電子工程 92 年電子學大意考古題（共 8 題） 資料來源：考選部歷屆試題｜法律人 LawPlayer 整理 https://lawplayer.com/exam/electronic-engineering/92-%E9%9B%BB%E5%AD%90%E5%AD%B8%E5%A4%A7%E6%84%8F 第 1 題 理想的電壓源及電流源的內阻分別為何？ 0；0 無窮大；0 0；無窮大 無窮大；無窮大 第 2 題 轉換函數 代表何種濾波器？ 低通 帶通 帶拒 高通 第 3 題 一理想電壓放大器的輸入阻抗及輸出阻抗分別為何？ 0；0 0；無限大 無限大；0 無限大；無限大 第 4 題 如圖，設兩顆二極體具有完全一樣的特性，設未發生崩潰，請問何者所跨的壓降較大？ D1 D2 一樣 無法確定 第 5 題 如圖，此電路的功能為何？ 半波整流器 全波整流器 限制器(limiting circuit) 箝位器(clamping circuit) 第 6 題 如圖所示的運算放大器的開路增益A，當其閉迴路增益設計為102 時，請問此時的閉迴路3dB 增 益頻寬為： 0 102 105 107 （請接第二頁） D1 D2 10 volt + － D ac line voltage vs vo R 105 102 107 f A 0 W S 1 1 + 九十二年公務人員特種考試身心障礙人員考試試題 科 別： 電子工程 全八頁 第二頁 第 7 題 二極體處在逆偏的情況下，當逆偏電壓幅度變大，則逆偏電容： 變大 變小 不受影響 為零 第 8 題 如圖所示的轉換函數代表何種電路？ 放大器 電阻 全波整流器 限制器(limiting circuit) 9 如圖的全波橋式整流器，當vs > 10 volt 時，請問那些二極體會導通？ D1，D2 D3，D4 D1，D3 D2，D4 10 一個曾納(Zener)二極體當穩壓器使用時，應工作於何種狀態？ 截止 順偏 崩潰 飽和 11 如圖的箝位(Clamp)電路的輸入vI為圖所示之方波，請問輸出vo 的最大電壓值為何？ 假設二極體為理想之二極體。 0 4 6 10 12 如圖，此電路符號代表： 石英晶體(Crystal) 電晶體(Transistor) 曾納二極體(Zener Diode) 電流源(Current Source) （請接第三頁） vo vs Slope ≅1 Slope ≅－1 －VD0 0 VD0 vo vs R D1 D3 D4 D2 ac line voltage vI +4 V 10V t 0 －6 V C vC vo vI + － I V + － 九十二年公務人員特種考試身心障礙人員考試試題 科 別： 電子工程 全八頁 第三頁 13 在矽晶體中的電子或電洞，何者的遷移率(mobility)比較大？ 電子 電洞 一樣 視電場強度而定 14 如圖所示的電路是一個： 放大器 微分器 積分器 衰減器 15 在共射極放大器中，於射極端加入電阻RE 將使輸入阻抗： 增加 減少 不變 無法確定 16 如圖，電路中，當頻率ω分別趨近於0 及∞時，電容上的電壓幅度 cv 趨近於： 0；0 (伏特) 0；2 2；0 2；2 17 BJT 在主動工作區時，集極電流IC 和射基電壓VBE 之間的關係為： 成正比 平方關係 立方關係 指數關係 18 一個BJT 的iC－vBE 關係曲線如圖所示，請問Q 點處的切線斜率為： β gm α r0 －1 （請接第四頁） vC vO C R + － 2 sin ωt iC vBE Q C R i1 i1 0 V vI (t) vO(t) vC － 0 + 九十二年公務人員特種考試身心障礙人員考試試題 科 別： 電子工程 全八頁 第四頁 19 如圖，將共基極、共射極、共集極三個實際放大器依序串接，請問總增益 i o v v 將： 大於1000 等於1000 小於1000 無法判斷 20 如圖所示的等效電路為： BJT 的低頻模型 BJT 的高頻模型 MOS 的低頻模型 MOS 的高頻模型 21 一個BJT 電晶體在不同室溫下的曲線如圖所示，據此判斷溫度： T1 > T2 > T3 T1 = T2 = T3 T1< T2 < T3 無法判定 22 如圖，當基極電壓vB 依序由0 volt 漸次上升至10 volt 時，BJT 電晶體的工作區域依序為： 截止；飽和；主動 截止；主動；飽和 截止；主動；截止 截止；飽和；截止 23 下列何種BJT 電晶體放大器的電壓增益及電流增益皆可大於1： 共射極 共基極 共集極 以上皆可 （請接第五頁） ×1 ×100 ×10 CB CE CC vo vi vπ rπ ro gmvπ iC vBE I T1 T2 T3 10 V vB RC = 4.7 kΩ RE = 3.3 kΩ 九十二年公務人員特種考試身心障礙人員考試試題 科 別： 電子工程 全八頁 第五頁 24 如圖為共射極放大器的小信號等效電路，其電壓增益 π v vo 為： －gmRc －gm ro －gm(RC // ro) －gm rπ 25 在共閘極的組態中，小信號要從那一極饋入？ 源極 閘極 汲極 本體極(BODY) 26 一增強型的NMOS，其臨界電壓(Threshold Voltage) Vt = 2 volt，當VGS 為下列何值時會產生通道？ －3 volt －1 volt 1 volt 3 volt 27 如圖RG1 = 4 MΩ，RG2 = 8 MΩ，請問VG 為何？ 2 volt 4 volt 6 volt 8 volt 28 基底效應(Body Effect)的發生，將使一個增強型NMOS 的有效臨界(Threshold)電壓隨著vSB 的增加 而作以下何者之改變？ 增加 減少 不變 視閘極電壓而定 29 一個NMOS 的通道橫截面如圖所示時，請問此時電晶體的工作區域： 截止區 飽和區 三極區(triode) 無法確定 （請接第六頁） vs ib vπ rπ gmvπ ro io vo RC C E VG VDD = 12 V RG1 = 4 MΩ RG2 = 8 MΩ RS = 6 kΩ RD = 6 kΩ S G D 通道 L B B + － 九十二年公務人員特種考試身心障礙人員考試試題 科 別： 電子工程 全八頁 第六頁 30 如圖，設NMOS 電晶體的臨界電壓Vt = 1 volt，請問A, C 兩點間的電位差為： 1 volt 3 volt 5 volt 7 volt 31 如圖為一個增強型NMOS 的iD－vDS曲線族，請問針對圖中圈起來的區域Ⅱ，下列敘述何者錯誤？ 當放大器時，使用該區 在汲極處的通道深度 = 0 當數位反相器時該區為過渡帶(transition zone) 在源極處的通道深度 = 0 32 如圖，設NMOS 電晶體的臨界電壓Vt = 1 volt，當VD 由7 volt 升高至9 volt 時，通道長度L 將： 變大 變小 不變 無法判定 33 下列有關BJT 及MOS 的gm 之描述，何者錯誤？ BJT 的gm 和Ic 成正比 MOS 的gm 和 D I 成正比 BJT 的gm 和射基PN 接面的面積有關 MOS 的gm 和閘極的面積直接相關 （請接第七頁） B S VG = 5 volt VD = 7 volt C A iD(mA) vGS = Vt+4 vGS = Vt+3 vGS = Vt+2 vGS = Vt+1 vGS ≤Vt(cut off) vDS(V) vDS = vGS－Vt Ⅱ 4 3 2 1 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 B S VG = 5 volt VD = 7→9 volt L 九十二年公務人員特種考試身心障礙人員考試試題 科 別： 電子工程 全八頁 第七頁 34 如圖所示，請問vGD 之直流值為： 15 volt 10 volt 5 volt 0 volt 35 利用負回授產生振盪時，迴路增益(loop gain)及其相位角須分別為： 1；0 ° 1；180 ° 0；0 ° 0；180 ° 36 右圖為下述何種結構的i－v 曲線？ 37 如圖，針對一個CMOS 反相器的動態功率消耗Pdym 的描述，下列何者錯誤？ Pdym 和VDD 成正比 Pdym 和輸出端的電容C 成正比 Pdym 和開關頻率成正比 Pdym 和靜態的功率消耗成正比 （請接第八頁） RD = 10 kΩ RG = 10 MΩ RL = 10 kΩ D G ∞ ∞ +15 V vi vo i v 0 Slope = or 1 i i v v + + － － i i v v + － vI vo VDD QP iDP iDN QN C + － 九十二年公務人員特種考試身心障礙人員考試試題 科 別： 電子工程 全八頁 第八頁 38 一差動對分別使用單端輸出及雙端輸出，差動增益Ad 及共模增益Acm 的比較：和雙端輸出相比， 單端輸出的： Ad 較大，Acm 較大 Ad 較小，Acm 較大 Ad 較大，Acm 較小 Ad 較小，Acm 較小 39 即使下面那個因素存在，如圖的差動對的偏移電壓(offset voltage) VOS = 0 仍成立： RC1 ≠RC2 Q1 的β1 ≠Q2 的β2 Q1 的IS1 ≠Q2 的IS2 電流源的內電阻RS ≠∞ 40 如圖的運算放大器的電路中使用了何種回授(正或負)？ 負回授 正回授 兩者皆有 兩者皆無 vCM vCM Q1 Q2 vc1 vc2 VCC Rc1 Rc2 RS I vI vO R2 R1 1 2 3 題目為考試當年公告版本，實務標準請以現行規範為準。