電子工程 96 年半導體元件考古題（共 5 題）
資料來源：考選部歷屆試題｜法律人 LawPlayer 整理
https://lawplayer.com/exam/electronic-engineering/96-%E5%8D%8A%E5%B0%8E%E9%AB%94%E5%85%83%E4%BB%B6

第 1 題
㈠試繪圖說明N-MOS 在順向偏壓時的能帶結構圖。
㈡試繪圖說明D-MOS（Double-Diffused MOS）之結構圖及其應用。
（20 分）

第 2 題
㈠若由熱氧化法（Thermal Oxidation）成長二氧化矽（SiO2）之厚度為100nm，
則矽消耗若干？
㈡試說明傳統的雙極性接面電晶體（BJT）與異質接面雙極性電晶體（HBT）之相
異處。
（20 分）

第 3 題
㈠試說明一面心立方晶體（Face-Center Cubic）之原子結構，並算出整個晶體空間
原子所佔的空間比例為多少？
㈡試說明半導體雷射二極體的發光原理。
（20 分）

第 4 題
㈠一矽二極體為單一側陡峭接面（One-Side Abrupt Junction），P、N 側之濃度各為
NA＝1019cm–3，ND＝1016cm–3。試計算空乏層之厚度及在零偏壓下最大的電場
（矽的εr＝12，室溫下的本質濃度ni＝1.45×1010/cm3）。
㈡試說明如何以四點探針法（Four-Point Probe）量測半導體特性。
（20 分）

第 5 題
㈠試說明如何得到白色光源的固態照明。
㈡試繪圖說明pnp 電晶體的I-V 特性曲線圖。
（20 分）

題目為考試當年公告版本，實務標準請以現行規範為準。