電子工程 96 年電子學大意考古題（共 40 題）
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第 1 題
若圖中兩個二極體特性完全相同，則流過電路之電流為：
(A) SII =
(B) TVVSeIIη/=
(C) ]1[
正解：C

第 2 題
/−=TVVS eIIη
(D)]1[/−=TVVS eIIη2若β＝100，則下列電路電晶體之rπ 值約為：
(D) ]1[/−=TVVS eIIη2若β＝100，則下列電路電晶體之rπ 值約為：
(A) 0.4 KΩ
(B) 0.5 KΩ
(C) 0.6 KΩ
(D) 0.7 KΩ
正解：B

第 3 題
承上題，BJT 交流電路，其Ro 值約為：
(A) 65 Ω
(B) 75 Ω
(C) 85 Ω
(D) 95 Ω
正解：C

第 4 題
共閘極放大器的小信號等效電路如下圖所示，其輸入阻抗（Ri）和輸出阻抗（Ro）各為何？
(A) Ri＝Rsi，Ro＝RL
(B) Ri＝mg1 ，Ro＝RL
(C) Ri＝Rsi＋mg1 ，Ro＝RD
(D) Ri＝mg1 ，Ro＝RD
正解：D

第 5 題
下列有關場效應電晶體的敘述，何者正確？
(A) 當閘極電壓超過臨限電壓（threshold voltage），在p 通道增強型（enhancement type）場效應電晶體中會產生一電洞反轉層（inversion layer）
(B) p 通道接面場效應電晶體（JFET），閘極是p 型材料所製成
(C) 要使p 通道增強型場效應電晶體導通，所加在閘極的電壓必需是正的而且要大於臨限電壓
(D) 當VGS＝0 時，p 通道接面場效應電晶體是不導通的I＋V －8 KΩ+5 VVoRo5 mAVs＋－vi ＋－voioii＋－GVgsRiRsSRoRLRDgmVgs
正解：A

第 6 題
考慮二極體（diode）導通時的電壓降，今於輸入端施加信號vi＝Vm‧sin(ωt)，其波形如圖1 所示。圖2 電路圖的輸出電壓vo 在穩態（steady state）時最為接近的波形為：

第 7 題
室溫時，有一矽塊含有施體濃度ND＝2×1015/cm3，受體濃度NA＝3×1015/cm3，若本質濃度為ni＝1.5×1010/cm3，則自由電子濃度約為：
(A) 1×1015/cm3
(B) 3×1010/cm3
(C) 2×105/cm3
(D) 4×108/cm3
正解：C

第 8 題
下圖是波形產生器之電路圖，Vo 的波形為：
(A) 三角波
(B) 鋸齒波
(C) 正弦波
(D) 方波
正解：D

第 9 題
承上題，V-電壓波形若由示波器量出，則應近似何種波形？
(A) 正弦波
(B) 三角波
(C) 方波
(D) 鋸齒波
正解：B

第 10 題
雙極性接面電晶體（BJT）放大器的下列組態中，何者的輸入電阻較大？
(A) CE 組態
(B) CB 組態
(C) CC 組態
(D) 疊接（cascode）組態
正解：C

第 11 題
若一雙極性接面電晶體工作於作用區（active region），其α＝0.99，則其β 應為：
(A) 99
(B) 49
(C) 39
(D) 29
正解：A

第 12 題
下列何種濾波器之增益與頻率的關係如下圖所示？
(A) 高通
(B) 低通
(C) 帶通
(D) 全通+－vD+vi+－voRD－圖2圖1Vm－Vmtt3t2t1viVmtt3t2t1voVmtt3t2t1voVmtt3t2t1voVmtt3t2t1vo＋－R2R1RCV－V＋＋Vo－增益頻率
正解：A

第 13 題
如圖所示是一個雙極性接面電晶體（BJT）電路，假設電晶體的VBE＝0.7 V、β＝50，則E 極最接近的電壓值為：
(A) －2 V
(B) －1 V
(C) 1.5 V
(D) 4 V
正解：B

第 14 題
當一雙極性接面電晶體（BJT）工作於作用模式（active mode）時，其IE、IB、IC 三者之大小關係為何？
(A) IE＞IB＞IC
(B) IC＞IB＞IE
(C) IE＞IC＞IB
(D) IC＞IE＞IB
正解：C

第 15 題
圖示為雙極性接面電晶體（BJT）的轉移特性曲線。若要使輸出電壓vCE 失真最小，其工作點應選擇在：
(A) A
(B) B
(C) C
(D) D
正解：C

第 16 題
一多級放大器之電壓放大率為1000 倍，其輸入阻抗為10 KΩ、負載阻抗為100 KΩ，則此多級放大器之功率增益為多少分貝（dB）？
(A) 30 dB
(B) 50 dB
(C) 60 dB
(D) 100 dB
正解：B

第 17 題
如圖所示的振盪器電路，則vo 的波形為何？
(A) 方波
(B) 鋸齒波
(C) 三角波
(D) 弦波vCEVCCVCEsatvIABCDR15 KΩ12 V1 µFInputGateInput Gate500 µs＋－vo10 V4 KΩC2CEEBC1C-10 VI＝2 mA10 KΩβ＝50
正解：B

第 18 題
若下圖電路放大器之飽和電壓為± 10 V，則下列何者為其可能之輸入－輸出轉換曲線？

第 19 題
下列關於SR 正反器（SR Flip-Flop）之敘述，何者正確？
(A) R＝0，S＝0 則Q＝0
(B) R＝1，S＝0 則Q＝0
(C) R＝0，S＝1 則Q＝0
(D) R＝1，S＝1 則Q＝0
正解：B

第 20 題
若一差動放大器（Differential amplifier）的輸入電壓為Vi 1＝150 µV，Vi 2＝50 µV 時，其輸出電壓Vo＝101 mV；又當輸入電壓為Vi l＝110 µV，Vi 2＝90 µV，其輸出電壓Vo＝21 mV，則該放大器之共模拒斥比（CMRR）應為：
(A) 400
(B) 200
(C) 100
(D) 50
正解：C

第 21 題
下圖為一振盪器電路，已知C＝0.01 µF，L＝4 µH，R3＝5 KΩ，R4＝100 KΩ，其中R1/R2 須至少大於何值才能滿足振盪條件？
(A) 18
(B) 19
(C) 20
(D) 22
正解：C

第 22 題
有一運算放大器的轉動率（Slew Rate）＝0.5 V/µs，假設此運算放大器之輸出電壓最大值為5 V，則此運算放大器在輸出不允許失真的狀況下，輸入所能允許正弦波之最高頻率約為：
(A) 8.2 kHz
(B) 15.9 kHz
(C) 19.5 kHz
(D) 31.8 kHz＋－RRVoViVo10 VVi0 V－10 VVo10 VVi5 V－10 VVo10 VVi5 V－10 V－5 VVo10 VVi5 V－10 V＋－R1R2R3R4voLC
正解：B

第 23 題
如圖所示電路為一低通濾波器，則其輸出入電壓之轉移函數)s(V)s(Vio為：
(A) sRC1211+
(B) )sRC1(2111+
(C) sRC1211+
(D) )sRC1(2111+
正解：A

第 24 題
如下圖，兩OPA 均為理想運算放大器，則下列何組電阻值可使電壓增益Vo/Vi＝10？
(A) R1＝2 KΩ，R2＝4 KΩ，R3＝3 KΩ
(B) R1＝3 KΩ，R2＝6 KΩ，R3＝3 KΩ
(C) R1＝4 KΩ，R2＝2 KΩ，R3＝6 KΩ
(D) R1＝1 KΩ，R2＝4 KΩ，R3＝5 KΩ
正解：D

第 25 題
下圖雙級放大器中使用相同之電晶體，則下列敘述何者錯誤？
(A) 電壓增益為單級放大器之平方
(B) 轉移函數有兩個相同的主極點
(C) 主極點頻率正比於偏壓電流（I）
(D) 輸出電阻反比於偏壓電流（I）
正解：C

第 26 題
如下圖的電路，假設運算放大器為理想元件，則電路的閉迴路電壓增益iovVVA =為：
(A) 
(B) －2010
(C) 
(D) －1020＋－R2R2voR1C1vi＋－R3OPARLR1R2OPAViVo＋－＋－VDDViVoII＋－ViVo10 kΩ10 kΩ1 kΩ100 Ω
正解：D

第 27 題
如圖所示之B 類推挽放大電路中，RL＝5 Ω，若已知其最大輸出功率為10 W，則VCC 為：
(A) 7.07 V
(B) 10 V
(C) 14.14 V
(D) 20 V
正解：B

第 28 題
如圖所示電路，為一反相輸入型樞密特觸發（Schmitt Trigger）電路及其輸入－輸出曲線圖，若參考電壓Vref＝3 V，輸入電壓Vi 為振幅± 10 V 之弦波，電阻R1＝3 kΩ，R2＝2 kΩ，則遲滯（Hysteresis）電壓VH 為：
(A) 30 V
(B) 24 V
(C) 12 V
(D) 10 V
正解：C

第 29 題
為何動態RAM（DRAM）需要週期性的再生（Refresh）？
(A) 因為電容非理想，會漏電
(B) 因為電晶體非理想，會漏電
(C) 因為基板會導電
(D) 因為系統編碼需要
正解：A

第 30 題
如圖電路設運算放大器為理想的，若R1＝R2；R3＝R4，則Vo/(V2－V1)為：
(A) 2
(B) 1
(C) 1/2
(D) 0RLvovs－VCC＋VCC＋－R1R2VoVref－15 V+15 VViVoViVH＋－R1R2R3R4VoV2V1
正解：B

第 31 題
如圖，下列何者正確？
(A) Y＝(A＋B)CD
(B) Y＝AB＋C＋D
(C) A＝0 則Y＝0
(D) D＝1 則Y＝0
正解：D

第 32 題
下圖所示之電流源（current source）電路，若是已知電晶體Q2 係操作於順向作用區（forward activeregion），且其厄利電阻（Early resistance）為ro，則下列敘述何者正確？
(A) 輸出電流,I,會隨著電阻R 的增加而增加，且此電流源之輸出電阻為ro
(B) 輸出電流,I,會隨著電阻R 的增加而減少，且此電流源之輸出電阻為ro
(C) 輸出電流,I,會隨著電阻R 的增加而增加，且此電流源之輸出電阻為無限大
(D) 輸出電流,I,會隨著電阻R 的增加而減少，且此電流源之輸出電阻為無限大
正解：B

第 33 題
如圖所示為穩壓電路，若其中R1＝1 kΩ，R2＝20 kΩ，R3＝20 kΩ，則輸出電壓Vo 為：
(A) 5 V
(B) 8 V
(C) 10 V
(D) 12 V
正解：C

第 34 題
小明在量測實驗室所作出的矽晶電晶體，發現開燈和關燈所量測到的電流－電壓特性相差很多。下列何者為最可能的原因？
(A) 照光後元件發生崩潰現象
(B) 照光後的輻射熱效應
(C) 照光後，矽晶體吸光所產生的光電流
(D) 照光後，矽晶體熱漲冷縮所誘發的電流改變
正解：C

第 35 題
在共射極單級放大器中，其高頻響應最主要受限於下列何種效應？
(A) 厄利效應（Early Effect）
(B) 米勒效應（Miller Effect）
(C) 穿隧效應（Tunnel Effect）
(D) 崩潰效應（Breakdown Effect）VDDYABCD＋－R1R2R3Vz5 VVo12 V＋－Q1Q2VIREFVcc－VEEVBEIR
正解：B

第 36 題
如圖所示，利用電晶體、二極體及電阻組成數位正邏輯電路，若Vcc＝5 V，電阻值R1＝4 kΩ、R2＝1.6 kΩ、R3＝1 kΩ、R4＝130 Ω，若輸入電壓VA＝5 V，且VB＝5 V，則下列敘述何者正確？
(A) Q2 截止、Q3 導通、Q4 截止、輸出電壓Vo 為高位準
(B) Q2 截止、Q3 截止、Q4 導通、輸出電壓Vo 為低位準
(C) Q2 導通、Q3 導通、Q4 截止、輸出電壓Vo 為高位準
(D) Q2 導通、Q3 截止、Q4 導通、輸出電壓Vo 為低位準
正解：D

第 37 題
以增強型（enhancement mode）MOSFET 當作負載的一個NMOSFET 放大器，其輸出信號擺幅的最大值為何？
(A) VDD/2
(B) VDD
(C) VDD＋Vtn（臨限電壓）
(D) VDD－Vtn
正解：D

第 38 題
下面的通道形狀在下列那一種條件下會產生？（設VGS＞Vt）
(A) VGS－VDS＞Vt
(B) VGS－VDS＝Vt
(C) VGS－VDS＜Vt
(D) 皆不會
正解：C

第 39 題
如圖所示電路，假設輸入電壓Vi＝5 V，而正、負飽和輸出電壓為± 15 V，則輸出電壓Vo 為：
(A) ＋5 V
(B) －5 V
(C) ＋15 V
(D) －15 V
正解：A

第 40 題
場效應電晶體（FET）是屬於：
(A) 電流控制電流源（Current Controlled Current Source）
(B) 電壓控制電壓源（Voltage Controlled Voltage Source）
(C) 電流控制電壓源（Current Controlled Voltage Source）
(D) 電壓控制電流源（Voltage Controlled Current Source）R1R2R4R3Q1Q2Q3Q4D1D2D3VAVBVOVCC＋－VoViOPA+15 V－15 Vn+n+通道GDS
正解：D

題目與答案為考試當年公告版本，實務標準請以現行規範為準。