，先以CVD 鎢栓(CVD tungsten plug)填塞接觸窗口。（4 分）

題目為考試當年公告版本，實務標準請以現行規範為準。