電子工程 95 年電子學概要考古題(共 5 題) 資料來源:考選部歷屆試題|法律人 LawPlayer 整理 https://lawplayer.com/exam/electronic-engineering/95-%E9%9B%BB%E5%AD%90%E5%AD%B8%E6%A6%82%E8%A6%81 第 1 題 如(圖一)所示電路中,參數β=100,試求使得VCE = 2.5V 之RE 電阻值。(20 分) (圖一) 第 2 題 如(圖二)之共基極(common base)電路所示,β=125,VA =∞,VCC =18V, RL=4 kΩ,RE=3 kΩ,RC = 4 kΩ,R1 = 25.6 kΩ,R2 = 10.4 kΩ,試求其小訊號電壓增 益Av=vo/vs 之數值。(20 分) (圖二) 第 3 題 如(圖三)所示之反向器(inverter)電路,其中N 通道增強型MOSFET 之參數 為k = 100μA / V2 和VTH = 0.2V。若當VI = 0.7V 則VO = 0.1V,試求RD 之電阻值。 (20 分) (圖三) 95 年公務人員特種考試身心障礙人員考試試題 類 科: 電子工程 VI 第 4 題 由理想操作放大器所組成之電路如(圖四)所示,試求其增益A v=v o/v I 之數值。 (20 分) (圖四) 第 5 題 在(圖五)中之電晶體Q2 等效於兩顆電晶體並聯,每一個都與Q1 匹配,假設電晶 體之參數為VBE(on)=0.7V,β=50,且VA=∞,在V + = 5V 條件下,設計此一電路 使得Io=2 mA,則IREF 值為多少?(20 分) (圖五) vo vI R R R R Q2 Q1 R1 I o IREF V+ 題目為考試當年公告版本,實務標準請以現行規範為準。