電子工程 92 年積體電路製程技術考古題（共 5 題）
資料來源：考選部歷屆試題｜法律人 LawPlayer 整理
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第 1 題
說明從天然矽砂到形成矽晶圓的基本步驟。（20 分）

第 2 題
在半導體的摻雜製程中，試說明離子佈植法（Ion Implantation）優於熱擴
散法（Thermal Diffusion）之處。又，為何晶圓在離子佈植後需要熱退火
（Annealing）處理？（20 分）

第 3 題
何謂電漿（Plasma）？列出在化學氣相沉積（Chemical Vapor Deposition,
CVD）和蝕刻製程中使用電漿的好處。（20 分）

第 4 題
在金屬化製程中，形成金屬連線的元素種類眾多，為何目前一般製程較
傾向使用銅製程甚於鋁製程，試說明之。
在金屬連線製程中，可以藉由
化學氣相沉積（CVD）與物理氣相沉積（PVD）製程方法來沉積金屬。若
要填充高深寬比之金屬栓塞（Plug），試問何種金屬及何種製程方法較適
合？（20 分）

第 5 題
半導體製程中，為何需要平坦化製程（Planarization Process）？並說明化
學機械研磨法（Chemical-Mechanical Polishing, CMP）之原理及影響此平
坦化技術的主要製程參數為何。（20 分）

題目為考試當年公告版本，實務標準請以現行規範為準。