電子工程 92 年半導體製程考古題（共 5 題）
資料來源：考選部歷屆試題｜法律人 LawPlayer 整理
https://lawplayer.com/exam/electronic-engineering/92-%E5%8D%8A%E5%B0%8E%E9%AB%94%E8%A3%BD%E7%A8%8B

第 1 題
在二氧化矽(SiO2)的熱氧化製程中，有濕氧化(Wet Oxidation)及乾氧化(Dry
Oxidation)兩種，其製程步驟與氧化層品質有何不同？（20 分）

第 2 題
光阻(Photoresistor)的好壞與製程的良率和精確度有非常密切的關係，試說
明好的光阻應具備的條件。又正負光阻之特性有何差異？（20 分）

第 3 題
在半導體的摻雜(Doping)製程中，試說明離子佈植法(Ion Implantation)與一
般高溫擴散製程(Thermal Diffusion)不同之處。（20 分）

第 4 題
執行光阻曝光(Exposure)的技術主要有三種，即接觸式(Contact)，近接式
(Proximity)與投影式(Projection)，試畫出各曝光法之概念圖，並說明其優缺
點。（20 分）

第 5 題
畫出金屬、半導體及絕緣體三種材料之能帶表示圖，並說明其與導電率之
關係。（20 分）

題目為考試當年公告版本，實務標準請以現行規範為準。