電子工程 93 年半導體工程考古題（共 5 題）
資料來源：考選部歷屆試題｜法律人 LawPlayer 整理
https://lawplayer.com/exam/electronic-engineering/93-%E5%8D%8A%E5%B0%8E%E9%AB%94%E5%B7%A5%E7%A8%8B

第 1 題
MOSFET 有那兩種？如何區分？（20 分）

第 2 題
描述四點探針法及其量測片電阻之好處。（20 分）

第 3 題
LOCOS 是什麼？請描述此製程，並說明會有何缺點。（20 分）

第 4 題
100 keV 之砷離子（帶單一電荷）於電流1 mA 植入200 cm2 之矽晶圓，植入時間為
10 分鐘，請參考下圖，
植入之離子劑量為多少ions/cm2？（5 分）
植入之RP 與ΔRP 值為多少？（5 分）
於RP 位置植入之濃度為多少？（5 分）
於何位置植入之砷離子濃度降為於位置RP 時之濃度之10
－2？（5 分）

第 5 題
於化學氣相沉積時，存在那兩種反應機制（mechanism）？反應速率如何決定？
（8 分）
何謂蒸氣壓？（4 分）
請定義凝結與汽化？（4 分）
請說明吸收與吸附之差異。（4 分）

題目為考試當年公告版本，實務標準請以現行規範為準。