電子工程 92 年電子學概要考古題（共 5 題）
資料來源：考選部歷屆試題｜法律人 LawPlayer 整理
https://lawplayer.com/exam/electronic-engineering/92-%E9%9B%BB%E5%AD%90%E5%AD%B8%E6%A6%82%E8%A6%81

第 1 題
電路圖中的接面場效電晶體(JFET)特性參數為IDSS＝5mA，VP＝-4V。
電阻RD＝1kΩ時，求RS 的值，使工作點位於飽和區，且電流ID＝2mA。（10 分）
ID＝2mA，JFET 需工作於飽和區，求RD 的最大值。（10 分）

第 2 題
如圖為一共射極放大器，PNP 電晶體之β＝100，ro＝∞，｜VBEactive｜＝0.7V，
VT＝25mV。
在忽略基極偏壓電流的條件下，求電晶體的集極偏壓電流。（10 分）
求小信號電壓增益Vo/Vs。（10 分）

第 3 題
如圖電路中FET 電晶體之gm 值為0.1Ω-1，Cgs＝10pF，Cgd＝1pF，RD＝0.5kΩ，
RS＝0.5 kΩ，RB>>RS 且CC 可忽略不計（CC→∞）。
試計算中頻小幅訊號電壓增益AV＝vo/vs（5 分）
試求中頻時B 點與地之間等效電容（10 分）
試求高三分貝頻率（5 分）

（請接背面）
+15V
∞
C=
4.3kΩ
10kΩ
5kΩ
C= ∞
20kΩ 5kΩ
Vo
Vs
+ _
九十二年公務人員特種考試身心障礙人員考試試題

科  別： 電力工程、電子工程

第 4 題
如圖示，已知稽納二極體(Zener diode)之崩潰電壓為VZ＝5V，運算放大器為理想（電
壓增益無窮大、輸入阻抗無窮大、輸出阻抗為0，頻寬為無限大）。
求輸出電壓Vo1 之大小？（5 分）
求輸出電壓Vo2 之大小？（10 分）
求輸出電流Io 之大小？（5 分）

第 5 題
如圖的穩壓電路中，電晶體Q1與Q2的參數β1, β2, VBE(on)1, VBE(on)2為已知，ro1＝ro2＝∞，
電阻R1, R2, R3, RL，以及zener 二極體電壓Vz均為定值，電壓Vi 使Q1 與Q2 工作於
主動區(active mode)，
忽略IB1(I2≅I3)，求Vo 與IB2 及β2 之間的關係式。（6 分）
若考慮IB1，求IB2 與Vo、Vi、IB1 及β1 之間的關係式。（6 分）
求IB1 與Vo 之間的關係式。（8 分）
4kΩ
1kΩ
1kΩ
4kΩ
20V
1mA
Vo2
Vo1
Io
+ _
R1
R2
R3
RL
Vo
Vi
Q2
Q1
Vz
IB2
IB1
I2
I3≅I2

題目為考試當年公告版本，實務標準請以現行規範為準。