電子工程 96 年半導體製程考古題（共 5 題）
資料來源：考選部歷屆試題｜法律人 LawPlayer 整理
https://lawplayer.com/exam/electronic-engineering/96-%E5%8D%8A%E5%B0%8E%E9%AB%94%E8%A3%BD%E7%A8%8B

第 1 題
一般光微影（photo-lithography）製程主要包含那些步驟？每個步驟的功能為何？
光微影（photo-lithography）製程實驗室環境有那些重要因素須控制？（20 分）

第 2 題
在矽晶圓（Si wafer）上形成二氧化矽（SiO2）膜之製程方式一般有那些？各製程形成
之二氧化矽（SiO2）膜品質有何不同？各應用在矽半導體元件之何處？（20 分）

第 3 題
二氧化矽（SiO2）膜蝕刻（etching）製程方式一般有那些？其特性與優缺點各為何？
（20 分）

第 4 題
金屬化（metalization）製程方式一般有那些？其特性有何不同？各適用在何處？
（20 分）

第 5 題
請以剖面圖（cross section）敘述在矽晶圓（Si wafer）上製作CMOS 元件之基本
製程步驟。（20 分）

題目為考試當年公告版本，實務標準請以現行規範為準。