電子工程 94 年半導體工程考古題（共 5 題）
資料來源：考選部歷屆試題｜法律人 LawPlayer 整理
https://lawplayer.com/exam/electronic-engineering/94-%E5%8D%8A%E5%B0%8E%E9%AB%94%E5%B7%A5%E7%A8%8B

第 1 題
在本質（Intrinsic）矽晶體中，請說明使其變成n 型矽晶體的兩種方法，並說明其製
作過程及形成n 型矽晶體的機制。（20 分）

第 2 題
請描繪空乏型n 通道金屬-半導體場效電晶體（Depletion mode n-channel metal-
semiconductor field effect transistors, MESFETs）之結構圖，並說明其工作原理及電流
電壓曲線圖。（20 分）

第 3 題
砷化鎵之能隙（Energy gap）及電子親和力（Electron affinity）分別為1.42eV 及
4.07eV，以金屬之功函數（work function）而言，為在n 型砷化鎵製作優良的蕭特
基接觸（Schottky contact），請說明需選用何種金屬，並以能帶圖說明其工作機制
及原理。（20 分）

第 4 題
在双異質接面（Double heterojunction）半導體雷射結構中，請說明双異質結構較優
於同質接面（Homojunction）結構之優點，並說明其原因。（20 分）

第 5 題
就npn 電晶體而言，請說明形成基極（base）電流的兩個電流分量，並說明其物理
機制。（20 分）

題目為考試當年公告版本，實務標準請以現行規範為準。