電子工程 97 年積體電路技術考古題（共 4 題）
資料來源：考選部歷屆試題｜法律人 LawPlayer 整理
https://lawplayer.com/exam/electronic-engineering/97-%E7%A9%8D%E9%AB%94%E9%9B%BB%E8%B7%AF%E6%8A%80%E8%A1%93

第 1 題
在西元2007 年，某一國際知名半導體公司宣布推出一最先進之NAND 型快閃記憶
體（NAND Flash memory）單一晶片，該晶片係以50 奈米（nm）製程製作，內含
160 億個位元（bit）。試說明每一位元約占多少面積？（6 分）如一位元的電路為
正方形的話，則其長度約為多少倍的線寬？（6 分）

第 2 題
在實際應用中除第一題中所提及的NAND 型快閃記憶體，尚有一種NOR 型快閃記
憶體，試說明此兩者之間電路架構的相異之處，（10 分）並詳述此二種記憶體之各
自應用範圍有何不同。（10 分）

第 3 題
以一N-well CMOS 製程為例，說明製作一PMOS 電晶體所需之各項步驟。（20 分）

第 4 題
請解釋下列名詞：（每小題8 分，共48 分）
㈠Diffusion
㈡光阻
㈢LDD structure
㈣Hot electron
㈤Tunneling
㈥E-beam lithography and its advantage

題目為考試當年公告版本，實務標準請以現行規範為準。