電子工程 97 年電子學大意考古題（共 40 題）
資料來源：考選部歷屆試題｜法律人 LawPlayer 整理
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第 1 題
在共射極放大器組態中，經常會在射極端的外加電阻並聯一旁路電容（Bypass capacitor）。此電容最主要功能為何？
(A) 增加輸入阻抗
(B) 增加低頻響應
(C) 提高中頻交流增益
(D) 節省晶片面積
正解：C

第 2 題
兼具電壓放大與電流放大作用的雙極性接面電晶體電路組態是：
(A) CC 組態
(B) CE 組態
(C) CB 組態
(D) CD 組態
正解：B

第 3 題
圖示電路中，已知K = 2 mA/V2，且臨限電壓（threshold voltage）Vt = -2 V，則源極端電壓為：（提示：ID = K(VGS – Vt)2）
(A) 2 V
(B) -2 V
(C) -1 V
(D) 1 V
正解：D

第 4 題
若BJT 功率放大電路中，其直流電路之ICQ = 1 mA，β = 100，此時交流電路之rπ 應為：
(A) 2.5 kΩ
(B) 3.5 kΩ
(C) 4.5 kΩ
(D) 5.5 kΩ
正解：A

第 5 題
如圖所示為何種電路？
(A) 積分電路
(B) 穩壓電路
(C) 反相放大器
(D) 史密特觸發電路（Schmitt trigger circuit）
正解：D

第 6 題
如圖所示電路，其中R1 = 10 kΩ，C1 = 0.001 µF，R2 = 10 kΩ，R3 = 20 kΩ，其振盪頻率約為：
(A) 38.9 kHz
(B) 15.9 kHz
(C) 6.5 kHz
(D) 3.2 kHz
正解：B

第 7 題
如圖電路發生振盪時，則vo 輸出波形為：
(A) 方波
(B) 弦波
(C) 三角波
(D) 鋸齒波
正解：C

第 8 題
信號產生器產生單一脈波時，是下列何者振盪？
(A) 單穩態（Monostable）
(B) 無穩態（Astable）
(C) 雙穩態（Bistable）
(D) 不穩定（Unstable）
正解：A

第 9 題
採用電容耦合之電晶體放大器，在低頻時的頻率響應，主要由下列何項決定？
(A) 電晶體的雜散電容
(B) 耦合電容
(C) 電晶體的耐壓
(D) 電晶體的額定電流
正解：B

第 10 題
如圖所示之串級電路，已知β1 = β2 = 50，則此放大器的電流增益為：
(A) 5
(B) 50
(C) 100
(D) 2500VOVDDVIBit LineWord LineXYQ2Q1C1C25 V+10 VVo+-10 kΩ0.1 kΩβF = 100VDDBLBLWLWLM1M2V2V1ioibQ1Q21 kΩ
正解：D

第 11 題
下列何者為SR 正反器真值表？
(A) R = 0，S = 0；Qn+1 = 0
(B) R = 0，S = 1；Qn+1 = 0
(C) R = 1，S = 0；Qn+1 = 0
(D) R = 1，S = 1；Qn+1 = 0
正解：C

第 12 題
下列何種電容會影響放大器低頻響應？
(A) 極際寄生電容、旁路電容
(B) 耦合電容、極際寄生電容
(C) 極際寄生電容、雜散電容
(D) 耦合電容、旁路電容
正解：D

第 13 題
如圖所示之CMOS 反相器，其傳播延遲（propagation delay）tp 與VDD 的關係為何？
(A) 要tp 減小，應降低VDD 值
(B) 要tp 減小，應增大VDD 值
(C) tp 值與VDD 的大小無關
(D) tp = 0
正解：B

第 14 題
ECL 閘電路的兩個輸出是：
(A) AND、OR
(B) AND、NAND
(C) OR、NOR
(D) NAND、NOR
正解：C

第 15 題
如圖示之隨機存取記憶體（RAM）電路，下列敘述何者正確？
(A) 資料主要是儲存在電容C1 及C2 中
(B) 當X = 1（高電壓）時，Bit Line 上的資料將寫入（Write）並儲存到所有連接於Word Line 上的整列記憶體細胞（memory cell）
(C) 當要讀取（Read）資料時，電晶體Q2 必須導通而電晶體Q1 必須截止
(D) 此電路不需要使用週期性的更新（periodic refresh）電路
正解：B

第 16 題
當雙極性接面電晶體之B-E 接面順偏、B-C 接面順偏，此時電晶體是操作在那種區域模式？
(A) 飽和區
(B) 截止區
(C) 順向作用區（forward active region）
(D) 逆向作用區（reverse active region）
正解：A

第 17 題
雙極性接面電晶體（BJT）工作於作用模式（active mode），由厄列（Early）效應可知IC與VCE之關係為何？
(A) 呈指數函數變化
(B) 呈線性變化
(C) 呈倒數關係
(D) 無關連
正解：B

第 18 題
右圖之CMOS 靜態隨機存取記憶元（SRAM cell），下列何方法一定可提高寫入速度？
(A) 增加M1，M2 元件長度
(B) 減少M1，M2 元件寬度
(C) 提高WL 電壓
(D) 提高BL 電壓
正解：C

第 19 題
關於RAM 與ROM 的敘述，下列何者錯誤？
(A) 當電源中斷時，RAM 的資料會消失
(B) 資料一旦存入ROM，只能讀取而不能任意更改內容
(C) ROM 通常被用於儲存使用者的程式與資料
(D) EEPROM 可以利用電流脈衝來將其資料清除
正解：C

第 20 題
為何在雙極性接面電晶體進入飽和區操作時，操作速度嚴重變慢？
(A) 因為大量少數載子累積在基極無法短時間內排出
(B) 因為集極發生崩潰效應
(C) 因為發生電流擁擠效應
(D) 因為熱效應變嚴重
正解：A

第 21 題
圖所示之電路中，BJT 電路之Vo 值約為：
(A) 2.4 V
(B) 3.2 V
(C) 4.5 V
(D) 5.7 V
正解：D

第 22 題
一達靈頓電路如右圖，已知Q1、Q2 的hfe = 100，hie = 1 kΩ，hoe = 40 kΩ，則其電流增益Ai = io / ib 值約為：
(A) 0.5 × 104
(B) 5 × 104
(C) 2.5 × 2.5 × 104
(D) 2.5 × 105R2V+V-viR1vo+-aVccViVoRLREREQ1Q2Q4Q3C1+-Vcc12R2R1R3Vo+-+-1 kΩViVoVOVIR1R2-++5 V-5 V+0.5 V1 kΩ1 kΩ1 kΩQ1Q2vC2vC1vE
正解：A

第 23 題
如圖所示的運算放大器應用電路，其電壓增益，==ioVvvA？
(A) 12RR−
(B) 121RR+
(C) ∞
(D) 121RR−
正解：B

第 24 題
如圖所示電路，當輸入之正弦波信號在正半週時，則下列敘述何者正確？
(A) Q1 導通、Q2 導通、Q3 截止、Q4 截止
(B) Q1 截止、Q2 截止、Q3 導通、Q4 導通
(C) Q1 導通、Q2 截止、Q3 導通、Q4 截止
(D) Q1 截止、Q2 導通、Q3 截止、Q4 導通
正解：C

第 25 題
有一串接的兩級放大器，其中第一級放大器之電壓增益為60 dB，第二級放大器之電壓增益為20 dB，若在第一級放大器輸入端加入峰值為2 µV 的電壓輸入信號，且串接放大器無負載效應，則在第二級放大器輸出端之電壓輸出信號的峰值為多少？
(A) 40 mV
(B) 20 mV
(C) 4 mV
(D) 2 mV
正解：B

第 26 題
如圖所示，若欲降低運算放大器之輸入偏壓電流效應，加入電阻R3，則R3 與R1、R2 間之關係為何？
(A) R3 = R1 // R2
(B) R1 = R2 // R3
(C) R3 = R1 + R2
(D) R1 = R2 + R3
正解：A

第 27 題
由運算放大器，電容及電阻組成的微分器，若輸入電壓波形為一三角波時，則輸出電壓波形為：
(A) 三角波
(B) 方波
(C) 正弦波
(D) 鋸齒波
正解：B

第 28 題
右圖電路中的運算放大器之輸入偏壓電流為1 µA，則右圖電路之Vo – Vi 等於：
(A) 0 V
(B) 0.1 mV
(C) 1 mV
(D) 10 mV
正解：C

第 29 題
設如圖電路之運算放大器為理想的，則由輸入VI 看進去的電阻為：
(A) 無窮大
(B) R1
(C) R1 + R2
(D) 0
正解：B

第 30 題
右圖為一差動放大電路，若所有電晶體完全相同（當電晶體導通時，｜vBE︱= 0.7 V、α ≅1），則vE 值為何？
(A) 0 V
(B) 0.5 V
(C) 0.7 V
(D) 1 V
正解：C

第 31 題
承上題，電晶體Q1 側的vC1 電壓值應為多少？
(A) -5 V
(B) -3 V
(C) -0.7 V
(D) 0.5 V
正解：A

第 32 題
承上題，該差動放大電路之電晶體Q2 側的vC2 電壓值應為多少？
(A) -5 V
(B) -3 V
(C) -0.7 V
(D) 0 V圖1iDvD-+圖2iDvD圖3vDvivoDR---+++vovivovivovivovi+12 V2 kΩVoIDSS = 4 mAVp = -3 V+++AC--- vD2vD1voC1C2D2D1vi = 10 sin(ωt) V
正解：C

第 33 題
已知一個全波整流器的輸入電源為60 Hz，設計輸出尖峰電壓為10 V，負載阻抗為10 kΩ，如要求輸出電壓漣波要小於0.2 V，則其並聯電容至少要大於：
(A) 83.4 µF
(B) 41.7 µF
(C) 31.3 µF
(D) 20.8 µF
正解：B

第 34 題
今將二極體（diode）視為一理想開關，其特性曲線如圖2 所示，其中端電壓的參考極性以及電流的參考方向如各圖所標示。現有一組二極體電路如圖3 所示，則估此電路的輸出輸入關係（transfer characteristic）最接近的曲線為：

第 35 題
右列FET 電路操作於何種區域？
(A) 截止區
(B) 線性區
(C) 飽和區
(D) 崩潰區
正解：C

第 36 題
假設使用理想的電容，並將二極體（diode）視為一理想開關，今輸入交流信號vi = 10 sin(ωt) V，則右列電路圖的輸出電壓vo 在穩態（steady state）時最為接近的電壓值為：
(A) 20 V
(B) 15 V
(C) -15 V
(D) -20 V
正解：D

第 37 題
在下列MOSFET 放大器組態中，何者之電壓增益Av 為最小？
(A) CS 放大器
(B) CG 放大器
(C) CD 放大器
(D) 疊接（cascode）放大器
正解：C

第 38 題
pn 接面二極體的逆向飽和電流Is，隨pn 兩側雜質濃度的增大而有何變化？
(A) 增大
(B) 減小
(C) 無關
(D) 視半導體之材質而定
正解：B

第 39 題
若Vt 為臨限電壓（threshold voltage），則n 通道增強型（enhancement type）場效應電晶體在何種條件下是在飽和區（saturation region）下操作？
(A) vGS ≤Vt
(B) vGS ≥Vt
(C) vDS ≤vGS - Vt
(D) vDS ≥vGS - Vt
正解：D

第 40 題
在MOSFET 之各參數已確定的情況下，當工作於飽和區（saturation region）時，其跨導gm 與汲極電流ID之間的關係為何？
(A) gm正比於ID
(B) gm正比於(1/ID)
(C) gm正比於(ID)1/2
(D) gm正比於(ID)-1/2
正解：C

題目與答案為考試當年公告版本，實務標準請以現行規範為準。