電子工程 96 年半導體工程考古題（共 5 題）
資料來源：考選部歷屆試題｜法律人 LawPlayer 整理
https://lawplayer.com/exam/electronic-engineering/96-%E5%8D%8A%E5%B0%8E%E9%AB%94%E5%B7%A5%E7%A8%8B

第 1 題
半導體製程中於晶圓上製作線路須對光阻曝光，請說明曝光之能量源有那些，並敘
述其優缺點。（24 分）

第 2 題
請說明並繪圖出晶圓之規格TIR（Total indicated runout），TTV（Total thickness
variation）與FPD（Focal plane deviation）之定義。（24 分）

第 3 題
何謂Lift-off 製程？於元件製作過程中，那一步驟須此製程？（12 分）

第 4 題
請說明晶圓先烘烤（prebake），光阻軟烤（soft-bake）與光阻硬烤（hard-bake）之功
能為何？（9 分）

第 5 題
請說明單晶之矽晶圓與砷化鎵晶圓有何不同？並說明此兩種材料之自然斷裂面分別
為那一平面？為何有此差異？（15 分）
六、何為軟性電子？薄膜電晶體與傳統電晶體有何差異？（8 分）
七、浸潤式曝光顯影與傳統曝光顯影有何差異？其主要用途為何？（8 分）

題目為考試當年公告版本，實務標準請以現行規範為準。